品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 230nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 100V 38A D2PAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 38A(Tc) 3.1W(Ta),170W(Tc) D2PAK
型号:
IRF5210STRLPBF
仓库库存编号:
IRF5210STRLPBFCT-ND
别名:IRF5210STRLPBFCT
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 230nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 190A D2PAK-7
详细描述:表面贴装 N 沟道 190A(Tc) 380W(Tc) D2PAK
型号:
IRFS4010TRL7PP
仓库库存编号:
IRFS4010TRL7PPCT-ND
别名:IRFS4010TRL7PPCT
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 230nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 135A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 135A(Tc) 200W(Tc) D2PAK
型号:
IRF2805STRLPBF
仓库库存编号:
IRF2805STRLPBFCT-ND
别名:IRF2805STRLPBFCT
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 230nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 75A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 75A(Tc) 330W(Tc) TO-220AB
型号:
IRF2805PBF
仓库库存编号:
IRF2805PBF-ND
别名:*IRF2805PBF
SP001559506
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 230nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 100V 38A TO-262
详细描述:通孔 P 沟道 38A(Tc) 3.1W(Ta),170W(Tc) TO-262
型号:
IRF5210LPBF
仓库库存编号:
IRF5210LPBF-ND
别名:SP001564364
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 230nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 100A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 55V 100A(Tc) 300W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
IPP100N06S2L05AKSA2
仓库库存编号:
IPP100N06S2L05AKSA2-ND
别名:SP001067950
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 230nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 100A TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 100A(Tc) 300W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
IPB100N04S2L03ATMA2
仓库库存编号:
IPB100N04S2L03ATMA2-ND
别名:SP001063640
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 230nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 100A TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 100A(Tc) 300W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
IPB100N06S2L05ATMA2
仓库库存编号:
IPB100N06S2L05ATMA2-ND
别名:SP001067944
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 230nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 80A TO262-3
详细描述:通孔 N 沟道 55V 80A(Tc) 300W(Tc) PG-TO262-3-1
型号:
IPI80N06S2L05AKSA2
仓库库存编号:
IPI80N06S2L05AKSA2-ND
别名:SP001067948
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 230nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 120A D2PAK-7
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 120A(Tc) 230W(Tc) D2PAK(7-Lead)
型号:
AUIRF1405ZS-7P
仓库库存编号:
AUIRF1405ZS-7P-ND
别名:SP001518538
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 230nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 120A
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 120A(Tc) 230W(Tc) D2PAK(7-Lead)
型号:
AUIRF1405ZS-7TRL
仓库库存编号:
AUIRF1405ZS-7TRL-ND
别名:AUIRF1405ZS-7PTRL
AUIRF1405ZS-7PTRL-ND
SP001517288
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 230nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 100V 38A D2PAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 100V 38A(Tc) 3.1W(Ta),170W(Tc) D2PAK
型号:
AUIRF5210STRL
仓库库存编号:
AUIRF5210STRLTR-ND
别名:AUIRF5210STRLTR
SP001519458
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 230nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 75A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 55V 75A(Tc) 330W(Tc) TO-220AB
型号:
AUIRF2805
仓库库存编号:
AUIRF2805-ND
别名:SP001517278
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 230nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 120A D2PAK7
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 120A(Tc) 230W(Tc) D2PAK(7-Lead)
型号:
IRF1405ZS-7P
仓库库存编号:
IRF1405ZS-7P-ND
别名:*IRF1405ZS-7P
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 230nC @ 10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 120A D2PAK7
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 120A(Tc) 230W(Tc) D2PAK(7-Lead)
型号:
IRF1405ZSTRL-7P
仓库库存编号:
IRF1405ZSTRL-7P-ND
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 230nC @ 10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 135A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 55V 135A(Tc) 200W(Tc) TO-262
型号:
IRF2805LPBF
仓库库存编号:
IRF2805LPBF-ND
别名:*IRF2805LPBF
SP001571164
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 230nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 100A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 100A(Tc) 300W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
SPB100N04S2L-03
仓库库存编号:
SPB100N04S2L-03-ND
别名:SP000013712
SPB100N04S2L03T
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 230nC @ 10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 100A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 100A(Tc) 300W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
SPB100N06S2L-05
仓库库存编号:
SPB100N06S2L-05-ND
别名:SP000013714
SPB100N06S2L05T
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 230nC @ 10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 160A D2PAK-7
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 160A(Tc) 300W(Tc) PG-TO263-7-3
型号:
SPB160N04S2L03DTMA1
仓库库存编号:
SPB160N04S2L03DTMA1TR-ND
别名:SP000014639
SPB160N04S2L-03
SPB160N04S2L-03-ND
SPB160N04S2L03T
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 230nC @ 10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 80A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 80A(Tc) 300W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
SPB80N06S2L-05
仓库库存编号:
SPB80N06S2L-05-ND
别名:SP000016352
SPB80N06S2L05T
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 80A I2PAK
详细描述:通孔 N 沟道 55V 80A(Tc) 300W(Tc) PG-TO262-3-1
型号:
SPI80N06S2L-05
仓库库存编号:
SPI80N06S2L-05-ND
别名:SP000016360
SPI80N06S2L05
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含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 100A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 40V 100A(Tc) 300W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
SPP100N04S2L-03
仓库库存编号:
SPP100N04S2L-03-ND
别名:SP000013719
SPP100N04S2L03
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 230nC @ 10V,
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MOSFET N-CH 55V 100A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 55V 100A(Tc) 300W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
SPP100N06S2L-05
仓库库存编号:
SPP100N06S2L-05-ND
别名:SP000013721
SPP100N06S2L05
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 230nC @ 10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 80A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 55V 80A(Tc) 300W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
SPP80N06S2L-05
仓库库存编号:
SPP80N06S2L-05-ND
别名:SP000012474
SPP80N06S2L05
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 230nC @ 10V,
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MOSFET N-CH 55V 120A D2PAK7
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 120A(Tc) 230W(Tc) D2PAK(7-Lead)
型号:
AUXAKF1405ZS-7P
仓库库存编号:
AUXAKF1405ZS-7P-ND
别名:IRF1405ZS-7PPBF
IRF1405ZS-7PPBF-ND
SP001518940
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 230nC @ 10V,
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