规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 26nC @ 4.5V,
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Infineon Technologies
MOSFET 2N-CH 20V 5.4A MICRO8
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 5.4A 1.3W Surface Mount Micro8?
型号:
IRF7530TRPBF
仓库库存编号:
IRF7530TRPBFCT-ND
别名:IRF7530TRPBFCT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 26nC @ 4.5V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 86A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 86A(Tc) 79W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR3709ZTRPBF
仓库库存编号:
IRFR3709ZPBFCT-ND
别名:*IRFR3709ZTRPBF
IRFR3709ZPBFCT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 26nC @ 4.5V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 30V 4.6A 2X2 4-MFP
详细描述:表面贴装 P 沟道 4.6A(Ta) 1.47W(Ta) 4-Microfoot
型号:
SI8409DB-T1-E1
仓库库存编号:
SI8409DB-T1-E1CT-ND
别名:SI8409DB-T1-E1CT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 26nC @ 4.5V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 87A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 87A(Tc) 79W(Tc) TO-220AB
型号:
IRF3709ZPBF
仓库库存编号:
IRF3709ZPBF-ND
别名:*IRF3709ZPBF
SP001564614
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 26nC @ 4.5V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 25V 60A 1212-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 25V 60A(Tc) 52W(Tc) PowerPAK? 1212-8
型号:
SISA24DN-T1-GE3
仓库库存编号:
SISA24DN-T1-GE3CT-ND
别名:SISA24DN-T1-GE3CT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 26nC @ 4.5V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 18A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 18A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
IRF8736TRPBF
仓库库存编号:
IRF8736TRPBFCT-ND
别名:IRF8736TRPBFCT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 26nC @ 4.5V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET 2N-CH 12V 10A 8SOIC
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 12V 10A 2W Surface Mount 8-SO
型号:
IRF7910TRPBF
仓库库存编号:
IRF7910TRPBFCT-ND
别名:IRF7910TRPBFCT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 26nC @ 4.5V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 25V 60A SO8
详细描述:表面贴装 N 沟道 60A(Tc) 62.5W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SIRA24DP-T1-GE3
仓库库存编号:
SIRA24DP-T1-GE3CT-ND
别名:SIRA24DP-T1-GE3CT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 26nC @ 4.5V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 8V 16A MICRO
详细描述:表面贴装 N 沟道 16A(Tc) 2.77W(Ta),13W(Tc) 6-Micro Foot?
型号:
SI8416DB-T2-E1
仓库库存编号:
SI8416DB-T2-E1-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 26nC @ 4.5V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET P-CH 12V 10A ECH8
详细描述:表面贴装 P 沟道 10A(Ta) 1.6W(Ta) 8-ECH
型号:
ECH8308-TL-H
仓库库存编号:
ECH8308-TL-H-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 26nC @ 4.5V,
无铅
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Vishay Siliconix
P-CHANNEL 30-V (D-S) 175C MOSFET
详细描述:表面贴装 P 沟道 16A(Tc) 62.5W(Tc) PowerPAK? 1212-8
型号:
SQS423EN-T1_GE3
仓库库存编号:
SQS423EN-T1_GE3-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 26nC @ 4.5V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 87A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 87A(Tc) 79W(Tc) D2PAK
型号:
IRF3709ZSTRRPBF
仓库库存编号:
IRF3709ZSTRRPBF-ND
别名:SP001563134
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 26nC @ 4.5V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 38A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 38A(Tc) 68W(Tc) D2PAK
型号:
IRL3303D1STRR
仓库库存编号:
IRL3303D1STRR-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 26nC @ 4.5V,
含铅
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ON Semiconductor
MOSFET P-CH 8V 5.2A CHIPFET
详细描述:表面贴装 P 沟道 8V 5.2A(Ta) 1.3W(Ta) ChipFET?
型号:
NTHS5445T1
仓库库存编号:
NTHS5445T1OS-ND
别名:NTHS5445T1OS
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 26nC @ 4.5V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 20V 5.3A 2X2 4-MFP
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 5.3A(Ta) 1.47W(Ta) 4-Microfoot
型号:
SI8402DB-T1-E1
仓库库存编号:
SI8402DB-T1-E1CT-ND
别名:SI8402DB-T1-E1CT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 26nC @ 4.5V,
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 40V 45A LFPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 45A(Ta) 55W(Tc) LFPAK
型号:
RJK0452DPB-00#J5
仓库库存编号:
RJK0452DPB-00#J5CT-ND
别名:RJK0452DPB-00#J5CT
RJK0452DPB00J5
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 26nC @ 4.5V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 8V 16A MICRO
详细描述:表面贴装 N 沟道 8V 16A(Tc) 2.77W(Ta),13W(Tc) 6-microfoot
型号:
SI8416DB-T1-GE3
仓库库存编号:
SI8416DB-T1-GE3CT-ND
别名:SI8416DB-T1-GE3CT
SI8416DBT1GE3
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 26nC @ 4.5V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 38A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 30V 38A(Tc) 68W(Tc) TO-220AB
型号:
IRL3303
仓库库存编号:
IRL3303-ND
别名:*IRL3303
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 26nC @ 4.5V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 38A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 38A(Tc) 3.8W(Ta),68W(Tc) D2PAK
型号:
IRL3303S
仓库库存编号:
IRL3303S-ND
别名:*IRL3303S
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 26nC @ 4.5V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 35A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 35A(Tc) 68W(Tc) D-Pak
型号:
94-4007
仓库库存编号:
94-4007-ND
别名:*IRLR3303
IRLR3303
IRLR3303-ND
Q811927
SP001519058
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 26nC @ 4.5V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 28V 11.4A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 28V 11A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
IRF7811A
仓库库存编号:
IRF7811A-ND
别名:*IRF7811A
SP001565580
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 26nC @ 4.5V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 28V 11.4A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 28V 11A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
IRF7811ATR
仓库库存编号:
IRF7811ATR-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 26nC @ 4.5V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 35A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 35A(Tc) 68W(Tc) D-Pak
型号:
IRLR3303TR
仓库库存编号:
IRLR3303TR-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 26nC @ 4.5V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 35A I-PAK
详细描述:通孔 N 沟道 30V 35A(Tc) 68W(Tc) I-Pak
型号:
IRLU3303
仓库库存编号:
IRLU3303-ND
别名:*IRLU3303
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 26nC @ 4.5V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET 2N-CH 20V 5.4A MICRO8
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 5.4A 1.3W Surface Mount Micro8?
型号:
IRF7530TR
仓库库存编号:
IRF7530CT-ND
别名:IRF7530
IRF7530CT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 26nC @ 4.5V,
含铅
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