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• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT23
  详细描述：表面贴装 N 沟道 4.2A（Ta） 800mW（Ta） SOT-23-3
  
  型号：DMN2075U-7
  仓库库存编号：DMN2075U-7DICT-ND
  别名：DMN2075U-7DICT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 7nC @ 4.5V,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 30V 5.7A SOT23
  详细描述：表面贴装 N 沟道 5.7A（Ta） 1.4W（Ta） SOT-23-3L
  
  型号：AO3400A
  仓库库存编号：785-1000-1-ND
  别名：785-1000-1
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 7nC @ 4.5V,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT23
  详细描述：表面贴装 N 沟道 4.2A（Ta） 800mW（Ta） SOT-23-3
  
  型号：DMG2302U-7
  仓库库存编号：DMG2302U-7DICT-ND
  别名：DMG2302U-7DICT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 7nC @ 4.5V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET 2P-CH 20V 2.3A SSOT-6
  详细描述：Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 2.3A 700mW Surface Mount SuperSOT?-6
  
  型号：FDC6312P
  仓库库存编号：FDC6312PCT-ND
  别名：FDC6312PCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 7nC @ 4.5V,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N CH 20V 8A DFN 2x2B
  详细描述：表面贴装 N 沟道 8A（Ta） 2.8W（Ta） 6-DFN-EP（2x2）
  
  型号：AON2408
  仓库库存编号：785-1394-1-ND
  别名：785-1394-1
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 7nC @ 4.5V,
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• Texas Instruments
  MOSFET N-CH 30V 87A 8SON
  详细描述：表面贴装 N 沟道 16A（Ta），87A（Tc） 3W（Ta） 8-VSON（5x6）
  
  型号：CSD17302Q5A
  仓库库存编号：296-25854-1-ND
  别名：296-25854-1
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 7nC @ 4.5V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 20V 3.2A 6-TSOP
  详细描述：表面贴装 N 沟道 3.2A（Ta） 1.7W（Ta） Micro6?（TSOP-6）
  
  型号：IRLMS1902TRPBF
  仓库库存编号：IRLMS1902PBFCT-ND
  别名：*IRLMS1902TRPBF
  IRLMS1902PBFCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 7nC @ 4.5V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 12V 2A SC70-6
  详细描述：表面贴装 P 沟道 2A（Ta） 750mW（Ta） SC-70-6
  
  型号：FDG330P
  仓库库存编号：FDG330PCT-ND
  别名：FDG330PCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 7nC @ 4.5V,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET P-CH 20V U-WLB1515-9
  详细描述：表面贴装 P 沟道 4.2A（Ta） 1W（Ta） U-WLB1515-9
  
  型号：DMP2033UCB9-7
  仓库库存编号：DMP2033UCB9-7DICT-ND
  别名：DMP2033UCB9-7DICT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 7nC @ 4.5V,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH 20V 2.8A SOT363
  详细描述：表面贴装 N 沟道 2.8A（Ta） 500mW（Ta） SOT-363
  
  型号：DMN2075UDW-7
  仓库库存编号：DMN2075UDW-7DICT-ND
  别名：DMN2075UDW-7DICT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 7nC @ 4.5V,
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET P-CH 20V 2.5A TSMT3
  详细描述：表面贴装 P 沟道 2.5A（Ta） 1W（Ta） TSMT3
  
  型号：RTR025P02TL
  仓库库存编号：RTR025P02TLCT-ND
  别名：RTR025P02TLCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 7nC @ 4.5V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 24V 6A EFCP
  详细描述：表面贴装 N 沟道 6A（Ta） 1.6W（Ta） EFCP1313-4CC-037
  
  型号：EFC4612R-TR
  仓库库存编号：EFC4612R-TROSCT-ND
  别名：EFC4612R-TROSCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 7nC @ 4.5V,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET 2N-CH 30V 6.9A 8-SOIC
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 6.9A 2W Surface Mount 8-SOIC
  
