以下搜索结果

• 参考图片
• 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
• PDF
• 操作

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 200V 1.9A DPAK
  详细描述：表面贴装 P 沟道 1.9A（Tc） 2.5W（Ta），25W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRFR9210TRPBF
  仓库库存编号：IRFR9210PBFCT-ND
  别名：*IRFR9210TRPBF
  IRFR9210PBFCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 8.9nC @ 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Rohm Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 7A HSMT8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 7A（Ta） 2W（Ta） 8-HSMT（3.2x3）
  
  型号：RQ3E070BNTB
  仓库库存编号：RQ3E070BNTBCT-ND
  别名：RQ3E070BNTBCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 8.9nC @ 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 200V 0.4A 4-DIP
  详细描述：通孔 P 沟道 400mA（Ta） 1W（Ta） 4-DIP，Hexdip，HVMDIP
  
  型号：IRFD9210PBF
  仓库库存编号：IRFD9210PBF-ND
  别名：*IRFD9210PBF
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 8.9nC @ 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Rohm Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 7A 8-HUML
  详细描述：表面贴装 N 沟道 7A（Ta） 2W（Ta） HUML2020L8
  
  型号：RF4E070BNTR
  仓库库存编号：RF4E070BNTRCT-ND
  别名：RF4E070BNTRCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 8.9nC @ 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CHAN 30V SOT23
  详细描述：表面贴装 N 沟道 4A（Ta）, 5.3A（Tc） 960mW（Ta），1.7W（Tc） SOT-23-3（TO-236）
  
  型号：SI2372DS-T1-GE3
  仓库库存编号：SI2372DS-T1-GE3CT-ND
  别名：SI2372DS-T1-GE3CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 8.9nC @ 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 200V 1.9A I-PAK
  详细描述：通孔 P 沟道 200V 1.9A（Tc） 2.5W（Ta），25W（Tc） TO-251AA
  
  型号：IRFU9210PBF
  仓库库存编号：IRFU9210PBF-ND
  别名：*IRFU9210PBF
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 8.9nC @ 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Diodes Incorporated
  MOSFET 2N-CH 55V 2.6A 8SOIC
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 55V 2.6A 1.7W Surface Mount 8-SO
  
  型号：HTMN5130SSD-13
  仓库库存编号：HTMN5130SSD-13DITR-ND
  别名：HTMN5130SSD-13DI
  HTMN5130SSD-13DI-ND
  HTMN5130SSD-13DITR
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 8.9nC @ 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 200V 0.4A 4-DIP
  详细描述：通孔 P 沟道 200V 400mA（Ta） 1W（Ta） 4-DIP，Hexdip，HVMDIP
  
  型号：IRFD9210
  仓库库存编号：IRFD9210-ND
  别名：*IRFD9210
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 8.9nC @ 10V,
• 含铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 200V 1.9A DPAK
  详细描述：表面贴装 P 沟道 200V 1.9A（Tc） 2.5W（Ta），25W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRFR9210
  仓库库存编号：IRFR9210-ND
  别名：*IRFR9210
  Q943762
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 8.9nC @ 10V,
• 含铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 200V 1.9A DPAK
  详细描述：表面贴装 P 沟道 200V 1.9A（Tc） 2.5W（Ta），25W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRFR9210TR
  仓库库存编号：IRFR9210TR-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 8.9nC @ 10V,
• 含铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 200V 1.9A I-PAK
  详细描述：通孔 P 沟道 200V 1.9A（Tc） 2.5W（Ta），25W（Tc） TO-251AA
  
  型号：IRFU9210
  仓库库存编号：IRFU9210-ND
  别名：*IRFU9210
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 8.9nC @ 10V,
• 含铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 200V 1.9A DPAK
  详细描述：表面贴装 P 沟道 200V 1.9A（Tc） 2.5W（Ta），25W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRFR9210TRL
  仓库库存编号：IRFR9210TRL-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 8.9nC @ 10V,
• 含铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 200V 1.9A DPAK
  详细描述：表面贴装 P 沟道 200V 1.9A（Tc） 2.5W（Ta），25W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRFR9210TRR
  仓库库存编号：IRFR9210TRR-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 8.9nC @ 10V,
• 含铅
• 搜索