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ON Semiconductor
MOSFET P-CH 20V 1.8A SOT-23
详细描述:表面贴装 P 沟道 1.8A(Ta) 420mW(Ta) SOT-23-3(TO-236)
型号:
NTR4101PT1G
仓库库存编号:
NTR4101PT1GOSCT-ND
别名:NTR4101PT1GOSCT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 8.5nC @ 4.5V,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 20V 6.5A SOT-23
详细描述:表面贴装 N 沟道 6.5A(Ta) 1.3W(Ta) SOT-23-3
型号:
DMG6968U-7
仓库库存编号:
DMG6968UDICT-ND
别名:DMG6968UDICT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 8.5nC @ 4.5V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 20V 2.7A SC70-6
详细描述:表面贴装 P 沟道 2.7A(Tc) 1.5W(Ta),2.78W(Tc) SC-70-6(SOT-363)
型号:
SI1469DH-T1-E3
仓库库存编号:
SI1469DH-T1-E3CT-ND
别名:SI1469DH-T1-E3CT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 8.5nC @ 4.5V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 20V 6A SOT23
详细描述:表面贴装 N 沟道 6A(Tc) 2W(Tc) TO-236
型号:
SQ2310ES-T1_GE3
仓库库存编号:
SQ2310ES-T1_GE3CT-ND
别名:SQ2310ES-T1-GE3CT
SQ2310ES-T1-GE3CT-ND
SQ2310ES-T1_GE3CT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 8.5nC @ 4.5V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 20V 3.5A 8SOIC
详细描述:表面贴装 P 沟道 3.5A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
FDS9431A
仓库库存编号:
FDS9431ACT-ND
别名:FDS9431ACT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 8.5nC @ 4.5V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET P-CH 20V 1.8A SOT-23-3
详细描述:表面贴装 P 沟道 1.8A(Ta) 420mW(Ta) SOT-23-3(TO-236)
型号:
NTRV4101PT1G
仓库库存编号:
NTRV4101PT1GOSCT-ND
别名:NTRV4101PT1GOSCT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 8.5nC @ 4.5V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 20V 9A MICROFET 1.6
详细描述:表面贴装 N 沟道 9A(Ta) 2.1W(Ta) MicroFet 1.6x1.6 薄型
型号:
FDME820NZT
仓库库存编号:
FDME820NZTCT-ND
别名:FDME820NZTCT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 8.5nC @ 4.5V,
无铅
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Rohm Semiconductor
-20V PCH+PCH POWER MOSFET
详细描述:Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 3A 2W Surface Mount HUML2020L8
型号:
UT6J3TCR
仓库库存编号:
UT6J3TCRCT-ND
别名:UT6J3TCRCT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 8.5nC @ 4.5V,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET 2N-CH 20V 6.8A POWERDI
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Common Drain 20V 6.8A 1.1W Surface Mount PowerDI3030-8
型号:
DMN2028UFDH-7
仓库库存编号:
DMN2028UFDH-7DICT-ND
别名:DMN2028UFDH-7DICT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 8.5nC @ 4.5V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET P-CH 20V 3.2A SOT23
详细描述:表面贴装 P 沟道 1.8A(Ta) 420mW(Ta) SOT-23-3
型号:
NTR4101PT1H
仓库库存编号:
NTR4101PT1HOSCT-ND
别名:NTR4101PT1HOSCT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 8.5nC @ 4.5V,
无铅
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Texas Instruments
MOSFET N-CH 25V 81A 8-SON
详细描述:表面贴装 N 沟道 21A(Ta),81A(Tc) 3W(Ta) 8-VSON(5x6)
型号:
CSD16404Q5A
仓库库存编号:
296-24250-1-ND
别名:296-24250-1
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 8.5nC @ 4.5V,
含铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, DUAL, P-CHANNEL, -20V, -
详细描述:Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 4.7A (Tc) 2W Surface Mount 8-SOP
型号:
TSM9933DCS RLG
仓库库存编号:
TSM9933DCS RLGTR-ND
别名:TSM9933DCS RLGTR
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 8.5nC @ 4.5V,
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, DUAL, P-CHANNEL, -20V, -
详细描述:Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 4.7A (Tc) 2W Surface Mount 8-SOP
