品牌:Fairchild/ON Semiconductor,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 53nC @ 10V,
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 80V 48A POWER33
详细描述:表面贴装 N 沟道 14A(Ta),48A(Tc) 2.3W(Ta),54W(Tc) Power33
型号:
FDMC86340
仓库库存编号:
FDMC86340CT-ND
别名:FDMC86340CT
品牌:Fairchild/ON Semiconductor,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 53nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 25A D-PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 25A(Ta) 68W(Ta) TO-252
型号:
FDD3680
仓库库存编号:
FDD3680CT-ND
别名:FDD3680CT
品牌:Fairchild/ON Semiconductor,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 53nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 200V 19A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 19A(Tc) 139W(Tc) TO-220-3
型号:
FQP19N20C
仓库库存编号:
FQP19N20C-ND
品牌:Fairchild/ON Semiconductor,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 53nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 200V 19A TO-220F
详细描述:通孔 N 沟道 19A(Tc) 43W(Tc) TO-220F
型号:
FQPF19N20C
仓库库存编号:
FQPF19N20C-ND
品牌:Fairchild/ON Semiconductor,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 53nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 200V 19A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 19A(Tc) 3.13W(Ta),139W(Tc) D2PAK(TO-263AB)
型号:
FQB19N20CTM
仓库库存编号:
FQB19N20CTMCT-ND
别名:FQB19N20CTMCT
品牌:Fairchild/ON Semiconductor,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 53nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 61A TO-263AB
详细描述:表面贴装 N 沟道 9A(Ta),61A(Tc) 150W(Tc) D2PAK(TO-263AB)
型号:
FDB3652
仓库库存编号:
FDB3652CT-ND
别名:FDB3652CT
品牌:Fairchild/ON Semiconductor,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 53nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 61A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 9A(Ta),61A(Tc) 150W(Tc) TO-220-3
型号:
FDP3652
仓库库存编号:
FDP3652-ND
品牌:Fairchild/ON Semiconductor,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 53nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 150V 4.1A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 150V 4.1A(Ta) 3W(Ta) 8-SO
型号:
FDS2070N3
仓库库存编号:
FDS2070N3CT-ND
别名:FDS2070N3_NLCT
FDS2070N3_NLCT-ND
FDS2070N3CT
品牌:Fairchild/ON Semiconductor,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 53nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 150V 4.1A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 150V 4.1A(Ta) 3W(Ta) 8-SO
型号:
FDS2070N7
仓库库存编号:
FDS2070N7CT-ND
别名:FDS2070N7_NLCT
FDS2070N7_NLCT-ND
FDS2070N7CT
品牌:Fairchild/ON Semiconductor,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 53nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 17.5A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 17.5A(Ta) 3W(Ta) 8-SO
型号:
FDS7082N3
仓库库存编号:
FDS7082N3CT-ND
别名:FDS7082N3_NLCT
FDS7082N3_NLCT-ND
FDS7082N3CT
品牌:Fairchild/ON Semiconductor,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 53nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 61A TO-262AA
详细描述:通孔 N 沟道 100V 9A(Ta),61A(Tc) 150W(Tc) TO-262AA
型号:
FDI3652
仓库库存编号:
FDI3652-ND
品牌:Fairchild/ON Semiconductor,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 53nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 200V 19A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 200V 19A(Tc) 139W(Tc) TO-220-3
型号:
FQP19N20CTSTU
仓库库存编号:
FQP19N20CTSTU-ND
品牌:Fairchild/ON Semiconductor,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 53nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 200V 19A I2PAK
详细描述:通孔 N 沟道 200V 19A(Tc) 3.13W(Ta),139W(Tc) I2PAK
型号:
FQI19N20CTU
仓库库存编号:
FQI19N20CTU-ND
品牌:Fairchild/ON Semiconductor,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 53nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 400V 10A I2PAK
详细描述:通孔 N 沟道 400V 10A(Tc) 3.13W(Ta),134W(Tc) I2PAK
型号:
IRFI740BTU
仓库库存编号:
IRFI740BTU-ND
品牌:Fairchild/ON Semiconductor,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 53nC @ 10V,
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 200V 21.8A TO-3P
详细描述:通孔 N 沟道 200V 21.8A(Tc) 180W(Tc) TO-3PN
型号:
FQA19N20C
仓库库存编号:
FQA19N20C-ND
品牌:Fairchild/ON Semiconductor,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 53nC @ 10V,
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 120V 32A TO-220F
详细描述:通孔 N 沟道 120V 32A(Tc) 50W(Tc) TO-220F
型号:
FQPF32N12V2
仓库库存编号:
FQPF32N12V2-ND
品牌:Fairchild/ON Semiconductor,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 53nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 120V 32A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 120V 32A(Tc) 150W(Tc) TO-220-3
型号:
FQP32N12V2
仓库库存编号:
FQP32N12V2-ND
品牌:Fairchild/ON Semiconductor,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 53nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 120V 32A I2PAK
详细描述:通孔 N 沟道 120V 32A(Tc) 3.75W(Ta),150W(Tc) I2PAK
型号:
FQI32N12V2TU
仓库库存编号:
FQI32N12V2TU-ND
品牌:Fairchild/ON Semiconductor,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 53nC @ 10V,
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 59A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 60V 59A(Tc) 130W(Tc) TO-220AB
型号:
HUF76432P3
仓库库存编号:
HUF76432P3-ND
品牌:Fairchild/ON Semiconductor,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 53nC @ 10V,
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 120V 32A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 120V 32A(Tc) 3.75W(Ta),150W(Tc) D2PAK(TO-263AB)
型号:
FQB32N12V2TM
仓库库存编号:
FQB32N12V2TM-ND
品牌:Fairchild/ON Semiconductor,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 53nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 59A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 60V 59A(Tc) 130W(Tc) TO-220AB
型号:
HUFA76432P3
仓库库存编号:
HUFA76432P3-ND
品牌:Fairchild/ON Semiconductor,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 53nC @ 10V,
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 59A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 59A(Tc) 130W(Tc) D2PAK(TO-263AB)
型号:
HUFA76432S3S
仓库库存编号:
HUFA76432S3S-ND
品牌:Fairchild/ON Semiconductor,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 53nC @ 10V,
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 59A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 59A(Tc) 130W(Tc) D2PAK(TO-263AB)
型号:
HUFA76432S3ST
仓库库存编号:
HUFA76432S3ST-ND
品牌:Fairchild/ON Semiconductor,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 53nC @ 10V,
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 5.2A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 5.2A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
FDS3680
仓库库存编号:
FDS3680-ND
品牌:Fairchild/ON Semiconductor,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 53nC @ 10V,
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 200V 19A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 200V 19A(Tc) 139W(Tc) TO-220-3
型号:
FQP19N20C_F080
仓库库存编号:
FQP19N20C_F080-ND
品牌:Fairchild/ON Semiconductor,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 53nC @ 10V,
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