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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 90A TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 60V 90A（Tc） 150W（Tc） PG-TO220-3-1
  
  型号：IPP90N06S404AKSA1
  仓库库存编号：IPP90N06S404AKSA1-ND
  别名：IPP90N06S4-04
  IPP90N06S4-04-ND
  SP000379634
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 128nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 100A TO252-3-11
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 100A（Tc） 150W（Tc） PG-TO252-3-11
  
  型号：IPD100N06S403ATMA1
  仓库库存编号：IPD100N06S403ATMA1TR-ND
  别名：IPD100N06S4-03
  IPD100N06S4-03-ND
  SP000415576
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 128nC @ 10V,
• 无铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 90A PG-TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 60V 90A（Tc） 150W（Tc） PG-TO220-3-1
  
  型号：IPP90N06S404AKSA2
  仓库库存编号：IPP90N06S404AKSA2-ND
  别名：SP001028750
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 128nC @ 10V,
• 无铅
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