以下搜索结果

• 参考图片
• 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
• PDF
• 操作

• 
  
• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 75V 100A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Tc） 333W（Tc） D2PAK
  
  型号：BUK764R0-75C,118
  仓库库存编号：1727-5255-1-ND
  别名：1727-5255-1
  568-6579-1
  568-6579-1-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 142nC @ 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 55V 80A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 80A（Tc） 300W（Tc） D2PAK
  
  型号：STB140NF55T4
  仓库库存编号：497-4321-1-ND
  别名：497-4321-1
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 142nC @ 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 650V TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 46A（Tc） 330W（Tc） TO-247
  
  型号：STW62N65M5
  仓库库存编号：497-13890-5-ND
  别名：497-13890-5
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 142nC @ 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH 20V 20A POWERDI5060
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20A（Ta），100A（Tc） 1.5W（Ta） PowerDI5060-8
  
  型号：DMN2005UPS-13
  仓库库存编号：DMN2005UPS-13DICT-ND
  别名：DMN2005UPS-13DICT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 142nC @ 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 40V 180A 2WDSON
  详细描述：表面贴装 N 沟道 36A（Ta），180A（Tc） 2.8W（Ta），89W（Tc） MG-WDSON-2，CanPAK M?
  
  型号：BSB015N04NX3 G
  仓库库存编号：BSB015N04NX3 GCT-ND
  别名：BSB015N04NX3 GCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 142nC @ 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  MOSFET N-CH 250V 82A TO-268
  详细描述：表面贴装 N 沟道 82A（Tc） 500W（Tc） TO-268
  
  型号：IXTT82N25P
  仓库库存编号：IXTT82N25P-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 142nC @ 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 55V 80A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 80A（Tc） 300W（Tc） TO-220AB
  
  型号：STP141NF55
  仓库库存编号：497-7023-5-ND
  别名：497-7023-5
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 142nC @ 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 55V 80A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 80A（Tc） 300W（Tc） D2PAK
  
  型号：STB141NF55
  仓库库存编号：STB141NF55-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 142nC @ 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 55V 80A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 80A（Tc） 300W（Tc） TO-220AB
  
  型号：STP140NF55
  仓库库存编号：497-4370-5-ND
  别名：497-4370-5
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 142nC @ 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  MOSFET N-CH 250V 82A TO-3P
  详细描述：通孔 N 沟道 82A（Tc） 500W（Tc） TO-3P
  
  型号：IXTQ82N25P
  仓库库存编号：IXTQ82N25P-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 142nC @ 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  MOSFET N-CH 250V 82A TO-264
  详细描述：通孔 N 沟道 82A（Tc） 500W（Tc） TO-264（IXTK）
  
  型号：IXTK82N25P
  仓库库存编号：IXTK82N25P-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 142nC @ 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 55V 80A I2PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 55V 80A（Tc） 300W（Tc） I2PAK
  
  型号：STB141NF55-1
  仓库库存编号：STB141NF55-1-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 142nC @ 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH 75V 100A TO220AB-3
  详细描述：通孔 N 沟道 75V 100A（Tc） 333W（Tc） TO-220AB
  
  型号：BUK754R3-75C,127
  仓库库存编号：568-6627-5-ND
  别名：568-6627
  568-6627-5
  568-6627-ND
  934060122127
  BUK754R3-75C,127-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 142nC @ 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH 75V 100A I2PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 75V 100A（Tc） 333W（Tc） I2PAK
  
  型号：BUK7E4R3-75C,127
  仓库库存编号：568-6630-5-ND
  别名：568-6630
  568-6630-5
  568-6630-ND
  934060123127
  BUK7E4R3-75C,127-ND
  BUK7E4R375C127
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 142nC @ 10V,
• 无铅
• 搜索