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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 75V 90A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 19A（Ta），90A（Tc） 310W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
  
  型号：FDB045AN08A0
  仓库库存编号：FDB045AN08A0CT-ND
  别名：FDB045AN08A0CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 138nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 75V 80A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 15A（Tc） 310W（Tc） TO-220-3
  
  型号：FDP047AN08A0
  仓库库存编号：FDP047AN08A0FS-ND
  别名：FDP047AN08A0-ND
  FDP047AN08A0FS
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 138nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 57.7A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 57.7A（Tc） 480.8W（Tc） PG-TO-220-3
  
  型号：IPP60R074C6XKSA1
  仓库库存编号：IPP60R074C6XKSA1-ND
  别名：SP000898652
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 138nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 40V 110A TO262AB
  详细描述：通孔 N 沟道 110A（Tc） 176W（Tj） I2PAK（TO-262）
  
  型号：FDI9406_F085
  仓库库存编号：FDI9406_F085-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 138nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 75V 19A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 19A（Ta） 310W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
  
  型号：FDB045AN08A0_F085
  仓库库存编号：FDB045AN08A0_F085CT-ND
  别名：FDB045AN08A0_F085CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 138nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 75V 80A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 15A（Tc） 310W（Tc） TO-247
  
  型号：FDH047AN08A0
  仓库库存编号：FDH047AN08A0FS-ND
  别名：FDH047AN08A0-ND
  FDH047AN08A0FS
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 138nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 40V 110A TO263AB
  详细描述：表面贴装 N 沟道 110A（Tc） 176W（Tj） D2PAK（TO-263AB）
  
  型号：FDB9406_F085
  仓库库存编号：FDB9406_F085CT-ND
  别名：FDB9406_F085CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 138nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 180A TO263-7
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 180A（Tc） 250W（Tc） PG-TO263-7
  
  型号：IPB024N10N5ATMA1
  仓库库存编号：IPB024N10N5ATMA1-ND
  别名：SP001482034
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 138nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 75V 80A TO-262AB
  详细描述：通孔 N 沟道 75V 80A（Tc） 310W（Tc） I2PAK（TO-262）
  
  型号：FDI047AN08A0
  仓库库存编号：FDI047AN08A0-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 138nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 60A POLARPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 60A（Tc） 5.2W（Ta），125W（Tc） 10-PolarPAK?（L）
  
  型号：SIE848DF-T1-GE3
  仓库库存编号：SIE848DF-T1-GE3CT-ND
  别名：SIE848DF-T1-GE3CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 138nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 60A POLARPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 60A（Tc） 5.2W（Ta），125W（Tc） 10-PolarPAK?（L）
  
  型号：SIE848DF-T1-E3
  仓库库存编号：SIE848DF-T1-E3-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 138nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 85V 100A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 85V 100A（Tc） 214W（Tc） PG-TO-220-3
  
  型号：IPP06CNE8N G
  仓库库存编号：IPP06CNE8N G-ND
  别名：IPP06CNE8NGX
  IPP06CNE8NGXK
  SP000096464
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 138nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 40V 85A 8PQFN
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 85A（Tc） 104W（Tc） 8-PQFN（5x6）
  
  型号：IRFH7440TR2PBF
  仓库库存编号：IRFH7440TR2PBFCT-ND
  别名：IRFH7440TR2PBFCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 138nC @ 10V,
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