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• 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 80V 120A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 120A（Tc） 306W（Tc） D2PAK
  
  型号：PSMN3R3-80BS,118
  仓库库存编号：1727-7108-1-ND
  别名：1727-7108-1
  568-9478-1
  568-9478-1-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 111nC @ 10V,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 100V 100A I2PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 100A（Tj） 263W（Tc） I2PAK
  
  型号：PSMN8R5-100ESQ
  仓库库存编号：1727-1054-ND
  别名：1727-1054
  568-10161-5
  568-10161-5-ND
  934067378127
  PSMN8R5100ESQ
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 111nC @ 10V,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 100V 100A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 100A（Tj） 263W（Tc） TO-220AB
  
  型号：PSMN8R5-100PSQ
  仓库库存编号：1727-1053-ND
  别名：1727-1053
  568-10160-5
  568-10160-5-ND
  934067376127
  PSMN8R5100PSQ
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 111nC @ 10V,
• 无铅
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 80V 120A TO220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 120A（Tc） 306W（Tc） TO-220AB
  
  型号：PSMN4R3-80PS,127
  仓库库存编号：1727-5285-ND
  别名：1727-5285
  568-6713
  568-6713-5
  568-6713-5-ND
  568-6713-ND
  934065171127
  PSMN4R380PS127
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 111nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 100V 210A POWER56
  详细描述：表面贴装 N 沟道 210A（Tc） 3.5W（Ta）, 300W（Tc） 8-PSOF
  
  型号：FDBL0240N100
  仓库库存编号：FDBL0240N100CT-ND
  别名：FDBL0240N100CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 111nC @ 10V,
• 无铅
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 100V 24A
  详细描述：表面贴装 N 沟道 24A（Ta），162A（Tc） 3.2W（Ta），156W（Tc） 8-Dual Cool?88
  
  型号：FDMT800100DC
  仓库库存编号：FDMT800100DCCT-ND
  别名：FDMT800100DCCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 111nC @ 10V,
• 无铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 25V 100A PQFN
  详细描述：表面贴装 N 沟道 49A（Ta），100A（Tc） 3.6W（Ta），156W（Tc） 8-PQFN（5x6）
  
  型号：IRFH8201TRPBF
  仓库库存编号：IRFH8201TRPBFCT-ND
  别名：IRFH8201TRPBFCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 111nC @ 10V,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 80V 120A I2PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 120A（Tc） 306W（Tc） I2PAK
  
  型号：PSMN4R3-80ES,127
  仓库库存编号：1727-5280-ND
  别名：1727-5280
  568-6708
  568-6708-5
  568-6708-5-ND
  568-6708-ND
  934065164127
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 111nC @ 10V,
• 无铅
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• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH 108V 100A I2PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 108V 100A（Tj） 263W（Tc） I2PAK
  
  型号：PSMN8R5-108ESQ
  仓库库存编号：568-11432-5-ND
  别名：568-11432-5
  934068134127
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 111nC @ 10V,
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