规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 17nC @ 4.5V,
专业代理销售st（意法）全系列产品
关于我们
|
联系我们
库存查询
ST产品选型
产品
制造商
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索：
热门搜索词：
电容器
Vicor
MXP7205VW
STM32F103C8T6
1379658-1
UVX
美国1号仓库
产品分类
(88)
分立半导体产品
(88)
筛选品牌
Infineon Technologies (43)
Nexperia USA Inc. (3)
Fairchild/ON Semiconductor (14)
ON Semiconductor (8)
Panasonic Electronic Components (2)
STMicroelectronics (8)
Texas Instruments (1)
Vishay Siliconix (9)
重新选择
规格选型正在加载中...
在结果中搜索词：
以下搜索结果
参考图片
制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
PDF
操作
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 54A TO-262
详细描述：通孔 N 沟道 20V 54A（Tc） 3.8W（Ta），71W（Tc） TO-262
型号：
IRL3715L
仓库库存编号：
IRL3715L-ND
别名：*IRL3715L
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 17nC @ 4.5V,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 54A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 54A（Tc） 3.8W（Ta），71W（Tc） D2PAK
型号：
IRL3715S
仓库库存编号：
IRL3715S-ND
别名：*IRL3715S
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 17nC @ 4.5V,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET 2P-CH 20V 3.9A 8-TSSOP
详细描述：Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 3.9A 1W Surface Mount 8-TSSOP
型号：
IRF7755
仓库库存编号：
IRF7755-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 17nC @ 4.5V,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET 2P-CH 20V 3.9A 8-TSSOP
详细描述：Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 3.9A 1W Surface Mount 8-TSSOP
型号：
IRF7755TR
仓库库存编号：
IRF7755TR-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 17nC @ 4.5V,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 54A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 54A（Tc） 3.8W（Ta），71W（Tc） D2PAK
型号：
IRL3715STRL
仓库库存编号：
IRL3715STRL-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 17nC @ 4.5V,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 54A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 54A（Tc） 3.8W（Ta），71W（Tc） D2PAK
型号：
IRL3715STRR
仓库库存编号：
IRL3715STRR-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 17nC @ 4.5V,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 54A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 20V 54A（Tc） 3.8W（Ta），71W（Tc） TO-220AB
型号：
IRL3715TR
仓库库存编号：
IRL3715TR-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 17nC @ 4.5V,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 54A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 20V 54A（Tc） 3.8W（Ta），71W（Tc） TO-220AB
型号：
IRL3715TRL
仓库库存编号：
IRL3715TRL-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 17nC @ 4.5V,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 54A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 20V 54A（Tc） 3.8W（Ta），71W（Tc） TO-220AB
型号：
IRL3715TRR
仓库库存编号：
IRL3715TRR-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 17nC @ 4.5V,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 54A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 54A（Tc） 3.8W（Ta），71W（Tc） D-Pak
型号：
IRLR3715TR
仓库库存编号：
IRLR3715TR-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 17nC @ 4.5V,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 54A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 54A（Tc） 3.8W（Ta），71W（Tc） D-Pak
型号：
IRLR3715TRL
仓库库存编号：
IRLR3715TRL-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 17nC @ 4.5V,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 54A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 54A（Tc） 3.8W（Ta），71W（Tc） D-Pak
型号：
IRLR3715TRR
仓库库存编号：
IRLR3715TRR-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 17nC @ 4.5V,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 14A DIRECTFET
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 14A（Ta），55A（Tc） 2.1W（Ta），42W（Tc） DIRECTFET? ST
型号：
64-9144
仓库库存编号：
64-9144CT-ND
别名：*IRF6617
IRF6617CT
IRF6617CT-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 17nC @ 4.5V,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 15A DIRECTFET
详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 15A（Ta），66A（Tc） 2.2W（Ta），42W（Tc） DIRECTFET? SQ
型号：
IRF6610TR1
仓库库存编号：
IRF6610TR1CT-ND
别名：IRF6610TR1CT
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 17nC @ 4.5V,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 14A DIRECTFET
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 14A（Ta），59A（Tc） 2.3W（Ta），42W（Tc） DIRECTFET? MP
型号：
IRF6637TR1
仓库库存编号：
IRF6637TR1CT-ND
别名：IRF6637TR1CT
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 17nC @ 4.5V,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 54A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 20V 54A（Tc） 3.8W（Ta），71W（Tc） TO-220AB
型号：
IRL3715PBF
仓库库存编号：
IRL3715PBF-ND
别名：*IRL3715PBF
SP001558704
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 17nC @ 4.5V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 54A TO-262
详细描述：通孔 N 沟道 20V 54A（Tc） 3.8W（Ta），71W（Tc） TO-262
型号：
IRL3715LPBF
仓库库存编号：
IRL3715LPBF-ND
别名：*IRL3715LPBF
SP001578548
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 17nC @ 4.5V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 54A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 54A（Tc） 3.8W（Ta），71W（Tc） D2PAK
型号：
IRL3715SPBF
仓库库存编号：
IRL3715SPBF-ND
别名：*IRL3715SPBF
SP001567086
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 17nC @ 4.5V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 54A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 54A（Tc） 3.8W（Ta），71W（Tc） D-Pak
型号：
IRLR3715PBF
仓库库存编号：
IRLR3715PBF-ND
别名：*IRLR3715PBF
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 17nC @ 4.5V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 54A I-PAK
详细描述：通孔 N 沟道 20V 54A（Tc） 3.8W（Ta），71W（Tc） I-Pak
型号：
IRLU3715PBF
仓库库存编号：
IRLU3715PBF-ND
别名：*IRLU3715PBF
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 17nC @ 4.5V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 54A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 54A（Tc） 3.8W（Ta），71W（Tc） D-Pak
型号：
IRLR3715TRLPBF
仓库库存编号：
IRLR3715TRLPBF-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 17nC @ 4.5V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 15A DIRECTFET
详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 15A（Ta），66A（Tc） 2.2W（Ta），42W（Tc） DIRECTFET? SQ
型号：
IRF6610TR1PBF
仓库库存编号：
IRF6610TR1PBFCT-ND
别名：IRF6610TR1PBFCT
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 17nC @ 4.5V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 14A DIRECTFET
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 14A（Ta），55A（Tc） 2.1W（Ta），42W（Tc） DIRECTFET? ST
型号：
IRF6617TR1PBF
仓库库存编号：
IRF6617TR1PBFCT-ND
别名：IRF6617TR1PBFCT
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 17nC @ 4.5V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 16A DIRECTFET
详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 16A（Ta），59A（Tc） 2.3W（Ta），89W（Tc） DIRECTFET? MP
型号：
IRF6633TR1PBF
仓库库存编号：
IRF6633TR1PBFCT-ND
别名：IRF6633TR1PBFCT
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 17nC @ 4.5V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 14A DIRECTFET
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 14A（Ta），59A（Tc） 2.3W（Ta），42W（Tc） DIRECTFET? MP
型号：
IRF6637TR1PBF
仓库库存编号：
IRF6637TR1PBFCT-ND
别名：IRF6637TR1PBFCT
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 17nC @ 4.5V,
无铅
搜索
1
2
3
4
邮箱：
sales@szcwdz.com
Q Q：
800152669
手机网站：
m.szcwdz.com
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
st（意法）简介
|
st产品
|
st动态
|
产品应用
|
st选型手册
Copyright © 2017
www.st-ic.com
All Rights Reserved. 技术支持：
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号
