规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 17nC @ 4.5V,
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET 2P-CH 20V 3.6A 6MICROFET
详细描述：Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 3.6A 700mW Surface Mount 6-MicroFET (2x2)
型号：
FDMA6023PZT
仓库库存编号：
FDMA6023PZTCT-ND
别名：FDMA6023PZTCT
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 17nC @ 4.5V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 8.3A SO-8FL
详细描述：表面贴装 N 沟道 8.3A（Ta），57A（Tc） 870mW（Ta），41.7W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
型号：
NTMFS4841NT1G
仓库库存编号：
NTMFS4841NT1GOSCT-ND
别名：NTMFS4841NT1GOSCT
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 17nC @ 4.5V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 8V 3.6A MICRO
详细描述：表面贴装 P 沟道 4.6A（Ta） 780mW（Ta），1.8W（Tc）
型号：
SI8469DB-T2-E1
仓库库存编号：
SI8469DB-T2-E1CT-ND
别名：SI8469DB-T2-E1CT
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 17nC @ 4.5V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET 2N-CH 4-WLCSP
详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Common Drain 500mW Surface Mount 4-WLCSP (1.4x1.6)
型号：
FDZ1416NZ
仓库库存编号：
FDZ1416NZCT-ND
别名：FDZ1416NZCT
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 17nC @ 4.5V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 20V 3.7A WLCSP
详细描述：表面贴装 P 沟道 3.7A（Ta） 1.7W（Ta） 4-WLCSP（1x1）
型号：
FDZ371PZ
仓库库存编号：
FDZ371PZCT-ND
别名：FDZ371PZCT
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 17nC @ 4.5V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET 2N-CH 20V 7.5A 8SOIC
详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 7.5A 900mW Surface Mount 8-SO
型号：
FDS6892A
仓库库存编号：
FDS6892ACT-ND
别名：FDS6892ACT
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 17nC @ 4.5V,
无铅
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Panasonic Electronic Components
MOSFET N-CH 30V 16A 8HSSO
详细描述：表面贴装 N 沟道 16A（Ta），59A（Tc） 2W（Ta），24.6W（Tc） 8-HSSO
型号：
SK8403170L
仓库库存编号：
P16264CT-ND
别名：P16264CT
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 17nC @ 4.5V,
无铅
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Panasonic Electronic Components
MOSFET N-CH 30V 20A 8HSO
详细描述：表面贴装 N 沟道 20A（Ta），59A（Tc） 2.8W（Ta），24W（Tc） 8-HSO
型号：
SK8603170L
仓库库存编号：
P16269CT-ND
别名：P16269CT
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 17nC @ 4.5V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 30V 80A PWRFLAT56
详细描述：表面贴装 N 沟道 80A（Tc） 4W（Ta）, 60W（Tc） PowerFlat?（5x6）
型号：
STL86N3LLH6AG
仓库库存编号：
497-16043-1-ND
别名：497-16043-1
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 17nC @ 4.5V,
无铅
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Texas Instruments
MOSFET N-CH 30V 100A 8SON
详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Tc） 3.2W（Ta） 8-VSON（5x6）
型号：
CSD17501Q5A
仓库库存编号：
296-28437-1-ND
别名：296-28437-1
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 17nC @ 4.5V,
含铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 20V SC-74
详细描述：表面贴装 N 沟道 6.9A（Ta） 550mW（Ta）, 6.25W（Tc） 6-TSOP
型号：
PMN16XNEX
仓库库存编号：
1727-2696-1-ND
别名：1727-2696-1
568-13215-1
568-13215-1-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 17nC @ 4.5V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 16A DIRECTFET
详细描述：表面贴装 N 沟道 16A（Ta），55A（Tc） 1.4W（Ta），42W（Tc） DIRECTFET? ST
型号：
IRF6623TRPBF
仓库库存编号：
IRF6623TRPBFCT-ND
别名：IRF6623TRPBFCT
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 17nC @ 4.5V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 12V 2.6A SSOT3
