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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 30V 14.5A 8SOIC
详细描述:表面贴装 P 沟道 30V 14.5A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
FDS6673AZ
仓库库存编号:
FDS6673AZ-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 118nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 35A I-PAK
详细描述:通孔 N 沟道 30V 21A(Ta),35A(Tc) 160W(Tc) IPAK(TO-251)
型号:
FDU044AN03L
仓库库存编号:
FDU044AN03L-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 118nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 160A I-PAK
详细描述:通孔 N 沟道 30V 21A(Ta),160A(Tc) 160W(Tc) TO-251
型号:
FDU8870
仓库库存编号:
FDU8870-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 118nC @ 10V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 75A(Tc) 272W(Tc) SOT-426
型号:
BUK7105-40ATE,118
仓库库存编号:
BUK7105-40ATE,118-ND
别名:934057947118
BUK7105-40ATE /T3
BUK7105-40ATE /T3-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 118nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 80A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 60V 80A(Tc) 250W(Tc) PG-TO-220-3
型号:
IPP070N06N G
仓库库存编号:
IPP070N06NGIN-ND
别名:IPP070N06N G-ND
IPP070N06NG
IPP070N06NGIN
IPP070N06NGXK
SP000204186
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 118nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 80A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 60V 80A(Tc) 250W(Tc) PG-TO262-3
型号:
IPI070N06N G
仓库库存编号:
IPI070N06N G-ND
别名:SP000208612
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 118nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 90A TO220-3-1
详细描述:通孔 N 沟道 40V 90A(Tc) 150W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
IPP90N04S402AKSA1
仓库库存编号:
IPP90N04S402AKSA1-ND
别名:IPP90N04S4-02
IPP90N04S4-02-ND
SP000646200
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无铅
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