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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 100V SO-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 11.5A（Ta），29.5A（Tc） 1.4W（Ta） 8-SO
型号：
DMT10H010LSS-13
仓库库存编号：
DMT10H010LSS-13-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 71nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 800V 16A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 16A（Tc） 460W（Tc） TO-247AD（IXFH）
型号：
IXFH16N80P
仓库库存编号：
IXFH16N80P-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 71nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 800V 16A PLUS220
详细描述：通孔 N 沟道 16A（Tc） 460W（Tc） PLUS220
型号：
IXFV16N80P
仓库库存编号：
IXFV16N80P-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 71nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 800V 16A TO-268
详细描述：表面贴装 N 沟道 16A（Tc） 460W（Tc） TO-268
型号：
IXFT16N80P
仓库库存编号：
IXFT16N80P-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 71nC @ 10V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 1000V 12A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 1000V 12A（Tc） 298W（Tc） TO-247 [B]
型号：
APT10090BFLLG
仓库库存编号：
APT10090BFLLG-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 71nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 8TDSON
详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 80A（Tc） 100W（Tc） PG-TDSON-8-23
型号：
IPC80N04S403ATMA1
仓库库存编号：
IPC80N04S403ATMA1-ND
别名：SP001138828
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 71nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 87A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 56A（Tc） 140W（Tc） D-PAK（TO-252AA）
型号：
AUIRFR3504TRL
仓库库存编号：
AUIRFR3504TRL-ND
别名：SP001520330
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 71nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 650V 30A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 650V 30A（Tc） 190W（Tc） TO-247
型号：
STW38N65M5
仓库库存编号：
497-13124-5-ND
别名：497-13124-5
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无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 10.6A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 10.6A（Ta） 3W（Ta） 8-SO
型号：
FDS5170N7
仓库库存编号：
FDS5170N7CT-ND
别名：FDS5170N7_NLCT
FDS5170N7_NLCT-ND
FDS5170N7CT
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无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 71A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 60V 71A（Tc） 155W（Tc） TO-220AB
型号：
HUFA76437P3
仓库库存编号：
HUFA76437P3-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 71nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 71A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 71A（Tc） 155W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
型号：
HUF76437S3S
仓库库存编号：
HUF76437S3S-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 71nC @ 10V,
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 71A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 71A（Tc） 155W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
型号：
HUFA76437S3S
仓库库存编号：
HUFA76437S3S-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 71nC @ 10V,
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 71A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 71A（Tc） 155W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
型号：
HUFA76437S3ST
仓库库存编号：
HUFA76437S3ST-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 71nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 71A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 71A（Tc） 155W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
型号：
HUF76437S3ST
仓库库存编号：
HUF76437S3ST-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 71nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 800V 9.8A TO-3P
详细描述：通孔 N 沟道 800V 9.8A（Tc） 240W（Tc） TO-3P
型号：
FQA10N80
仓库库存编号：
FQA10N80-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 71nC @ 10V,
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 800V 6.7A TO-3PF
详细描述：通孔 N 沟道 800V 6.7A（Tc） 113W（Tc） TO-3PF
型号：
FQAF10N80
仓库库存编号：
FQAF10N80-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 71nC @ 10V,
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IXYS
MOSFET N-CH 800V 9A ISOPLUS220
详细描述：通孔 N 沟道 800V 9A（Tc） 150W（Tc） ISOPLUS220?
型号：
IXFC16N80P
仓库库存编号：
IXFC16N80P-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 71nC @ 10V,
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IXYS
MOSFET N-CH 800V 16A PLUS220-S
详细描述：表面贴装 N 沟道 800V 16A（Tc） 460W（Tc） PLUS-220SMD
型号：
IXFV16N80PS
仓库库存编号：
IXFV16N80PS-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 71nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 30V 8.1A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 8.1A（Ta） 1.5W（Ta） 8-SO
型号：
SI4825DY-T1-E3
仓库库存编号：
SI4825DY-T1-E3CT-ND
别名：SI4825DY-T1-E3CT
SI4825DYT1E3
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 800V 9.8A TO-3P
详细描述：通孔 N 沟道 800V 9.8A（Tc） 240W（Tc） TO-3P
型号：
FQA10N80_F109
仓库库存编号：
FQA10N80_F109-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 71nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 30V 8.1A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 8.1A（Ta） 1.5W（Ta） 8-SO
型号：
SI4825DY-T1-GE3
仓库库存编号：
SI4825DY-T1-GE3CT-ND
别名：SI4825DY-T1-GE3CT
SI4825DYT1GE3
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 71nC @ 10V,
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 100V 40A TO-263
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 40A（Tc） 1.8W（Ta），120W（Tc） TO-263（D2Pak）
型号：
NP40N10PDF-E1-AY
仓库库存编号：
NP40N10PDF-E1-AY-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 71nC @ 10V,
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 100V 40A MP-25ZP
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 40A（Tc） 1W（Ta），120W（Tc） 8-HSON
型号：
NP40N10YDF-E1-AY
仓库库存编号：
NP40N10YDF-E1-AY-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 71nC @ 10V,
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MOSFET N-CH 100V 33A TO-262
详细描述：通孔 N 沟道 100V 33A（Tc） 130W（Tc） TO-262
型号：
IRF540NL
仓库库存编号：
IRF540NL-ND
别名：*IRF540NL
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 71nC @ 10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 30A I-PAK
详细描述：通孔 N 沟道 40V 30A（Tc） 140W（Tc） IPAK（TO-251）
型号：
IRFU3504PBF
仓库库存编号：
IRFU3504PBF-ND
别名：*IRFU3504PBF
SP001568168
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