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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 25V 100A LFPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Tc） 215W（Tc） LFPAK56，Power-SO8
  
  型号：PSMN1R1-25YLC,115
  仓库库存编号：1727-5296-1-ND
  别名：1727-5296-1
  568-6726-1
  568-6726-1-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 83nC @ 10V,
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  无铅
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• IXYS
  MOSFET N-CH 1000V 14A TO-247AD
  详细描述：通孔 N 沟道 14A（Tc） 500W（Tc） TO-247AD（IXFH）
  
  型号：IXFH14N100Q2
  仓库库存编号：IXFH14N100Q2-ND
  别名：608166
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 83nC @ 10V,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET NCH 40V 100A TO252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 100A（Tc） 3.9W（Ta）, 180W（Tc） TO-252-4L
  
  型号：DMTH4004LK3Q-13
  仓库库存编号：DMTH4004LK3Q-13DICT-ND
  别名：DMTH4004LK3Q-13DICT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 83nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 600V 20A POWERPAK8X8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20A（Tc） 104W（Tc） PowerPAK? 8 x 8
  
  型号：SIHH21N60E-T1-GE3
  仓库库存编号：SIHH21N60E-T1-GE3CT-ND
  别名：SIHH21N60E-T1-GE3CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 83nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 650V 27A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 27A（Tc） 160W（Tc） D2PAK
  
  型号：STB35N65M5
  仓库库存编号：497-10565-1-ND
  别名：497-10565-1
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 83nC @ 10V,
• 无铅
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 650V 27A I2PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 27A（Tc） 160W（Tc） I2PAK
  
  型号：STI35N65M5
  仓库库存编号：497-11332-5-ND
  别名：497-11332-5
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 83nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 650V 27A TO-220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 27A（Tc） 40W（Tc） TO-220FP
  
  型号：STF35N65M5
  仓库库存编号：497-11397-5-ND
  别名：497-11397-5
  STF35N65M5-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 83nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 650V 27A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 27A（Tc） 160W（Tc） TO-247-3
  
  型号：STW35N65M5
  仓库库存编号：497-11000-5-ND
  别名：497-11000-5
  STW35N65M5-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 83nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 30V 50A TO252
  详细描述：表面贴装 P 沟道 50A（Tc） 71W（Tc）
  
  型号：SQD45P03-12_GE3
  仓库库存编号：SQD45P03-12_GE3CT-ND
  别名：SQD45P03-12_GE3CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 83nC @ 10V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 40V 90A ATPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 90A（Ta） 60W（Tc） ATPAK
  
  型号：ATP208-TL-H
  仓库库存编号：869-1083-1-ND
  别名：869-1083-1
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 83nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 100V 13A
  详细描述：表面贴装 N 沟道 13A（Ta），72A（Tc） 3.2W（Ta），113W（Tc） 8-Dual Cool?88
  
  型号：FDMT800152DC
  仓库库存编号：FDMT800152DCCT-ND
  别名：FDMT800152DCCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 83nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 40V 100A 8TDFN
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Tc） 115W（Tc） PG-TDSON-8
  
  型号：IPC100N04S51R7ATMA1
  仓库库存编号：IPC100N04S51R7ATMA1CT-ND
  别名：IPC100N04S51R7ATMA1CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 83nC @ 10V,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 75A（Tc） 272W（Tc） SOT-426
  
  型号：BUK714R1-40BT,118
  仓库库存编号：568-9632-1-ND
  别名：568-9632-1
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 83nC @ 10V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 250V 44A ISO TO247
  详细描述：通孔 N 沟道 44A（Tc） 104W（Tc） TO-247（IXFJ）
  
  型号：IXFJ80N25X3
  仓库库存编号：IXFJ80N25X3-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 83nC @ 10V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 250V 80A TO247
  详细描述：通孔 N 沟道 80A（Tc） 390W（Tc） TO-247（IXFH）
  
  型号：IXFH80N25X3
  仓库库存编号：IXFH80N25X3-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 83nC @ 10V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 60V 64A SO8FL
  详细描述：表面贴装 P 沟道 10A（Ta），64A（Tc） 3.8W（Ta）, 150W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
  
  型号：NVMFS5113PLT1G
  仓库库存编号：NVMFS5113PLT1GOSCT-ND
  别名：NVMFS5113PLT1GOSCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 83nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  N-CHANNEL 25-V (D-S) MOSFET
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60A（Tc） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SIRA32DP-T1-RE3
  仓库库存编号：SIRA32DP-T1-RE3CT-ND
  别名：SIRA32DP-T1-RE3CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 83nC @ 10V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 250V 80A TO220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 80A（Tc） 390W（Tc） TO-220AB（IXFP）
  
  型号：IXFP80N25X3
  仓库库存编号：IXFP80N25X3-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 83nC @ 10V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 250V 80A TO263AA
  详细描述：表面贴装 N 沟道 80A（Tc） 390W（Tc） TO-263AA
  
  型号：IXFA80N25X3
  仓库库存编号：IXFA80N25X3-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 83nC @ 10V,
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• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 30V 34A 8HVSON
  详细描述：表面贴装 N 沟道 34A（Tc） 1.5W（Ta） 8-HWSON（3.3x3.3）
  
  型号：UPA2822T1L-E1-AT
  仓库库存编号：UPA2822T1L-E1-AT-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 83nC @ 10V,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET NCH 40V 100A TO252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Tc） 3.9W（Ta）, 180W（Tc） TO-252-4L
  
  型号：DMTH4004LK3-13
  仓库库存编号：DMTH4004LK3-13-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 83nC @ 10V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET P-CH 40V 40A DPAK-3
  详细描述：表面贴装 P 沟道 40V 40A（Ta） 68W（Tc） DPAK+
  
  型号：TJ40S04M3L(T6L1,NQ
  仓库库存编号：TJ40S04M3L(T6L1NQ-ND
  别名：TJ40S04M3L(T6L1NQ
  TJ40S04M3LT6L1NQ
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 83nC @ 10V,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 100V 9.5A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 9.5A（Ta），105A（Tc） 2.1W（Ta），333W（Tc） TO-220
  
  型号：AOT418L
  仓库库存编号：AOT418L-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 83nC @ 10V,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 500V 22A TO220F
  详细描述：通孔 N 沟道 22A（Tc） 50W（Tc） TO-220-3F
  
  型号：AOTF22N50
  仓库库存编号：AOTF22N50-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 83nC @ 10V,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH
  详细描述：通孔 N 沟道 22A（Tc） 39W（Tc） TO-220-3F
  
  型号：AOTF22N50L
  仓库库存编号：AOTF22N50L-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 83nC @ 10V,
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