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Diodes Incorporated
MOSFET P-CH 30V 2.5A SOT-23
详细描述:表面贴装 P 沟道 2.5A(Ta) 760mW(Ta) SOT-23
型号:
DMG2307L-7
仓库库存编号:
DMG2307L-7DICT-ND
别名:DMG2307L-7DICT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 8.2nC @ 10V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 600V TO252
详细描述:表面贴装 N 沟道 7A(Tc) 83W(Tc) TO-252,(D-Pak)
型号:
AOD7S60
仓库库存编号:
785-1266-1-ND
别名:785-1266-1
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 8.2nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 250V 790MA SOT223
详细描述:表面贴装 N 沟道 790mA(Tc) 2W(Ta),3.1W(Tc) SOT-223
型号:
IRFL214TRPBF
仓库库存编号:
IRFL214PBFCT-ND
别名:*IRFL214TRPBF
IRFL214PBFCT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 8.2nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 200V 3.3A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 3.3A(Tc) 36W(Tc) TO-220AB
型号:
IRF610PBF
仓库库存编号:
IRF610PBF-ND
别名:*IRF610PBF
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 8.2nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 60V 7A TO-220
详细描述:通孔 P 沟道 7A(Tc) 45W(Tc) TO-220-3
型号:
FQP7P06
仓库库存编号:
FQP7P06-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 8.2nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 200V 600MA 4-DIP
详细描述:通孔 N 沟道 600mA(Ta) 1W(Ta) 4-DIP,Hexdip,HVMDIP
型号:
IRFD210PBF
仓库库存编号:
IRFD210PBF-ND
别名:*IRFD210PBF
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 8.2nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 200V 0.96A SOT223
详细描述:表面贴装 N 沟道 960mA(Tc) 2W(Ta),3.1W(Tc) SOT-223
型号:
IRFL210TRPBF
仓库库存编号:
IRFL210TRPBFCT-ND
别名:*IRFL210TRPBF
IRFL210PBFCT
IRFL210PBFCT-ND
IRFL210TRPBFCT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 8.2nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET 2N-CH 500V 0.37A 8SOP
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 500V 370mA 2W Surface Mount 8-SO
型号:
FQS4903TF
仓库库存编号:
FQS4903TFCT-ND
别名:FQS4903TFCT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 8.2nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 200V 2.6A I-PAK
详细描述:通孔 N 沟道 2.6A(Tc) 2.5W(Ta),25W(Tc) TO-251AA
型号:
IRFU210PBF
仓库库存编号:
IRFU210PBF-ND
别名:*IRFU210PBF
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 8.2nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 250V 2.2A I-PAK
详细描述:通孔 N 沟道 2.2A(Tc) 2.5W(Ta),25W(Tc) TO-251AA
型号:
IRFU214PBF
仓库库存编号:
IRFU214PBF-ND
别名:*IRFU214PBF
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 8.2nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 500V 3.1A TO-251
详细描述:通孔 N 沟道 500V 3.1A(Tc) 25W(Tc) PG-TO251-3
型号:
IPU50R1K4CEBKMA1
仓库库存编号:
IPU50R1K4CEBKMA1-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 8.2nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 100V 1A SOT-223
详细描述:表面贴装 P 沟道 1A(Tc) 2W(Tc) SOT-223-4
型号:
FQT5P10TF
仓库库存编号:
FQT5P10TFCT-ND
别名:FQT5P10TFCT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 8.2nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 200V 2.6A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 2.6A(Tc) 2.5W(Ta),25W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR210TRPBF
仓库库存编号:
IRFR210PBFCT-ND
别名:*IRFR210TRPBF
IRFR210PBFCT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 8.2nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 250V 2.2A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 2.2A(Tc) 2.5W(Ta),25W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR214TRPBF
仓库库存编号:
IRFR214TRPBFCT-ND
别名:IRFR214TRPBFCT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 8.2nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 200V 3.3A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 3.3A(Tc) 3W(Ta),36W(Tc) D2PAK
型号:
IRF610SPBF
仓库库存编号:
IRF610SPBF-ND
别名:*IRF610SPBF
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 8.2nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 250V 2.7A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 2.7A(Tc) 3.1W(Ta),36W(Tc) D2PAK
型号:
IRF614SPBF
仓库库存编号:
IRF614SPBF-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 8.2nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 60V 5.4A DPAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 5.4A(Tc) 2.5W(Ta),28W(Tc) D-Pak
型号:
FQD7P06TM
仓库库存编号:
FQD7P06TMCT-ND
别名:FQD7P06TMCT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 8.2nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 100V 3.6A DPAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 3.6A(Tc) 2.5W(Ta),25W(Tc) D-Pak
型号:
FQD5P10TM
仓库库存编号:
FQD5P10TMFSCT-ND
别名:FQD5P10TMFSCT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 8.2nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 200V 2.6A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 2.6A(Tc) 2.5W(Ta),25W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR210TRLPBF
仓库库存编号:
IRFR210TRLPBFCT-ND
别名:IRFR210TRLPBFCT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 8.2nC @ 10V,
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, P-CHANNEL, -60V,
详细描述:表面贴装 P 沟道 3.1A(Tc) 1.56W(Tc) SOT-23
型号:
TSM2309CX RFG
仓库库存编号:
TSM2309CX RFGTR-ND
别名:TSM2309CX RFGTR
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 8.2nC @ 10V,
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, P-CHANNEL, -60V,
详细描述:表面贴装 P 沟道 3.1A(Tc) 1.56W(Tc) SOT-23
型号:
TSM2309CX RFG
仓库库存编号:
TSM2309CX RFGCT-ND
别名:TSM2309CX RFGCT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 8.2nC @ 10V,
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, P-CHANNEL, -60V,
详细描述:表面贴装 P 沟道 3.1A(Tc) 1.56W(Tc) SOT-23
型号:
TSM2309CX RFG
仓库库存编号:
TSM2309CX RFGDKR-ND
别名:TSM2309CX RFGDKR
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 8.2nC @ 10V,
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, P-CHANNEL, -60V,
详细描述:表面贴装 P 沟道 7A(Tc) 15.6W(Tc) TO-252,(D-Pak)
型号:
TSM7P06CP ROG
仓库库存编号:
TSM7P06CP ROGTR-ND
别名:TSM7P06CP ROGTR
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 8.2nC @ 10V,
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, P-CHANNEL, -60V,
详细描述:表面贴装 P 沟道 7A(Tc) 15.6W(Tc) TO-252,(D-Pak)
型号:
TSM7P06CP ROG
仓库库存编号:
TSM7P06CP ROGCT-ND
别名:TSM7P06CP ROGCT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 8.2nC @ 10V,
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TSM7P06CP ROG
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TSM7P06CP ROGDKR-ND
别名:TSM7P06CP ROGDKR
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