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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 78A TO220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 78A（Tc） 140W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRLB8743PBF
  仓库库存编号：IRLB8743PBF-ND
  别名：SP001572884
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 54nC @ 4.5V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 78A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 78A（Tc） 140W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRLB4132PBF
  仓库库存编号：IRLB4132PBF-ND
  别名：SP001558130
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 54nC @ 4.5V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 179A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 90A（Tc） 125W（Tc） D-PAK（TO-252AA）
  
  型号：IRFR8314TRPBF
  仓库库存编号：IRFR8314TRPBFCT-ND
  别名：IRFR8314TRPBFCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 54nC @ 4.5V,
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• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 20V 60A LFPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60A（Ta） 30W（Tc） LFPAK
  
  型号：HAT2160H-EL-E
  仓库库存编号：HAT2160H-EL-E-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 54nC @ 4.5V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 13.5A SO-8FL
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 13.5A（Ta） 1.1W（Ta），96.2W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
  
  型号：NTMFS4108NT1G
  仓库库存编号：NTMFS4108NT1GOSCT-ND
  别名：NTMFS4108NT1GOSCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 54nC @ 4.5V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 27A DIRECTFET
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 27A（Ta），150A（Tc） 2.8W（Ta），89W（Tc） DIRECTFET? MX
  
  型号：IRF6724MTR1PBF
  仓库库存编号：IRF6724MTR1PBFCT-ND
  别名：IRF6724MTR1PBFCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 54nC @ 4.5V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 28A DIRECTFET
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 28A（Ta），170A（Tc） 2.8W（Ta），100W（Tc） DIRECTFET? MX
  
  型号：IRF6725MTR1PBF
  仓库库存编号：IRF6725MTR1PBFCT-ND
  别名：IRF6725MTR1PBFCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 54nC @ 4.5V,
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