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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 400V 10A I2PAK
详细描述:通孔 N 沟道 400V 10A(Tc) 3.13W(Ta),134W(Tc) I2PAK
型号:
IRFI740BTU
仓库库存编号:
IRFI740BTU-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 53nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 200V 21.8A TO-3P
详细描述:通孔 N 沟道 200V 21.8A(Tc) 180W(Tc) TO-3PN
型号:
FQA19N20C
仓库库存编号:
FQA19N20C-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 53nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 120V 32A TO-220F
详细描述:通孔 N 沟道 120V 32A(Tc) 50W(Tc) TO-220F
型号:
FQPF32N12V2
仓库库存编号:
FQPF32N12V2-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 53nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 120V 32A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 120V 32A(Tc) 150W(Tc) TO-220-3
型号:
FQP32N12V2
仓库库存编号:
FQP32N12V2-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 53nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 120V 32A I2PAK
详细描述:通孔 N 沟道 120V 32A(Tc) 3.75W(Ta),150W(Tc) I2PAK
型号:
FQI32N12V2TU
仓库库存编号:
FQI32N12V2TU-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 53nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 59A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 60V 59A(Tc) 130W(Tc) TO-220AB
型号:
HUF76432P3
仓库库存编号:
HUF76432P3-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 53nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 120V 32A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 120V 32A(Tc) 3.75W(Ta),150W(Tc) D2PAK(TO-263AB)
型号:
FQB32N12V2TM
仓库库存编号:
FQB32N12V2TM-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 53nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 59A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 60V 59A(Tc) 130W(Tc) TO-220AB
型号:
HUFA76432P3
仓库库存编号:
HUFA76432P3-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 53nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 59A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 59A(Tc) 130W(Tc) D2PAK(TO-263AB)
型号:
HUFA76432S3S
仓库库存编号:
HUFA76432S3S-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 53nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 59A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 59A(Tc) 130W(Tc) D2PAK(TO-263AB)
型号:
HUFA76432S3ST
仓库库存编号:
HUFA76432S3ST-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 53nC @ 10V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 55V 75A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 55V 75A(Tc) 203W(Tc) TO-220AB
型号:
BUK7507-55B,127
仓库库存编号:
568-5716-5-ND
别名:568-5716
568-5716-5
568-5716-ND
934057706127
BUK7507-55B
BUK7507-55B,127-ND
BUK7507-55B-ND
BUK750755B127
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 53nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 5.2A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 5.2A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
FDS3680
仓库库存编号:
FDS3680-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 53nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 80V 17.3A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 80V 17.3A(Tc) 3.6W(Ta),7.8W(Tc) 8-SO
型号:
SI4110DY-T1-GE3
仓库库存编号:
SI4110DY-T1-GE3CT-ND
别名:SI4110DY-T1-GE3CT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 53nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 200V 19A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 200V 19A(Tc) 139W(Tc) TO-220-3
型号:
FQP19N20C_F080
仓库库存编号:
FQP19N20C_F080-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 53nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 400V 10A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 400V 10A(Tc) 134W(Tc) TO-220-3
型号:
IRF740B
仓库库存编号:
IRF740B-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 53nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 500V 8A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 500V 8A(Tc) 134W(Tc) TO-220-3
型号:
IRF840B
仓库库存编号:
IRF840B-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 53nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N/P-CH 40V 12A/10A DPAK
详细描述:Mosfet Array N and P-Channel 40V 12A, 10A 1.3W Surface Mount TO-252-4L
型号:
FDD8426H
仓库库存编号:
FDD8426H-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 53nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 200V 19A TO-220F
详细描述:通孔 N 沟道 200V 19A(Tc) 43W(Tc) TO-220F-3(Y 型)
型号:
FQPF19N20CYDTU
仓库库存编号:
FQPF19N20CYDTU-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 53nC @ 10V,
无铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 100V 64A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 64A(Tc) 200W(Tc) D2PAK
型号:
BUK7619-100B,118
仓库库存编号:
568-5853-1-ND
别名:568-5853-1
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 53nC @ 10V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 100V 13A TO263
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 13A(Ta),90A(Tc) 2.1W(Ta),267W(Tc) TO-263(D2Pak)
型号:
AOB2918L
仓库库存编号:
785-1330-1-ND
别名:785-1330-1
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 53nC @ 10V,
无铅
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Global Power Technologies Group
MOSFET N-CH 900V 10A TO3PN
详细描述:通孔 N 沟道 900V 10A(Tc) 312W(Tc) TO-3PN
型号:
GP1M010A080N
仓库库存编号:
GP1M010A080N-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 53nC @ 10V,
无铅
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Global Power Technologies Group
MOSFET N-CH 600V 16A TO220F
详细描述:通孔 N 沟道 600V 16A(Tc) 48W(Tc) TO-220F
型号:
GP1M016A060FH
仓库库存编号:
GP1M016A060FH-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 53nC @ 10V,
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Global Power Technologies Group
MOSFET N-CH 800V 9.5A TO220F
详细描述:通孔 N 沟道 800V 9.5A(Tc) 48W(Tc) TO-220F
型号:
GP1M010A080FH
仓库库存编号:
1560-1176-5-ND
别名:1560-1176-1
1560-1176-1-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 53nC @ 10V,
无铅
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Global Power Technologies Group
MOSFET N-CH 800V 9.5A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 800V 9.5A(Tc) 290W(Tc) TO-220
型号:
GP1M010A080H
仓库库存编号:
1560-1177-5-ND
别名:1560-1177-1
1560-1177-1-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 53nC @ 10V,
无铅
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Global Power Technologies Group
MOSFET N-CH 600V 16A TO220F
详细描述:通孔 N 沟道 600V 16A(Tc) 48W(Tc) TO-220F
型号:
GP1M016A060F
仓库库存编号:
1560-1186-5-ND
别名:1560-1186-1
1560-1186-1-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 53nC @ 10V,
无铅
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