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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 33A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 33A（Tc） 130W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRF540NPBF
  仓库库存编号：IRF540NPBF-ND
  别名：*IRF540NPBF
  64-0092PBF
  64-0092PBF-ND
  SP001561906
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 71nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 33A TO-262
  详细描述：通孔 N 沟道 33A（Tc） 130W（Tc） TO-262
  
  型号：IRF540NLPBF
  仓库库存编号：IRF540NLPBF-ND
  别名：*IRF540NLPBF
  SP001571292
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 71nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 650V 22.5A PWRFLAT8X
  详细描述：表面贴装 N 沟道 3.5A（Ta），22.5A（Tc） 2.8W（Ta），150W（Tc） PowerFlat?（8x8） HV
  
  型号：STL38N65M5
  仓库库存编号：497-13878-1-ND
  别名：497-13878-1
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 71nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 60A（Tc） 5.2W（Ta），69W（Tc） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SIR644DP-T1-GE3
  仓库库存编号：SIR644DP-T1-GE3CT-ND
  别名：SIR644DP-T1-GE3CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 71nC @ 10V,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 80V 100A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 80V 100A（Tc） 210W（Tc） D2PAK
  
  型号：PSMN6R5-80BS,118
  仓库库存编号：1727-7213-1-ND
  别名：1727-7213-1
  568-9704-1
  568-9704-1-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 71nC @ 10V,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 40V TO220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 100A（Tc） 211W（Tc） TO-220AB
  
  型号：PSMN2R8-40PS,127
  仓库库存编号：1727-5894-ND
  别名：1727-5894
  568-7513-5
  568-7513-5-ND
  934063986127
  PSMN2R8-40PS,127-ND
  PSMN2R840PS127
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 71nC @ 10V,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 80V TO220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 100A（Tc） 210W（Tc） TO-220AB
  
  型号：PSMN6R5-80PS,127
  仓库库存编号：1727-5896-ND
  别名：1727-5896
  568-7515-5
  568-7515-5-ND
  934064003127
  PSMN6R5-80PS,127-ND
  PSMN6R580PS127
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 71nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 650V 30A TO-3PF
  详细描述：通孔 N 沟道 30A（Tc） 57W（Tc） TO-3PF
  
  型号：STFW38N65M5
  仓库库存编号：497-15006-5-ND
  别名：497-15006-5
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 71nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 650V 30A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 30A（Tc） 190W（Tc） TO-220
  
  型号：STP38N65M5
  仓库库存编号：497-13112-5-ND
  别名：497-13112-5
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 71nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 650V 30A TO-220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 30A（Tc） 35W（Tc） TO-220FP
  
  型号：STF38N65M5
  仓库库存编号：497-13102-5-ND
  别名：497-13102-5
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 71nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 30V 35A 1212-8
  详细描述：表面贴装 P 沟道 35A（Tc） 3.8W（Ta），52.1W（Tc） PowerPAK? 1212-8
  
  型号：SI7129DN-T1-GE3
  仓库库存编号：SI7129DN-T1-GE3CT-ND
  别名：SI7129DN-T1-GE3CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 71nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 80A POWER56
  详细描述：表面贴装 N 沟道 80A（Tc） 214W（Tj） Power56
  
  型号：FDMS86568_F085
  仓库库存编号：FDMS86568_F085CT-ND
  别名：FDMS86568_F085CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 71nC @ 10V,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH 100V 9.4A
  详细描述：表面贴装 N 沟道 9.4A（Ta），98A（Tc） 1.2W（Ta）, 139W（Tc） PowerDI5060-8
  
  型号：DMT10H010LPS-13
  仓库库存编号：DMT10H010LPS-13DICT-ND
  别名：DMT10H010LPS-13DICT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 71nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60A（Tc） 5W（Ta），69.4W（Tc） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SIJ482DP-T1-GE3
  仓库库存编号：SIJ482DP-T1-GE3CT-ND
  别名：SIJ482DP-T1-GE3CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 71nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 650V 30A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30A（Tc） 190W（Tc） D2PAK
  
  型号：STB38N65M5
  仓库库存编号：497-13086-1-ND
  别名：497-13086-1
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 71nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 32A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 32A（Tc） 130W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRFR3411TRPBF
  仓库库存编号：IRFR3411TRPBFCT-ND
  别名：IRFR3411TRPBFCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 71nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 106A 2WDSON
  详细描述：表面贴装 N 沟道 15A（Ta），106A（Tc） 2.2W（Ta），42W（Tc） MG-WDSON-2，CanPAK M?
  
  型号：BSF024N03LT3GXUMA1
  仓库库存编号：BSF024N03LT3GXUMA1CT-ND
  别名：BSF024N03LT3 GCT
  BSF024N03LT3 GCT-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 71nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 26A TO252-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 90A（Tc） 3W（Ta），167W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD025N06NATMA1
  仓库库存编号：IPD025N06NATMA1CT-ND
  别名：IPD025N06N-ND
  IPD025N06NATMA1CT
  IPD025N06NCT
  IPD025N06NCT-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 71nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 30A TDSON-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30A（Ta），100A（Tc） 2.5W（Ta），139W（Tc） PG-TDSON-8
  
  型号：BSC016N06NSATMA1
  仓库库存编号：BSC016N06NSATMA1CT-ND
  别名：BSC016N06NS
  BSC016N06NS-ND
  BSC016N06NSATMA1CT
  BSC016N06NSCT-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 71nC @ 10V,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH 100V TO220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 98A（Tc） 2W（Ta）, 139W（Tc） TO-220AB
  
  型号：DMT10H010LCT
  仓库库存编号：DMT10H010LCTDI-ND
  别名：DMT10H010LCTDI
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 71nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 33A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 33A（Tc） 130W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRF540NSTRLPBF
  仓库库存编号：IRF540NSTRLPBFCT-ND
  别名：IRF540NSTRLPBFCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 71nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 30V 35A PPAK SO-8
  详细描述：表面贴装 P 沟道 35A（Tc） 4.2W（Ta），35.7W（Tc） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SI7143DP-T1-GE3
  仓库库存编号：SI7143DP-T1-GE3CT-ND
  别名：SI7143DP-T1-GE3CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 71nC @ 10V,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 40V 100A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Tc） 211W（Tc） D2PAK
  
  型号：PSMN2R8-40BS,118
  仓库库存编号：1727-7119-1-ND
  别名：1727-7119-1
  568-9489-1
  568-9489-1-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 71nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 650V 30A TO247-4
  详细描述：通孔 N 沟道 30A（Tc） 190W（Tc）
  
  型号：STW38N65M5-4
  仓库库存编号：STW38N65M5-4-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 71nC @ 10V,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 1000V 12A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 12A（Tc） 298W（Tc） TO-247 [B]
  
  型号：APT10090BLLG
  仓库库存编号：APT10090BLLG-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 71nC @ 10V,
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