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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 12V 35A 1212-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 35A(Tc) 3.8W(Ta),52W(Tc) PowerPAK? 1212-8
型号:
SI7102DN-T1-GE3
仓库库存编号:
SI7102DN-T1-GE3CT-ND
别名:SI7102DN-T1-GE3CT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 110nC @ 8V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 12V 40A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 40A(Tc) 4.2W(Ta),36W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SIR492DP-T1-GE3
仓库库存编号:
SIR492DP-T1-GE3CT-ND
别名:SIR492DP-T1-GE3CT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 110nC @ 8V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 12V 35A PPAK 1212-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 35A(Tc) 3.8W(Ta),52W(Tc)
型号:
SI7102DN-T1-E3
仓库库存编号:
SI7102DN-T1-E3CT-ND
别名:SI7102DN-T1-E3CT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 110nC @ 8V,
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