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Texas Instruments
MOSFET N-CH 30V 12A 8VSON
详细描述:表面贴装 N 沟道 12A(Tc) 2.6W(Ta) 8-SON(3.3x3.3)
型号:
CSD17551Q3A
仓库库存编号:
296-35025-1-ND
别名:296-35025-1
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 7.8nC @ 4.5V,
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 3.9A(Tc) 1.5W(Tc) SOT-23
型号:
TSM2302CX RFG
仓库库存编号:
TSM2302CX RFGTR-ND
别名:TSM2302CX RFGTR
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 7.8nC @ 4.5V,
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 3.9A(Tc) 1.5W(Tc) SOT-23
型号:
TSM2302CX RFG
仓库库存编号:
TSM2302CX RFGCT-ND
别名:TSM2302CX RFGCT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 7.8nC @ 4.5V,
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 3.9A(Tc) 1.5W(Tc) SOT-23
型号:
TSM2302CX RFG
仓库库存编号:
TSM2302CX RFGDKR-ND
别名:TSM2302CX RFGDKR
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 7.8nC @ 4.5V,
无铅
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Texas Instruments
MOSFET 2N-CH
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Common Drain 1.7W Surface Mount 4-Picostar (1.31x1.31)
型号:
CSD85302LT
仓库库存编号:
296-43314-1-ND
别名:296-43314-1
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 7.8nC @ 4.5V,
无铅
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Micro Commercial Co
MOSFET P-CH 12V 6A DFN202
详细描述:表面贴装 P 沟道 6A(Ta) DFN2020-6J
型号:
MCM1206-TP
仓库库存编号:
MCM1206-TPMSCT-ND
别名:MCM1206-TPMSCT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 7.8nC @ 4.5V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 20V 2.2A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 P 沟道 2.2A(Ta) 2W(Ta) 8-SO
型号:
IRF7324D1TRPBF
仓库库存编号:
IRF7324D1PBFCT-ND
别名:*IRF7324D1TRPBF
IRF7324D1PBFCT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 7.8nC @ 4.5V,
无铅
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Texas Instruments
MOSFET N-CH 12V 1.6A
详细描述:表面贴装 N 沟道 1.6A(Ta) 1.8W(Ta) 4-DSBGA
型号:
CSD13302W
仓库库存编号:
CSD13302W-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 7.8nC @ 4.5V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET P-CH 20V SC-74
详细描述:表面贴装 P 沟道 3.2A(Ta) 500mW(Ta),6.25W(Tc) 6-TSOP
型号:
PMN70XPEAX
仓库库存编号:
PMN70XPEAX-ND
别名:934068547115
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 7.8nC @ 4.5V,
无铅
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Texas Instruments
CHANNEL NEXFET POWER MOSFET
详细描述:表面贴装 N 沟道 1.6A(Ta) 1.8W(Ta) 4-DSBGA(1x1)
型号:
CSD13302WT
仓库库存编号:
CSD13302WT-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 7.8nC @ 4.5V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 38A U8FL
详细描述:表面贴装 N 沟道 7.2A(Ta) 780mW(Ta),21.5W(Tc) 8-WDFN(3.3x3.3)
型号:
NTTFS4C13NTWG
仓库库存编号:
NTTFS4C13NTWG-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 7.8nC @ 4.5V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 38A U8FL
详细描述:表面贴装 N 沟道 7.2A(Ta) 780mW(Ta),21.5W(Tc) 8-WDFN(3.3x3.3)
型号:
NTTFS4C13NTAG
仓库库存编号:
NTTFS4C13NTAG-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 7.8nC @ 4.5V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET P-CH 20V 3.2A 6TSOP
详细描述:表面贴装 P 沟道 3.2A(Ta) 500mW(Ta),6.25W(Tc) 6-TSOP
型号:
PMN70XPE,115
仓库库存编号:
1727-1362-1-ND
别名:1727-1362-1
568-10805-1
568-10805-1-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 7.8nC @ 4.5V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET P-CH 20V 3A SOT-23-6
详细描述:表面贴装 P 沟道 20V 3A(Tc) 1.6W(Tc) SOT-23-6
型号:
STT4PF20V
仓库库存编号:
497-3236-1-ND
别名:497-3236-1
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 7.8nC @ 4.5V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET 2P-CH 20V 2.2A 6WDFN
详细描述:Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 2.2A 710mW Surface Mount 6-WDFN (2x2)
型号:
NTLJD3181PZTAG
仓库库存编号:
NTLJD3181PZTAG-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 7.8nC @ 4.5V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET 2P-CH 20V 2.2A 6WDFN
详细描述:Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 2.2A 710mW Surface Mount 6-WDFN (2x2)
型号:
NTLJD3181PZTBG
仓库库存编号:
NTLJD3181PZTBG-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 7.8nC @ 4.5V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET P-CH 20V 2.2A 6-WDFN
详细描述:表面贴装 P 沟道 20V 2.2A(Ta) 710mW(Ta) 6-WDFN(2x2)
型号:
NTLJD3182FZTAG
仓库库存编号:
NTLJD3182FZTAG-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 7.8nC @ 4.5V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET P-CH 20V 2.2A 6-WDFN
详细描述:表面贴装 P 沟道 20V 2.2A(Ta) 710mW(Ta) 6-WDFN(2x2)
型号:
NTLJD3182FZTBG
仓库库存编号:
NTLJD3182FZTBG-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 7.8nC @ 4.5V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 20V 2.2A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 P 沟道 20V 2.2A(Ta) 2W(Ta) 8-SO
型号:
IRF7324D1
仓库库存编号:
IRF7324D1-ND
别名:*IRF7324D1
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 7.8nC @ 4.5V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 20V 2.2A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 P 沟道 20V 2.2A(Ta) 2W(Ta) 8-SO
型号:
IRF7324D1TR
仓库库存编号:
IRF7324D1TR-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 7.8nC @ 4.5V,
含铅
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