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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET P-CH 20V 3.5A SOT23
  详细描述：表面贴装 P 沟道 3.5A（Ta） 510mW（Ta） TO-236AB（SOT23）
  
  型号：PMV48XP,215
  仓库库存编号：1727-5907-1-ND
  别名：1727-5907-1
  568-7579-1
  568-7579-1-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 11nC @ 4.5V,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET P-CH 20V 5A SOT23-3
  详细描述：表面贴装 P 沟道 5A（Ta） 1.5W（Ta） SOT-23-3L
  
  型号：AO3415A
  仓库库存编号：785-1193-1-ND
  别名：785-1193-1
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 11nC @ 4.5V,
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  无铅
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 20V SOT23
  详细描述：表面贴装 N 沟道 4.2A（Ta） 490mW（Ta）, 5W（Tc） TO-236AB（SOT23）
  
  型号：PMV30UN2R
  仓库库存编号：1727-2305-1-ND
  别名：1727-2305-1
  568-12591-1
  568-12591-1-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 11nC @ 4.5V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET 2P-CH 30V 2.9A MICROFET6
  详细描述：Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 30V 2.9A 700mW Surface Mount 6-MicroFET (2x2)
  
  型号：FDMA3023PZ
  仓库库存编号：FDMA3023PZCT-ND
  别名：FDMA3023PZCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 11nC @ 4.5V,
• 无铅
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• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 30V 30A 5LFPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30A（Ta） 15W（Tc） LFPAK
  
  型号：HAT2168H-EL-E
  仓库库存编号：HAT2168H-EL-ECT-ND
  别名：HAT2168H-EL-ECT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 11nC @ 4.5V,
• 无铅
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET P-CH 20V 2.9A SOT23
  详细描述：表面贴装 P 沟道 2.9A（Ta） 1W（Ta） SOT-23-3L
  
  型号：AO3435
  仓库库存编号：785-1544-1-ND
  别名：785-1544-1
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 11nC @ 4.5V,
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  无铅
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET P-CH 20V 3.5A SOT23
  详细描述：表面贴装 P 沟道 3.5A（Ta） 510mW（Ta）, 4.15W（Tc） TO-236AB（SOT23）
  
  型号：PMV48XPAR
  仓库库存编号：1727-2308-1-ND
  别名：1727-2308-1
  568-12594-1
  568-12594-1-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 11nC @ 4.5V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 9.9A 8SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 9.9A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
  
  型号：IRL6342TRPBF
  仓库库存编号：IRL6342TRPBFCT-ND
  别名：IRL6342TRPBFCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 11nC @ 4.5V,
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• Texas Instruments
  MOSFET N-CH 30V 100A 8SON
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Tc） 3.2W（Ta） 8-VSON（5x6）
  
  型号：CSD17506Q5A
  仓库库存编号：296-28408-1-ND
  别名：296-28408-1
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 11nC @ 4.5V,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET P-CH 20V 5.5A TSOP6
  详细描述：表面贴装 P 沟道 5.5A（Ta） 2.1W（Ta） 6-TSOP
  
  型号：AO6409A
  仓库库存编号：785-1598-1-ND
  别名：785-1598-1
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 11nC @ 4.5V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 8.3A 6TSOP
  详细描述：表面贴装 N 沟道 8.3A（Ta） 2W（Ta） 6-TSOP
  
  型号：IRLTS6342TRPBF
  仓库库存编号：IRLTS6342TRPBFCT-ND
  别名：IRLTS6342TRPBFCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 11nC @ 4.5V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 11A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
  
  型号：IRF7807ZTRPBF
  仓库库存编号：IRF7807ZPBFCT-ND
  别名：*IRF7807ZTRPBF
  IRF7807ZPBFCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 11nC @ 4.5V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET 2N-CH 30V 8.1A 8SOIC
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 8.1A 2W Surface Mount 8-SO
  
  型号：IRL6372TRPBF
  仓库库存编号：IRL6372TRPBFCT-ND
  别名：IRL6372TRPBFCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 11nC @ 4.5V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 43A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 43A（Tc） 40W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRLR7807ZTRPBF
  仓库库存编号：IRLR7807ZPBFCT-ND
  别名：*IRLR7807ZTRPBF
  IRLR7807ZPBFCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 11nC @ 4.5V,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 4.9A（Tc） 1.25W（Ta） SOT-23
  
  型号：TSM2314CX RFG
  仓库库存编号：TSM2314CX RFGTR-ND
  别名：TSM2314CX RFGTR
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 11nC @ 4.5V,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 4.9A（Tc） 1.25W（Ta） SOT-23
  
  型号：TSM2314CX RFG
  仓库库存编号：TSM2314CX RFGCT-ND
  别名：TSM2314CX RFGCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 11nC @ 4.5V,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 4.9A（Tc） 1.25W（Ta） SOT-23
  
  型号：TSM2314CX RFG
  仓库库存编号：TSM2314CX RFGDKR-ND
  别名：TSM2314CX RFGDKR
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 11nC @ 4.5V,
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET N-CH 20V 6A TSST8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 6A（Ta） 650mW（Ta） 8-TSST
  
  型号：RT1C060UNTR
  仓库库存编号：RT1C060UNCT-ND
  别名：RT1C060UNTRCT
  RT1C060UNTRCT-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 11nC @ 4.5V,
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET N-CH 20V 6.5A TSMT8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 6.5A（Ta） 700mW（Ta） TSMT8
  
  型号：RQ1C065UNTR
  仓库库存编号：RQ1C065UNCT-ND
  别名：RQ1C065UNTRCT
  RQ1C065UNTRCT-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 11nC @ 4.5V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 5A MICROFET
  详细描述：表面贴装 N 沟道 5A（Ta） 2.4W（Ta） 6-MicroFET（2x2）
  
  型号：FDMA430NZ
  仓库库存编号：FDMA430NZCT-ND
  别名：FDMA430NZCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 11nC @ 4.5V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 20V 5.4A 1206-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 5.4A（Ta） 1.3W（Ta） 1206-8 ChipFET?
  
  型号：SI5404BDC-T1-E3
  仓库库存编号：SI5404BDC-T1-E3CT-ND
  别名：SI5404BDC-T1-E3CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 11nC @ 4.5V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET 2P-CH 20V 5A ECH8
  详细描述：Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 5A 1.5W Surface Mount 8-ECH
  
  型号：ECH8654-TL-H
  仓库库存编号：869-1159-1-ND
  别名：869-1159-1
  ECH8654TLH
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 11nC @ 4.5V,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH 20V 3.5A SOT23-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 3.5A（Ta） 1W（Ta） SOT-23-3
  
  型号：ZXMN2B14FHTA
  仓库库存编号：ZXMN2B14FHCT-ND
  别名：ZXMN2B14FHCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 11nC @ 4.5V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET ARRAY 2N-CH 40V 1212-8
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 40V 34A (Tc) 23W Surface Mount PowerPAK? 1212-8 Dual
  
  型号：SISB46DN-T1-GE3
  仓库库存编号：SISB46DN-T1-GE3CT-ND
  别名：SISB46DN-T1-GE3CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 11nC @ 4.5V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET 2N-CH 30V 4.9A 1212-8
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 4.9A 1.3W Surface Mount PowerPAK? 1212-8 Dual
  
  型号：SI7212DN-T1-GE3
  仓库库存编号：SI7212DN-T1-GE3CT-ND
  别名：SI7212DN-T1-GE3CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 11nC @ 4.5V,
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