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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 20A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20A（Ta） 1.75W（Ta），74W（Tc） DPAK
  
  型号：NTD20N03L27T4G
  仓库库存编号：NTD20N03L27T4GOSCT-ND
  别名：NTD20N03L27T4GOS
  NTD20N03L27T4GOS-ND
  NTD20N03L27T4GOSCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 18.9nC @ 10V,
• 无铅
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• Diodes Incorporated
  MOSFET BVDSS: 41V 60V POWERDI506
  详细描述：表面贴装 N 沟道 10.6A（Ta），31A（Tc） 1.16W（Ta） PowerDI5060-8
  
  型号：DMT6015LPS-13
  仓库库存编号：DMT6015LPS-13DICT-ND
  别名：DMT6015LPS-13DICT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 18.9nC @ 10V,
• 无铅
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• Nexperia USA Inc.
  PSMN3R5-25MLD/MLFPAK/REEL 7 Q
  详细描述：表面贴装 N 沟道 70A（Tc） 65W（Tc） LFPAK56，Power-SO8
  
  型号：PSMN3R5-25MLDX
  仓库库存编号：1727-2502-1-ND
  别名：1727-2502-1
  568-12934-1
  568-12934-1-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 18.9nC @ 10V,
• 无铅
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• Diodes Incorporated
  MOSFET NCH 60V 9.5A POWERDI
  详细描述：表面贴装 N 沟道 9.5A（Ta），35A（Tc） 2.2W（Ta），30W（Tc） PowerDI3333-8
  
  型号：DMT6015LFV-13
  仓库库存编号：DMT6015LFV-13-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 18.9nC @ 10V,
• 无铅
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• Diodes Incorporated
  MOSFET NCH 60V 9.5A POWERDI
  详细描述：表面贴装 N 沟道 9.5A（Ta），35A（Tc） 2.2W（Ta），30W（Tc） PowerDI3333-8
  
  型号：DMT6015LFV-7
  仓库库存编号：DMT6015LFV-7-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 18.9nC @ 10V,
• 无铅
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 25V 22.4A U8FL
  详细描述：表面贴装 N 沟道 22.4A（Ta），94A（Tc） 2.66W（Ta）, 46.3W（Tc） 8-WDFN（3.3x3.3）
  
  型号：NTTFS4H05NTWG
  仓库库存编号：NTTFS4H05NTWG-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 18.9nC @ 10V,
• 无铅
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 25V 22.4A U8FL
  详细描述：表面贴装 N 沟道 25V 22.4A（Ta），94A（Tc） 2.66W（Ta）, 46.3W（Tc） 8-WDFN（3.3x3.3）
  
  型号：NTTFS4H05NTAG
  仓库库存编号：NTTFS4H05NTAG-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 18.9nC @ 10V,
• 无铅
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 20A IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 30V 20A（Ta） 1.75W（Ta），74W（Tc） I-Pak
  
  型号：NTD20N03L27-001
  仓库库存编号：NTD20N03L27-001OS-ND
  别名：NTD20N03L27-001OS
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 18.9nC @ 10V,
• 含铅
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 20A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 20A（Ta） 1.75W（Ta），74W（Tc） DPAK
  
  型号：NTD20N03L27
  仓库库存编号：NTD20N03L27-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 18.9nC @ 10V,
• 含铅
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 20A IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 30V 20A（Ta） 1.75W（Ta），74W（Tc） I-Pak
  
  型号：NTD20N03L27-1G
  仓库库存编号：NTD20N03L27-1G-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 18.9nC @ 10V,
• 无铅
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 20A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 20A（Ta） 1.75W（Ta），74W（Tc） DPAK
  
  型号：NVD20N03L27T4G
  仓库库存编号：NVD20N03L27T4G-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 18.9nC @ 10V,
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