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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 30V 5.8A SOT-23
详细描述:表面贴装 N 沟道 5.8A(Ta) 720mW(Ta) SOT-23-3
型号:
DMN3404L-7
仓库库存编号:
DMN3404LDICT-ND
别名:DMN3404LDICT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 9.2nC @ 10V,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 30V 5.3A SOT26
详细描述:表面贴装 N 沟道 5.3A(Ta) 1.12W(Ta) SOT-26
型号:
DMG6402LDM-7
仓库库存编号:
DMG6402LDM-7DICT-ND
别名:DMG6402LDM-7DICT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 9.2nC @ 10V,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 40V 8.5A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 8.5A(Ta) 2.12W(Ta) TO-252-3
型号:
DMN4036LK3-13
仓库库存编号:
DMN4036LK3-13DICT-ND
别名:DMN4036LK3-13DICT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 9.2nC @ 10V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET 2N-CH 60V 15.4A LFPAK
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 15.4A 32W Surface Mount LFPAK56D
型号:
BUK7K52-60EX
仓库库存编号:
1727-1892-1-ND
别名:1727-1892-1
568-11625-1
568-11625-1-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 9.2nC @ 10V,
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 39A(Tc) 33W(Tc) 8-PDFN(5x6)
型号:
TSM120NA03CR RLG
仓库库存编号:
TSM120NA03CR RLGTR-ND
别名:TSM120NA03CR RLGTR
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 9.2nC @ 10V,
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 39A(Tc) 33W(Tc) 8-PDFN(5x6)
型号:
TSM120NA03CR RLG
仓库库存编号:
TSM120NA03CR RLGCT-ND
别名:TSM120NA03CR RLGCT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 9.2nC @ 10V,
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 39A(Tc) 33W(Tc) 8-PDFN(5x6)
型号:
TSM120NA03CR RLG
仓库库存编号:
TSM120NA03CR RLGDKR-ND
别名:TSM120NA03CR RLGDKR
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 9.2nC @ 10V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET 2N-CH 60V 3A 8-SOIC
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 3A 1.4W Surface Mount 8-SOIC
型号:
AO4852
仓库库存编号:
785-1204-1-ND
别名:785-1204-1
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 9.2nC @ 10V,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N/P-CH 30V 8.1A/7A 8SOP
详细描述:Mosfet Array N and P-Channel 30V 8.1A, 7A 2.5W Surface Mount 8-SO
型号:
DMC3032LSD-13
仓库库存编号:
DMC3032LSD-13DICT-ND
别名:DMC3032LSD-13DICT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 9.2nC @ 10V,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT23-6
详细描述:表面贴装 N 沟道 1.6A(Ta) 1.1W(Ta) SOT-26
型号:
ZXMN10B08E6TA
仓库库存编号:
ZXMN10B08E6CT-ND
别名:ZXMN10B08E6CT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 9.2nC @ 10V,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N/P-CH 100V 2A 8-SOIC
详细描述:Mosfet Array N and P-Channel 100V 2A 1.8W Surface Mount 8-SOP
型号:
ZXMC10A816N8TC
仓库库存编号:
ZXMC10A816N8DICT-ND
别名:ZXMC10A816N8DICT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 9.2nC @ 10V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 650V 7A TO252
详细描述:表面贴装 N 沟道 7A(Tc) 89W(Tc) TO-252,(D-Pak)
型号:
AOD7S65
仓库库存编号:
785-1537-1-ND
别名:785-1537-1
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 9.2nC @ 10V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 650V 7A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 7A(Tc) 104W(Tc) TO-220
型号:
AOT7S65L
仓库库存编号:
785-1516-5-ND
别名:AOT7S65L-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 9.2nC @ 10V,
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 60V 3A SOT1220
详细描述:表面贴装 N 沟道 3A(Ta) 1.6W(Ta),15.6W(Tc) 6-DFN2020MD(2x2)
型号:
PMPB85ENEAX
仓库库存编号:
PMPB85ENEAX-ND
别名:934067478115
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 9.2nC @ 10V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 650V 7A TO251A
详细描述:通孔 N 沟道 650V 7A(Tc) 89W(Tc) TO-251A
型号:
AOI7S65
仓库库存编号:
AOI7S65-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 9.2nC @ 10V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 650V 7A TO220F
详细描述:通孔 N 沟道 650V 7A(Tc) 35W(Tc) TO-220-3F
型号:
AOTF7S65
仓库库存编号:
AOTF7S65-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 9.2nC @ 10V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 650V 7A TO262F
详细描述:通孔 N 沟道 650V 7A(Tc) 25W(Tc)
型号:
AOWF7S65
仓库库存编号:
785-1531-5-ND
别名:AOWF7S65-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 9.2nC @ 10V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 650V 7A TO262F
详细描述:通孔 N 沟道 650V 7A(Tc) 104W(Tc) TO-262
型号:
AOW7S65
仓库库存编号:
785-1527-5-ND
别名:AOW7S65-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 9.2nC @ 10V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 650V 7A TO263
详细描述:表面贴装 N 沟道 7A(Tc) 104W(Tc) TO-263(D2Pak)
型号:
AOB7S65L
仓库库存编号:
785-1538-2-ND
别名:AOB7S65L-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 9.2nC @ 10V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N/P-CH 40V 8A TO252-5
详细描述:Mosfet Array N and P-Channel 40V 8A 1.6W, 1.7W Surface Mount TO-252-5
型号:
AOD604
仓库库存编号:
785-1117-1-ND
别名:785-1117-1
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 9.2nC @ 10V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N/P-CH 40V 8A TO252-4
详细描述:Mosfet Array N and P-Channel, Common Drain 40V 8A 1.6W, 1.7W Surface Mount TO-252-4L
型号:
AOD606
仓库库存编号:
785-1118-1-ND
别名:785-1118-1
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 9.2nC @ 10V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 600V 7A TO251
详细描述:通孔 N 沟道 600V 7A(Tc) 89W(Tc) TO-251-3
型号:
AOU7S65
仓库库存编号:
785-1523-5-ND
别名:AOU7S65-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 9.2nC @ 10V,
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Global Power Technologies Group
MOSFET N-CH 500V 2.5A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 500V 2.5A(Tc) 52W(Tc) D-Pak
型号:
GP1M003A050CG
仓库库存编号:
GP1M003A050CG-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 9.2nC @ 10V,
无铅
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Global Power Technologies Group
MOSFET N-CH 500V 2.5A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 500V 2.5A(Tc) 52W(Tc) I-Pak
型号:
GP1M003A050PG
仓库库存编号:
GP1M003A050PG-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 9.2nC @ 10V,
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET 2N-CH 60V 3A 8-SOIC
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 3A 1.4W Surface Mount 8-SO
型号:
AO4852L
仓库库存编号:
AO4852L-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 9.2nC @ 10V,
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