详细描述：表面贴装 P 沟道 2.6A（Ta） 500mW（Ta） SuperSOT-3
型号：
FDN306P
仓库库存编号：
FDN306PCT-ND
别名：FDN306P_F095CT
FDN306P_F095CT-ND
FDN306PCT
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 17nC @ 4.5V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 30V 75A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 75A（Tc） 60W（Tc） DPAK
型号：
STD75N3LLH6
仓库库存编号：
497-10119-1-ND
别名：497-10119-1
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 17nC @ 4.5V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 16A DIRECTFET
详细描述：表面贴装 N 沟道 16A（Ta），55A（Tc） 1.4W（Ta），42W（Tc） DIRECTFET? ST
型号：
IRF6623
仓库库存编号：
IRF6623CT-ND
别名：*IRF6623
IRF6623CT
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 17nC @ 4.5V,
含铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET P-CH 20V TO-236AB
详细描述：表面贴装 P 沟道 4.5A（Ta） 490mW（Ta）, 5.435W（Tc） TO-236AB（SOT23）
型号：
PMV30XPEAR
仓库库存编号：
1727-2531-1-ND
别名：1727-2531-1
568-12970-1
568-12970-1-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 17nC @ 4.5V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 30V 11A POWERFLAT
详细描述：表面贴装 N 沟道 11A（Tc） 2W（Ta），50W（Tc） PowerFlat?（3.3x3.3）
型号：
STL11N3LLH6
仓库库存编号：
497-11099-1-ND
别名：497-11099-1
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 17nC @ 4.5V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 30V 24A POWERFLAT5X6
详细描述：表面贴装 N 沟道 90A（Tc） 60W（Tc） PowerFlat?（6x5）
型号：
STL90N3LLH6
仓库库存编号：
497-10991-1-ND
别名：497-10991-1
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 17nC @ 4.5V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 20V 7A 6DFN
详细描述：表面贴装 N 沟道 7A（Ta） 1.7W（Ta），12.5W（Tc） 6-DFN2020MD（2x2）
型号：
PMPB23XNE,115
仓库库存编号：
1727-1369-1-ND
别名：1727-1369-1
568-10818-1
568-10818-1-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 17nC @ 4.5V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 20V 3.6A 2X2 4-MFP
详细描述：表面贴装 P 沟道 3.6A（Ta） 1.47W（Ta） 4-Microfoot
型号：
SI8401DB-T1-E1
仓库库存编号：
SI8401DB-T1-E1TR-ND
别名：SI8401DB-T1-E1TR
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 17nC @ 4.5V,
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 89A SO8FL
详细描述：表面贴装 N 沟道 16A（Ta） 3.7W（Ta），112W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
型号：
NVMFS4841NWFT1G
仓库库存编号：
NVMFS4841NWFT1G-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 17nC @ 4.5V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 89A SO-8FL
详细描述：表面贴装 N 沟道 16A（Ta） 3.7W（Ta），112W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
型号：
NVMFS4841NT1G
仓库库存编号：
NVMFS4841NT1G-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 17nC @ 4.5V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 20V 3.6A 2X2 4-MFP
详细描述：表面贴装 P 沟道 3.6A（Ta） 1.47W（Ta） 4-Microfoot
型号：
SI8401DB-T1-E3
仓库库存编号：
SI8401DB-T1-E3-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 17nC @ 4.5V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N/P-CH 12V 7.6A PPAK SO-8
详细描述：Mosfet Array N and P-Channel 12V 7.6A, 5.7A 1.4W Surface Mount PowerPAK? SO-8 Dual
型号：
SI7540DP-T1-GE3
仓库库存编号：
SI7540DP-T1-GE3CT-ND
别名：SI7540DP-T1-GE3CT
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 17nC @ 4.5V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 30V 75A IPAK
详细描述：通孔 N 沟道 30V 75A（Tc） 60W（Tc） I-Pak
型号：
STU75N3LLH6-S
仓库库存编号：
STU75N3LLH6-S-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 17nC @ 4.5V,
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