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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 90A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 90A(Tc) 94W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD036N04L G
仓库库存编号:
IPD036N04L GCT-ND
别名:IPD036N04L GCT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 78nC @ 10V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 800V 4.1A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 4.1A(Tc) 125W(Tc) TO-220AB
型号:
IRFBE30PBF
仓库库存编号:
IRFBE30PBF-ND
别名:*IRFBE30PBF
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 78nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 800V 4.1A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 4.1A(Tc) 125W(Tc) D2PAK
型号:
IRFBE30SPBF
仓库库存编号:
IRFBE30SPBF-ND
别名:*IRFBE30SPBF
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 78nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 250V 50A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 50A(Tc) 400W(Tc) TO-220AB
型号:
IXTP50N25T
仓库库存编号:
IXTP50N25T-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 78nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 15A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 15A(Tc) 180W(Tc) TO-220AB
型号:
SIHP15N60E-E3
仓库库存编号:
SIHP15N60E-E3-ND
别名:SIHP15N60EE3
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 78nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 15A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 15A(Tc) 180W(Tc) D2PAK
型号:
SIHB15N60E-GE3
仓库库存编号:
SIHB15N60E-GE3-ND
别名:SIHB15N60EGE3
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 78nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 900V 1.9A TO220FP
详细描述:通孔 N 沟道 1.9A(Tc) 35W(Tc) TO-220-3
型号:
IRFIBF30GPBF
仓库库存编号:
IRFIBF30GPBF-ND
别名:*IRFIBF30GPBF
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 78nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 15A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 15A(Tc) 180W(Tc) TO-220AB
型号:
SIHP15N60E-GE3
仓库库存编号:
SIHP15N60E-GE3-ND
别名:SIHP15N60E-GE3TR
SIHP15N60E-GE3TR-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 78nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 15A TO220 FULLP
详细描述:通孔 N 沟道 15A(Tc) 34W(Tc) TO-220 整包
型号:
SIHF15N60E-GE3
仓库库存编号:
SIHF15N60E-GE3-ND
别名:SIHF15N60E-GE3TR
SIHF15N60E-GE3TR-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 78nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 15A TO220 FULLP
详细描述:通孔 N 沟道 15A(Tc) 34W(Tc) TO-220 整包
型号:
SIHF15N60E-E3
仓库库存编号:
SIHF15N60E-E3-ND
别名:SIHF15N60EE3
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 78nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 15A TO247AC
详细描述:通孔 N 沟道 15A(Tc) 180W(Tc) TO-247AC
型号:
SIHG15N60E-GE3
仓库库存编号:
SIHG15N60E-GE3-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 78nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 800V 4.1A TO-247AC
详细描述:通孔 N 沟道 4.1A(Tc) 125W(Tc) TO-247-3
型号:
IRFPE30PBF
仓库库存编号:
IRFPE30PBF-ND
别名:*IRFPE30PBF
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 78nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 650V 20.6A TO247
详细描述:通孔 N 沟道 20.6A(Tc) 208W(Tc) TO-247 长引线
型号:
FCH190N65F_F155
仓库库存编号:
FCH190N65F_F155-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 78nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 650V 44A TO220F
详细描述:通孔 N 沟道 44A(Tc) 46W(Tc) TO-220F
型号:
FCPF067N65S3
仓库库存编号:
FCPF067N65S3-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 78nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 650V 44A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 44A(Tc) 312W(Tc) D2PAK(TO-263AB)
型号:
FCB070N65S3
仓库库存编号:
FCB070N65S3CT-ND
别名:FCB070N65S3CT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 78nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 650V 44A TO247
详细描述:通孔 N 沟道 44A(Tc) 312W(Tc) TO-247 长引线
型号:
FCH067N65S3_F155
仓库库存编号:
FCH067N65S3_F155-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 78nC @ 10V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 30V 90A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 90A(Tc) 158W(Tc) DPAK
型号:
BUK624R5-30C,118
仓库库存编号:
1727-5512-1-ND
别名:1727-5512-1
568-6991-1
568-6991-1-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 78nC @ 10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 12.5A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 12.5A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
SI4420DYTRPBF
仓库库存编号:
SI4420DYPBFCT-ND
别名:*SI4420DYTRPBF
SI4420DYPBFCT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 78nC @ 10V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 800V 2.1A TO220FP
详细描述:通孔 N 沟道 2.1A(Tc) 35W(Tc) TO-220-3
型号:
IRFIBE30GPBF
仓库库存编号:
IRFIBE30GPBF-ND
别名:*IRFIBE30GPBF
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 78nC @ 10V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 80A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 80A(Tc) 94W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
IPP039N04LGXKSA1
仓库库存编号:
IPP039N04LGXKSA1-ND
别名:IPP039N04L G
IPP039N04L G-ND
IPP039N04LG
SP000680782
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 78nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 200V 31A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 31A(Tc) 180W(Tc) TO-220AB
型号:
FQP34N20
仓库库存编号:
FQP34N20-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 78nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 42A TO247
详细描述:通孔 N 沟道 42A(Tc) 830W(Tc) TO-247AD(IXFH)
型号:
IXFH42N60P3
仓库库存编号:
IXFH42N60P3-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 78nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 800V 4.1A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 4.1A(Tc) 125W(Tc) I2PAK
型号:
IRFBE30LPBF
仓库库存编号:
IRFBE30LPBF-ND
别名:*IRFBE30LPBF
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 78nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 200V 31A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 31A(Tc) 3.13W(Ta),180W(Tc) D2PAK(TO-263AB)
型号:
FQB34N20TM_AM002
仓库库存编号:
FQB34N20TM_AM002CT-ND
别名:FQB34N20TM_AM002CT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 78nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 20V 50A POLARPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 50A(Tc) 5.2W(Ta),104W(Tc) 10-PolarPAK?(S)
型号:
SIE822DF-T1-GE3
仓库库存编号:
SIE822DF-T1-GE3CT-ND
别名:SIE822DF-T1-GE3CT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 78nC @ 10V,
无铅
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