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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 150V 26A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 26A（Tc） 63W（Tc） TO-252，（D-Pak）
  
  型号：FDD390N15A
  仓库库存编号：FDD390N15ACT-ND
  别名：FDD390N15ACT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 18.6nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 150V 27A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 27A（Tc） 75W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
  
  型号：FDB390N15A
  仓库库存编号：FDB390N15ACT-ND
  别名：FDB390N15ACT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 18.6nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 150V 15A TO-220F
  详细描述：通孔 N 沟道 15A（Tc） 22W（Tc） TO-220F-3
  
  型号：FDPF390N15A
  仓库库存编号：FDPF390N15A-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 18.6nC @ 10V,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH 40V 6A TO-252-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 6A（Ta） 1.71W（Ta） TO-252-3
  
  型号：DMN4040SK3-13
  仓库库存编号：DMN4040SK3-13DICT-ND
  别名：DMN4040SK3-13DICT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 18.6nC @ 10V,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET 2N-CH 40V 5.2A 8SO
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 40V 5.2A 1.42W Surface Mount 8-SO
  
  型号：DMN4031SSD-13
  仓库库存编号：DMN4031SSD-13DICT-ND
  别名：DMN4031SSD-13DICT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 18.6nC @ 10V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 44A U8FL
  详细描述：表面贴装 N 沟道 8.2A（Ta），44A（Tc） 790mW（Ta）, 23.6W（Tc） 8-WDFN（3.3x3.3）
  
  型号：NTTFS4C10NTWG
  仓库库存编号：NTTFS4C10NTWG-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 18.6nC @ 10V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V SO8FL
  详细描述：表面贴装 N 沟道 15A（Ta），46A（Tc） 2.49W（Ta），23.6W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
  
  型号：NTMFS4C029NT3G
  仓库库存编号：NTMFS4C029NT3G-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 18.6nC @ 10V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 8.2A SO8FL
  详细描述：表面贴装 N 沟道 16.4A（Ta），46A（Tc） 2.51W（Ta），23.6W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
  
  型号：NTMFS4C10NBT3G
  仓库库存编号：NTMFS4C10NBT3G-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 18.6nC @ 10V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 8.2A SO8FL
  详细描述：表面贴装 N 沟道 16.4A（Ta），46A（Tc） 2.51W（Ta），23.6W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
  
  型号：NTMFS4C10NAT3G
  仓库库存编号：NTMFS4C10NAT3G-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 18.6nC @ 10V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 8.2A SO8FL
  详细描述：表面贴装 N 沟道 16.4A（Ta），46A（Tc） 2.51W（Ta），23.6W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
  
  型号：NTMFS4C10NBT1G
  仓库库存编号：NTMFS4C10NBT1G-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 18.6nC @ 10V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 44A U8FL
  详细描述：表面贴装 N 沟道 8.2A（Ta），44A（Tc） 790mW（Ta）, 23.6W（Tc） 8-WDFN（3.3x3.3）
  
  型号：NTTFS4C10NTAG
  仓库库存编号：NTTFS4C10NTAG-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 18.6nC @ 10V,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET 2N-CH 40V 5.2A 8SOIC
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 40V 5.2A 1.42W Surface Mount 8-SO
  
  型号：DMN4031SSDQ-13
  仓库库存编号：DMN4031SSDQ-13DI-ND
  别名：DMN4031SSDQ-13DI
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 18.6nC @ 10V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V SO8FL
  详细描述：表面贴装 N 沟道 15A（Ta），46A（Tc） 2.49W（Ta），23.6W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
  
  型号：NTMFS4C029NT1G
  仓库库存编号：NTMFS4C029NT1G-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 18.6nC @ 10V,
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET N-CH 200V 5A TO-220FN
  详细描述：通孔 N 沟道 200V 5A（Ta） 30W（Tc） TO-220FN
  
  型号：RDN050N20FU6
  仓库库存编号：RDN050N20FU6-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 18.6nC @ 10V,
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• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH 30V 6TSOP
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 6.7A（Tj） 545mW（Ta） 6-TSOP
  
  型号：PMN20EN,115
  仓库库存编号：568-8416-1-ND
  别名：568-8416-1
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 18.6nC @ 10V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 8.2A SO8FL
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 8.2A（Ta），46A（Tc） 750mW（Ta） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
  
  型号：NTMFS4C10NT1G-001
  仓库库存编号：NTMFS4C10NT1G-001-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 18.6nC @ 10V,
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