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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 100V 90A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 13A(Ta),90A(Tc) 2.1W(Ta),267W(Tc) TO-220
型号:
AOT2918L
仓库库存编号:
785-1274-5-ND
别名:785-1274-5
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 53nC @ 10V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 100V 58A TO220F
详细描述:通孔 N 沟道 13A(Ta),58A(Tc) 2.1W(Ta),41W(Tc) TO-220-3F
型号:
AOTF2918L
仓库库存编号:
785-1383-5-ND
别名:785-1383-5
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 53nC @ 10V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 100V 13A TO262
详细描述:通孔 N 沟道 13A(Ta),90A(Tc) 2.1W(Ta),267W(Tc) TO-262
型号:
AOW2918
仓库库存编号:
785-1380-5-ND
别名:785-1380-5
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 53nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 61A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 9A(Ta),61A(Tc) 150W(Tc) TO-220-3
型号:
FDP3652
仓库库存编号:
FDP3652-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 53nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 150V 30A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 30A(Tc) 5.4W(Ta),96W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SI7738DP-T1-E3
仓库库存编号:
SI7738DP-T1-E3-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 53nC @ 10V,
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 28A 8PSOP
详细描述:表面贴装 N 沟道 28A(Ta) 3W(Ta) 8-PSOP
型号:
RMW280N03TB
仓库库存编号:
RMW280N03TBCT-ND
别名:RMW280N03TBCT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 53nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET P-CH 50V 48A TO-220
详细描述:通孔 P 沟道 48A(Tc) 150W(Tc) TO-220AB
型号:
IXTP48P05T
仓库库存编号:
IXTP48P05T-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 53nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET P-CH 50V 48A TO-252
详细描述:表面贴装 P 沟道 48A(Tc) 150W(Tc) TO-252
型号:
IXTY48P05T
仓库库存编号:
IXTY48P05T-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 53nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET P-CH 50V 48A TO-263
详细描述:表面贴装 P 沟道 48A(Tc) 150W(Tc) TO-263(IXTA)
型号:
IXTA48P05T
仓库库存编号:
IXTA48P05T-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 53nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET 2N-CH 8TDSON
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 20A 65W Surface Mount PG-TDSON-8-4
型号:
IPG20N06S4L11ATMA1
仓库库存编号:
IPG20N06S4L11ATMA1-ND
别名:SP000705550
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 53nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET 2N-CH 8TDSON
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 20A 65W Surface Mount PG-TDSON-8-10
型号:
IPG20N06S4L11AATMA1
仓库库存编号:
IPG20N06S4L11AATMA1-ND
别名:SP001200162
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 53nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH TO-252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 80V 90A(Tc) 125W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD046N08N5ATMA1
仓库库存编号:
IPD046N08N5ATMA1-ND
别名:SP001475652
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 53nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 80V TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 80V 80A(Tc) 125W(Tc) PG-TO263-3
型号:
IPB049N08N5ATMA1
仓库库存编号:
IPB049N08N5ATMA1-ND
别名:SP001227052
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 53nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 179A DIRECTFET
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 14A(Ta),68A(Tc) 2.5W(Ta),63W(Tc) DIRECTFET? M4
型号:
AUIRF7648M2TR
仓库库存编号:
AUIRF7648M2TR-ND
别名:SP001521562
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 53nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 7A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 600V 7A(Tc) 125W(Tc) TO-220AB
型号:
STP9NK60ZD
仓库库存编号:
497-4387-5-ND
别名:497-4387-5
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 53nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 7A TO220FP
详细描述:通孔 N 沟道 600V 7A(Tc) 30W(Tc) TO-220FP
型号:
STF9NK60ZD
仓库库存编号:
497-4346-5-ND
别名:497-4346-5
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 53nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 7A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 7A(Tc) 125W(Tc) D2PAK
型号:
STB9NK60ZDT4
仓库库存编号:
497-4325-1-ND
别名:497-4325-1
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 53nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 75V 20A POLARPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 75V 20A(Tc) 5.2W(Tc) PolarPak?
型号:
STK20N75F3
仓库库存编号:
497-8900-1-ND
别名:497-8900-1
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 53nC @ 10V,
无铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 55V 75A I2PAK
详细描述:通孔 N 沟道 55V 75A(Tc) 203W(Tc) I2PAK
型号:
BUK7E07-55B,127
仓库库存编号:
568-5722-5-ND
别名:568-5722
568-5722-5
568-5722-ND
934061495127
BUK7E07-55B,127-ND
BUK7E0755B127
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 53nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 150V 4.1A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 150V 4.1A(Ta) 3W(Ta) 8-SO
型号:
FDS2070N3
仓库库存编号:
FDS2070N3CT-ND
别名:FDS2070N3_NLCT
FDS2070N3_NLCT-ND
FDS2070N3CT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 53nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 150V 4.1A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 150V 4.1A(Ta) 3W(Ta) 8-SO
型号:
FDS2070N7
仓库库存编号:
FDS2070N7CT-ND
别名:FDS2070N7_NLCT
FDS2070N7_NLCT-ND
FDS2070N7CT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 53nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 17.5A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 17.5A(Ta) 3W(Ta) 8-SO
型号:
FDS7082N3
仓库库存编号:
FDS7082N3CT-ND
别名:FDS7082N3_NLCT
FDS7082N3_NLCT-ND
FDS7082N3CT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 53nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 61A TO-262AA
详细描述:通孔 N 沟道 100V 9A(Ta),61A(Tc) 150W(Tc) TO-262AA
型号:
FDI3652
仓库库存编号:
FDI3652-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 53nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 200V 19A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 200V 19A(Tc) 139W(Tc) TO-220-3
型号:
FQP19N20CTSTU
仓库库存编号:
FQP19N20CTSTU-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 53nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 200V 19A I2PAK
详细描述:通孔 N 沟道 200V 19A(Tc) 3.13W(Ta),139W(Tc) I2PAK
型号:
FQI19N20CTU
仓库库存编号:
FQI19N20CTU-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 53nC @ 10V,
无铅
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