以下搜索结果

• 参考图片
• 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
• PDF
• 操作

• 
  
• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 150V 18A 8-SOP
  详细描述：表面贴装 N 沟道 18A（Ta） 1.6W（Ta），57W（Tc） 8-SOP Advance（5x5）
  
  型号：TPH3300CNH,L1Q
  仓库库存编号：TPH3300CNHL1QCT-ND
  别名：TPH3300CNH,L1QCT
  TPH3300CNH,L1QCT-ND
  TPH3300CNHL1QCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 10.6nC @ 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH 100V 3.8A POWERDI
  详细描述：表面贴装 N 沟道 3.8A（Ta） 1W（Ta） PowerDI3333-8
  
  型号：DMN10H120SFG-13
  仓库库存编号：DMN10H120SFG-13DICT-ND
  别名：DMN10H120SFG-13DICT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 10.6nC @ 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  MOSFET N-CH 4500V 0.2A TO247HV
  详细描述：通孔 N 沟道 200mA（Tc） 113W（Tc） TO-247HV
  
  型号：IXTH02N450HV
  仓库库存编号：IXTH02N450HV-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 10.6nC @ 10V,
• 不受无铅要求限制
• 搜索

• 
  
• Diodes Incorporated
  MOSFET 2N-CH 30V 6.2A U-DFN2020
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 6.2A 1W Surface Mount U-DFN2020-6 (Type B)
  
  型号：DMN3032LFDBQ-7
  仓库库存编号：DMN3032LFDBQ-7DICT-ND
  别名：DMN3032LFDBQ-7DICT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 10.6nC @ 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Diodes Incorporated
  MOSFET 2N-CH 30V 6.2A UDFN2020-6
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 6.2A 1W Surface Mount U-DFN2020-6 (Type B)
  
  型号：DMN3032LFDB-13
  仓库库存编号：DMN3032LFDB-13-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 10.6nC @ 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Diodes Incorporated
  MOSFET 2N-CH 30V 6.2A UDFN2020-6
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 6.2A 1W Surface Mount U-DFN2020-6 (Type B)
  
  型号：DMN3032LFDB-7
  仓库库存编号：DMN3032LFDB-7-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 10.6nC @ 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Diodes Incorporated
  MOSFET 2NCH 30V 6.2A UDFN2020
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 6.2A (Ta) 1W Surface Mount U-DFN2020-6 (Type B)
  
  型号：DMN3032LFDBQ-13
  仓库库存编号：DMN3032LFDBQ-13-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 10.6nC @ 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  MOSFET N-CH 800V 2A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 2A（Tc） 70W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IXTP2N80P
  仓库库存编号：IXTP2N80P-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 10.6nC @ 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  MOSFET N-CH 800V 2A TO-252AA
  详细描述：表面贴装 N 沟道 2A（Tc） 70W（Tc） TO-252，（D-Pak）
  
  型号：IXTY2N80P
  仓库库存编号：IXTY2N80P-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 10.6nC @ 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  MOSFET N-CH 800V 2A TO-263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 2A（Tc） 70W（Tc） TO-263（IXTA）
  
  型号：IXTA2N80P
  仓库库存编号：IXTA2N80P-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 10.6nC @ 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  MOSFET N-CH TO-251
  详细描述：通孔 N 沟道 2A（Tc） 70W（Tc） TO-251
  
  型号：IXTU2N80P
  仓库库存编号：IXTU2N80P-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 10.6nC @ 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 4.2A 6TSOP
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 4.2A（Tc） 1.25W（Ta），1.5W（Tc） 6-TSOP
  
  型号：SI3454CDV-T1-E3
  仓库库存编号：SI3454CDV-T1-E3-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 10.6nC @ 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 4.2A 6TSOP
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 4.2A（Tc） 1.25W（Ta），1.5W（Tc） 6-TSOP
  
  型号：SI3454CDV-T1-GE3
  仓库库存编号：SI3454CDV-T1-GE3-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 10.6nC @ 10V,
• 无铅
• 搜索