  型号：AO4800B
  仓库库存编号：785-1053-1-ND
  别名：785-1053-1
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 7nC @ 4.5V,
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET P-CH 20V 2A TUMT3
  详细描述：表面贴装 P 沟道 2A（Ta） 800mW（Ta） TUMT3
  
  型号：RTF020P02TL
  仓库库存编号：RTF020P02TLCT-ND
  别名：RTF020P02TLCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 7nC @ 4.5V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 80V 12.5A 6PQFN
  详细描述：表面贴装 N 沟道 12.5A（Tc） 11.5W（Tc） 6-PQFN（2x2）
  
  型号：IRL80HS120
  仓库库存编号：IRL80HS120CT-ND
  别名：IRL80HS120CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 7nC @ 4.5V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 52V 9A LL DPAK-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 9A（Ta） 1.74W（Ta） DPAK-3
  
  型号：NID9N05ACLT4G
  仓库库存编号：NID9N05ACLT4GOSCT-ND
  别名：NID9N05ACLT4GOSCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 7nC @ 4.5V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 40V 51A 8WDFN
  详细描述：表面贴装 N 沟道 51A（Tc） 38W（Tc） 8-WDFN（3.3x3.3）
  
  型号：NVTFS5C466NLTAG
  仓库库存编号：NVTFS5C466NLTAGOSCT-ND
  别名：NVTFS5C466NLTAGOSCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 7nC @ 4.5V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 40V 51A 8WDFN
  详细描述：表面贴装 N 沟道 51A（Tc） 38W（Tc） 8-WDFN（3.3x3.3）
  
  型号：NVTFS5C466NLWFTAG
  仓库库存编号：NVTFS5C466NLWFTAGOSCT-ND
  别名：NVTFS5C466NLWFTAGOSCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 7nC @ 4.5V,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT23
  详细描述：表面贴装 N 沟道 4.2A（Ta） 800mW（Ta） SOT-23-3
  
  型号：DMG2302UQ-13
  仓库库存编号：DMG2302UQ-13DI-ND
  别名：DMG2302UQ-13DI
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 7nC @ 4.5V,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT23
  详细描述：表面贴装 N 沟道 4.2A（Ta） 800mW（Ta） SOT-23-3
  
  型号：DMG2302UQ-7
  仓库库存编号：DMG2302UQ-7DI-ND
  别名：DMG2302UQ-7DI
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 7nC @ 4.5V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 8TDSON
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 13A（Ta） 2.1W（Ta） PG-TDSON-8
  
  型号：BSZ0994NSATMA1
  仓库库存编号：BSZ0994NSATMA1-ND
  别名：SP001586402
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 7nC @ 4.5V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET P-CH 30V 2.4A SOT23-6
  详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 2.4A（Tc） 1.6W（Tc） SOT-23-6
  
  型号：STT3PF30L
  仓库库存编号：497-8046-1-ND
  别名：497-8046-1
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 7nC @ 4.5V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 52V 2.6A SOT223
  详细描述：表面贴装 N 沟道 52V 2.6A（Ta） 1.69W（Ta） SOT-223
  
  型号：NIF9N05CLT1
  仓库库存编号：NIF9N05CLT1OSCT-ND
  别名：NIF9N05CLT1OSCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 7nC @ 4.5V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 20V 1.5A SC70-6
  详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 1.5A（Ta） 750mW（Ta） SC-70-6
  
  型号：FDG326P
  仓库库存编号：FDG326P-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 7nC @ 4.5V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N/P-CH 20V 6WDFN
  详细描述：Mosfet Array N and P-Channel 20V 2.6A, 2.2A 710mW Surface Mount 6-WDFN (2x2)
  
  型号：NTLJD3183CZTAG
  仓库库存编号：NTLJD3183CZTAG-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 7nC @ 4.5V,
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