规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 56nC @ 4.5V,
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 42A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 42A(Tc) 140W(Tc) D-Pak
型号:
IRLR3114ZTRPBF
仓库库存编号:
IRLR3114ZTRPBFCT-ND
别名:IRLR3114ZTRPBFCT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 56nC @ 4.5V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 40V 8-SOIC
详细描述:表面贴装 P 沟道 11A(Ta) 2.4W(Ta) 8-SOIC
型号:
FDS4675_F085
仓库库存编号:
FDS4675_F085CT-ND
别名:FDS4675_F085CT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 56nC @ 4.5V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET P-CH 20V 14A U8FL
详细描述:表面贴装 P 沟道 20V 9A(Ta) 840mW(Ta) 8-WDFN(3.3x3.3)
型号:
NTTFS3A08PZTWG
仓库库存编号:
NTTFS3A08PZTWGOSCT-ND
别名:NTTFS3A08PZTWGOSCT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 56nC @ 4.5V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 40V 11A 8SOIC
详细描述:表面贴装 P 沟道 11A(Ta) 2.4W(Ta) 8-SO
型号:
FDS4675
仓库库存编号:
FDS4675CT-ND
别名:FDS4675CT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 56nC @ 4.5V,
无铅
搜索
ON Semiconductor
MOSFET P-CH 20V 14A U8FL
详细描述:表面贴装 P 沟道 9A(Ta) 840mW(Ta) 8-WDFN(3.3x3.3)
型号:
NTTFS3A08PZTAG
仓库库存编号:
NTTFS3A08PZTAGOSCT-ND
别名:NTTFS3A08PZTAGOSCT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 56nC @ 4.5V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET NCH 40V 130A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 130A(Tc) 140W(Tc) IPAK(TO-251)
型号:
AUIRLU3114Z
仓库库存编号:
AUIRLU3114Z-ND
别名:SP001516750
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 56nC @ 4.5V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 20V 9.8A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 P 沟道 9.8A(Ta) 1.5W(Ta) 8-SO
型号:
SI4463BDY-T1-E3
仓库库存编号:
SI4463BDY-T1-E3CT-ND
别名:SI4463BDY-T1-E3CT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 56nC @ 4.5V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 20V 9.8A 8SOIC
详细描述:表面贴装 P 沟道 9.8A(Ta) 1.5W(Ta) 8-SO
型号:
SI4463BDY-T1-GE3
仓库库存编号:
SI4463BDY-T1-GE3CT-ND
别名:SI4463BDY-T1-GE3CT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 56nC @ 4.5V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 32A DIRECTFET
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 32A(Ta),150A(Tc) 3.9W(Ta),89W(Tc) DIRECTFET? MX
型号:
IRF6611
仓库库存编号:
IRF6611CT-ND
别名:IRF6611CT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 56nC @ 4.5V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 32A DIRECTFET
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 32A(Ta),150A(Tc) 3.9W(Ta),89W(Tc) DIRECTFET? MX
型号:
IRF6611TR1PBF
仓库库存编号:
IRF6611TR1PBFCT-ND
别名:IRF6611TR1PBFCT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 56nC @ 4.5V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 42A I-PAK
详细描述:通孔 N 沟道 40V 42A(Tc) 140W(Tc) I-Pak
型号:
IRLU3114ZPBF
仓库库存编号:
IRLU3114ZPBF-ND
别名:SP001567310
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 56nC @ 4.5V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 42A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 42A(Tc) 140W(Tc) D-PAK(TO-252AA)
型号:
AUIRLR3114Z
仓库库存编号:
AUIRLR3114Z-ND
别名:SP001517704
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 56nC @ 4.5V,
无铅
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