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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 30V 100A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 100A(Tc) 103W(Tc) TO-220AB
型号:
PSMN4R3-30PL,127
仓库库存编号:
1727-4266-ND
别名:1727-4266
568-4897-5
568-4897-5-ND
934063918127
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 41.5nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 650V 24A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 24A(Tc) 190W(Tc) TO-220
型号:
STP33N65M2
仓库库存编号:
497-15560-5-ND
别名:497-15560-5
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 41.5nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
N-CHANNEL 650 V, 0.124 OHM TYP.,
详细描述:表面贴装 N 沟道 20A(Tc) 150W(Tc) PowerFlat?(8x8) HV
型号:
STL33N65M2
仓库库存编号:
497-16939-1-ND
别名:497-16939-1
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 41.5nC @ 10V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 30V 100A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 100A(Tc) 103W(Tc) D2PAK
型号:
PSMN4R3-30BL,118
仓库库存编号:
1727-7116-1-ND
别名:1727-7116-1
568-9486-1
568-9486-1-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 41.5nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 650V 24A TO220FP
详细描述:通孔 N 沟道 24A(Tc) 34W(Tc) TO-220FP
型号:
STF33N65M2
仓库库存编号:
497-15535-5-ND
别名:497-15535-5
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 41.5nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 650V 24A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 24A(Tc) 190W(Tc) D2PAK
型号:
STB33N65M2
仓库库存编号:
497-15457-1-ND
别名:497-15457-1
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 41.5nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 650V 24A I2PAK
详细描述:通孔 N 沟道 24A(Tc) 190W(Tc) I2PAK
型号:
STI33N65M2
仓库库存编号:
497-15551-5-ND
别名:497-15551-5
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 41.5nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 900V 4.5A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 900V 4.5A(Tc) 125W(Tc) TO-220AB
型号:
STP5NK90Z
仓库库存编号:
497-4383-5-ND
别名:497-4383-5
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 41.5nC @ 10V,
无铅
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