以下搜索结果

• 参考图片
• 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
• PDF
• 操作

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 31A TO220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 31A（Tc） 63W（Tc） TO-220AB 整包
  
  型号：IRLI2910PBF
  仓库库存编号：IRLI2910PBF-ND
  别名：*IRLI2910PBF
  SP001558218
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 140nC @ 5V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 40V 160A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 160A（Tc） 200W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRL1404PBF
  仓库库存编号：IRL1404PBF-ND
  别名：*IRL1404PBF
  SP001578568
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 140nC @ 5V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 55A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 55A（Tc） 3.8W（Ta），200W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRL2910STRLPBF
  仓库库存编号：IRL2910STRLPBFCT-ND
  别名：IRL2910STRLPBFCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 140nC @ 5V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 55A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 55A（Tc） 200W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRL2910PBF
  仓库库存编号：IRL2910PBF-ND
  别名：*IRL2910PBF
  SP001576496
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 140nC @ 5V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 40V 160A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 160A（Tc） 3.8W（Ta），200W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRL1404STRLPBF
  仓库库存编号：IRL1404STRLPBFCT-ND
  别名：IRL1404STRLPBFCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 140nC @ 5V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 40V 160A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 160A（Tc） 3.8W（Ta），200W（Tc） D-PAK（TO-252AA）
  
  型号：AUIRL1404STRL
  仓库库存编号：AUIRL1404STRL-ND
  别名：SP001522830
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 140nC @ 5V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 20V 12A PPAK 1212-8
  详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 12A（Ta） 1.9W（Ta） PowerPAK? 1212-8
  
  型号：SI7445DP-T1-E3
  仓库库存编号：SI7445DP-T1-E3-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 140nC @ 5V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 20V 12A PPAK 1212-8
  详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 12A（Ta） 1.9W（Ta） PowerPAK? 1212-8
  
  型号：SI7445DP-T1-GE3
  仓库库存编号：SI7445DP-T1-GE3-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 140nC @ 5V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 12V 13A PPAK SO-8
  详细描述：表面贴装 P 沟道 12V 13A（Ta） 1.8W（Ta） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SI7495DP-T1-E3
  仓库库存编号：SI7495DP-T1-E3-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 140nC @ 5V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 12V 13A PPAK SO-8
  详细描述：表面贴装 P 沟道 12V 13A（Ta） 1.8W（Ta） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SI7495DP-T1-GE3
  仓库库存编号：SI7495DP-T1-GE3-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 140nC @ 5V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 55A TO-262
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 55A（Tc） 3.8W（Ta），200W（Tc） TO-262
  
  型号：IRL2910L
  仓库库存编号：IRL2910L-ND
  别名：*IRL2910L
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 140nC @ 5V,
• 含铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 55A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 55A（Tc） 3.8W（Ta），200W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRL2910STRL
  仓库库存编号：IRL2910STRL-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 140nC @ 5V,
• 含铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 31A TO220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 31A（Tc） 63W（Tc） TO-220AB 整包
  
  型号：IRLI2910
  仓库库存编号：IRLI2910-ND
  别名：*IRLI2910
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 140nC @ 5V,
• 含铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 40V 160A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 160A（Tc） 3.8W（Ta），200W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRL1404S
  仓库库存编号：IRL1404S-ND
  别名：*IRL1404S
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 140nC @ 5V,
• 含铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 40V 160A TO-262
  详细描述：通孔 N 沟道 40V 160A（Tc） 3.8W（Ta），200W（Tc） TO-262
  
  型号：IRL1404L
  仓库库存编号：IRL1404L-ND
  别名：*IRL1404L
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 140nC @ 5V,
• 含铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 40V 160A TO-262
  详细描述：通孔 N 沟道 40V 160A（Tc） 3.8W（Ta），200W（Tc） TO-262
  
  型号：IRL1404LPBF
  仓库库存编号：IRL1404LPBF-ND
  别名：*IRL1404LPBF
  SP001557926
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 140nC @ 5V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 40V 160A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 160A（Tc） 3.8W（Ta），200W（Tc） D-PAK（TO-252AA）
  
  型号：AUIRL1404S
  仓库库存编号：AUIRL1404S-ND
  别名：SP001516830
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 140nC @ 5V,
• 无铅
• 搜索