型号:
TSM9933DCS RLG
仓库库存编号:
TSM9933DCS RLGCT-ND
别名:TSM9933DCS RLGCT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 8.5nC @ 4.5V,
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, DUAL, P-CHANNEL, -20V, -
详细描述:Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 4.7A (Tc) 2W Surface Mount 8-SOP
型号:
TSM9933DCS RLG
仓库库存编号:
TSM9933DCS RLGDKR-ND
别名:TSM9933DCS RLGDKR
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 8.5nC @ 4.5V,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 20V 6.5A SOT23
详细描述:表面贴装 N 沟道 6.5A(Ta) 1.3W(Ta) SOT-23-3
型号:
DMG6968UQ-7
仓库库存编号:
DMG6968UQ-7DI-ND
别名:DMG6968UQ-7DI
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 8.5nC @ 4.5V,
无铅
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Texas Instruments
8V P-CHANNEL FEMTOFET
详细描述:表面贴装 P 沟道 7.4A(Ta) 600mW(Ta)
型号:
CSD22205L
仓库库存编号:
CSD22205L-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 8.5nC @ 4.5V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 20V 2.7A SC-70-6
详细描述:表面贴装 P 沟道 2.7A(Tc) 1.5W(Ta),2.78W(Tc) SC-70-6(SOT-363)
型号:
SI1469DH-T1-GE3
仓库库存编号:
SI1469DH-T1-GE3CT-ND
别名:SI1469DH-T1-GE3CT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 8.5nC @ 4.5V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 20V 8-SOIC
详细描述:表面贴装 P 沟道 3.5A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
FDS9431A_F085
仓库库存编号:
FDS9431A_F085CT-ND
别名:FDS9431A_F085CT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 8.5nC @ 4.5V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 20V 1.2A SSOT3
详细描述:表面贴装 P 沟道 20V 1.2A(Ta) 500mW(Ta) SuperSOT-3
型号:
NDS336P
仓库库存编号:
NDS336PCT-ND
别名:NDS336PCT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 8.5nC @ 4.5V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET 2P-CH 20V 2.8A 8-SOIC
详细描述:Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 2.8A 900mW Surface Mount 8-SO
型号:
NDS9933A
仓库库存编号:
NDS9933A-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 8.5nC @ 4.5V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET 2N-CH 30V 5.5A 8-SOIC
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 30V 5.5A, 5.7A 1.1W, 1.16W Surface Mount 8-SO
型号:
SI4914DY-T1-E3
仓库库存编号:
SI4914DY-T1-E3CT-ND
别名:SI4914DY-T1-E3CT
SI4914DYT1E3
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 8.5nC @ 4.5V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET 2P-CH 20V 3A 1206-8
详细描述:Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 3A 1.1W Surface Mount 1206-8 ChipFET?
型号:
SI5935DC-T1-E3
仓库库存编号:
SI5935DC-T1-E3CT-ND
别名:SI5935DC-T1-E3CT
SI5935DCT1E3
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 8.5nC @ 4.5V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 20V 2.8A SSOT-6
详细描述:表面贴装 P 沟道 20V 2.8A(Ta) 1.6W(Ta) SuperSOT?-6
型号:
FDC636P
仓库库存编号:
FDC636PCT-ND
别名:FDC636PCT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 8.5nC @ 4.5V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET P-CH 20V 3.4A SGL 6UDFN
详细描述:表面贴装 P 沟道 20V 2.2A(Ta) 600mW(Ta) 6-UDFN(1.6x1.6)
型号:
NTLUS3192PZTAG
仓库库存编号:
NTLUS3192PZTAG-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 8.5nC @ 4.5V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET P-CH 20V 3.4A SGL 6UDFN
详细描述:表面贴装 P 沟道 20V 2.2A(Ta) 600mW(Ta) 6-UDFN(1.6x1.6)
型号:
NTLUS3192PZTBG
仓库库存编号:
NTLUS3192PZTBG-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 8.5nC @ 4.5V,
无铅
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