品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 26nC @ 4.5V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 87A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 87A(Tc) 79W(Tc) D2PAK
型号:
IRF3709ZSTRL
仓库库存编号:
IRF3709ZSTRL-ND
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 26nC @ 4.5V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 87A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 87A(Tc) 79W(Tc) D2PAK
型号:
IRF3709ZSTRR
仓库库存编号:
IRF3709ZSTRR-ND
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 26nC @ 4.5V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 87A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 30V 87A(Tc) 79W(Tc) TO-262
型号:
IRF3709ZCL
仓库库存编号:
IRF3709ZCL-ND
别名:*IRF3709ZCL
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 26nC @ 4.5V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 87A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 30V 87A(Tc) 79W(Tc) TO-262
型号:
IRF3709ZL
仓库库存编号:
IRF3709ZL-ND
别名:*IRF3709ZL
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 26nC @ 4.5V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 87A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 87A(Tc) 79W(Tc) D2PAK
型号:
IRF3709ZS
仓库库存编号:
IRF3709ZS-ND
别名:*IRF3709ZS
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 26nC @ 4.5V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 87A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 87A(Tc) 79W(Tc) D2PAK
型号:
IRF3709ZCSTRL
仓库库存编号:
IRF3709ZCSTRL-ND
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 26nC @ 4.5V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 87A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 87A(Tc) 79W(Tc) D2PAK
型号:
IRF3709ZCSTRR
仓库库存编号:
IRF3709ZCSTRR-ND
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 26nC @ 4.5V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 86A I-PAK
详细描述:通孔 N 沟道 30V 86A(Tc) 79W(Tc) IPAK(TO-251)
型号:
IRFU3709ZPBF
仓库库存编号:
IRFU3709ZPBF-ND
别名:*IRFU3709ZPBF
SP001552414
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 26nC @ 4.5V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 87A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 30V 87A(Tc) 79W(Tc) TO-262
型号:
IRF3709ZCLPBF
仓库库存编号:
IRF3709ZCLPBF-ND
别名:*IRF3709ZCLPBF
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 26nC @ 4.5V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 87A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 30V 87A(Tc) 79W(Tc) TO-262
型号:
IRF3709ZLPBF
仓库库存编号:
IRF3709ZLPBF-ND
别名:*IRF3709ZLPBF
SP001574636
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 26nC @ 4.5V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 87A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 87A(Tc) 79W(Tc) D2PAK
型号:
IRF3709ZSPBF
仓库库存编号:
IRF3709ZSPBF-ND
别名:*IRF3709ZSPBF
SP001551038
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 26nC @ 4.5V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 38A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 30V 38A(Tc) 68W(Tc) TO-220AB
型号:
IRL3303PBF
仓库库存编号:
IRL3303PBF-ND
别名:*IRL3303PBF
SP001568314
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 26nC @ 4.5V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 38A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 38A(Tc) 3.8W(Ta),68W(Tc) D2PAK
型号:
IRL3303SPBF
仓库库存编号:
IRL3303SPBF-ND
别名:*IRL3303SPBF
SP001573716
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 26nC @ 4.5V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 35A I-PAK
详细描述:通孔 N 沟道 30V 35A(Tc) 68W(Tc) I-Pak
型号:
IRLU3303PBF
仓库库存编号:
IRLU3303PBF-ND
别名:*IRLU3303PBF
SP001577150
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 26nC @ 4.5V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 38A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 30V 38A(Tc) 3.8W(Ta),68W(Tc) TO-262
型号:
IRL3303LPBF
仓库库存编号:
IRL3303LPBF-ND
别名:*IRL3303LPBF
SP001568474
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 26nC @ 4.5V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 28V 11A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 28V 11A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
IRF7811ATRPBF
仓库库存编号:
IRF7811APBFCT-ND
别名:*IRF7811ATRPBF
IRF7811APBFCT
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 26nC @ 4.5V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 35A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 35A(Tc) 68W(Tc) D-Pak
型号:
IRLR3303TRPBF
仓库库存编号:
IRLR3303PBFCT-ND
别名:*IRLR3303TRPBF
IRLR3303PBFCT
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 26nC @ 4.5V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 86A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 30V 86A(Tc) 79W(Tc) IPAK(TO-251)
型号:
IRFU3709Z-701P
仓库库存编号:
IRFU3709Z-701P-ND
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 26nC @ 4.5V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 38A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 38A(Tc) 3.8W(Ta),68W(Tc) D2PAK
型号:
IRL3303STRRPBF
仓库库存编号:
IRL3303STRRPBF-ND
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 26nC @ 4.5V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 38A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 38A(Tc) 3.8W(Ta),68W(Tc) D2PAK
型号:
IRL3303STRLPBF
仓库库存编号:
IRL3303STRLPBF-ND
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 26nC @ 4.5V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 87A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 87A(Tc) 79W(Tc) D2PAK
型号:
IRF3709ZSTRLPBF
仓库库存编号:
IRF3709ZSTRLPBF-ND
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 26nC @ 4.5V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 20A PQFN56
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 20A(Ta),54A(Tc) 3.1W(Ta) PQFN(5x6)
型号:
IRFH7936TR2PBF
仓库库存编号:
IRFH7936TR2PBFCT-ND
别名:IRFH7936TR2PBFCT
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 26nC @ 4.5V,
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