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• Texas Instruments
  MOSFET P-CH 20V 104A 8VSON
  详细描述：表面贴装 P 沟道 104A（Tc） 2.8W（Ta），96W（Tc） 8-VSON（3.3x3.3）
  
  型号：CSD25404Q3T
  仓库库存编号：296-43210-1-ND
  别名：296-43210-1
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 14.1nC @ 4.5V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET P-CH 20V 4A ES6
  详细描述：表面贴装 P 沟道 4A（Ta） 500mW（Ta） ES6
  
  型号：SSM6J212FE,LF
  仓库库存编号：SSM6J212FELFCT-ND
  别名：SSM6J212FE(TE85LFCT
  SSM6J212FE(TE85LFCT-ND
  SSM6J212FELFCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 14.1nC @ 4.5V,
• 
  
  无铅
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