品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 44nC @ 4.5V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 19A DIRECTFET
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 19A(Ta),106A(Tc) 2.8W(Ta),89W(Tc) DIRECTFET? MX
型号:
IRF6616TR1
仓库库存编号:
IRF6616TR1CT-ND
别名:IRF6616TR1CT
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 44nC @ 4.5V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 110A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 20V 110A(Tc) 3.1W(Ta),120W(Tc) TO-220AB
型号:
IRF3711PBF
仓库库存编号:
IRF3711PBF-ND
别名:*IRF3711PBF
SP001561720
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 44nC @ 4.5V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 110A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 20V 110A(Tc) 3.1W(Ta),120W(Tc) TO-262
型号:
IRF3711LPBF
仓库库存编号:
IRF3711LPBF-ND
别名:*IRF3711LPBF
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 44nC @ 4.5V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 20V 24A D2PAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 20V 24A(Tc) 75W(Tc) D2PAK
型号:
IRL5602SPBF
仓库库存编号:
IRL5602SPBF-ND
别名:*IRL5602SPBF
SP001572782
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 44nC @ 4.5V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 54A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 30V 54A(Tc) 2W(Ta),70W(Tc) TO-220AB
型号:
IRL3103D2PBF
仓库库存编号:
IRL3103D2PBF-ND
别名:*IRL3103D2PBF
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 44nC @ 4.5V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 100A I-PAK
详细描述:通孔 N 沟道 20V 100A(Tc) 2.5W(Ta),120W(Tc) IPAK(TO-251)
型号:
IRFU3711PBF
仓库库存编号:
IRFU3711PBF-ND
别名:*IRFU3711PBF
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 44nC @ 4.5V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 19A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 19A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
IRF7834PBF
仓库库存编号:
IRF7834PBF-ND
别名:SP001565546
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 44nC @ 4.5V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 100A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 100A(Tc) 2.5W(Ta),120W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR3711PBF
仓库库存编号:
IRFR3711PBF-ND
别名:SP001552178
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 44nC @ 4.5V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 100A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 100A(Tc) 2.5W(Ta),120W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR3711TRRPBF
仓库库存编号:
IRFR3711TRRPBF-ND
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 44nC @ 4.5V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 110A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 110A(Tc) 3.1W(Ta),120W(Tc) D2PAK
型号:
IRF3711STRLPBF
仓库库存编号:
IRF3711STRLPBFCT-ND
别名:IRF3711STRLPBFCT
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 44nC @ 4.5V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 20V 24A D2PAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 20V 24A(Tc) 75W(Tc) D2PAK
型号:
IRL5602STRRPBF
仓库库存编号:
IRL5602STRRPBF-ND
别名:SP001576450
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 44nC @ 4.5V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 29A DIRECTFET
详细描述:表面贴装 N 沟道 25V 29A(Ta),166A(Tc) 2.8W(Ta),89W(Tc) DIRECTFET? MX
型号:
IRF6714MTR1PBF
仓库库存编号:
IRF6714MTR1PBFCT-ND
别名:IRF6714MTR1PBFCT
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 44nC @ 4.5V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 20V 24A D2PAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 20V 24A(Tc) 75W(Tc) D2PAK
型号:
IRL5602STRLPBF
仓库库存编号:
IRL5602STRLPBF-ND
别名:SP001573916
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 44nC @ 4.5V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 19A DIRECTFET
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 19A(Ta),106A(Tc) 2.8W(Ta),89W(Tc) DIRECTFET? MX
型号:
IRF6616TR1PBF
仓库库存编号:
IRF6616TR1PBFCT-ND
别名:IRF6616TR1PBFCT
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 19A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 19A(Ta) 2.5W
型号:
62-0136PBF
仓库库存编号:
62-0136PBF-ND
别名:SP001562150
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 44nC @ 4.5V,
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