品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 11nC @ 4.5V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 20V 5.4A 1206-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 5.4A(Ta) 1.3W(Ta) 1206-8 ChipFET?
型号:
SI5404BDC-T1-E3
仓库库存编号:
SI5404BDC-T1-E3CT-ND
别名:SI5404BDC-T1-E3CT
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 11nC @ 4.5V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET ARRAY 2N-CH 40V 1212-8
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 40V 34A (Tc) 23W Surface Mount PowerPAK? 1212-8 Dual
型号:
SISB46DN-T1-GE3
仓库库存编号:
SISB46DN-T1-GE3CT-ND
别名:SISB46DN-T1-GE3CT
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 11nC @ 4.5V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET 2N-CH 30V 4.9A 1212-8
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 4.9A 1.3W Surface Mount PowerPAK? 1212-8 Dual
型号:
SI7212DN-T1-GE3
仓库库存编号:
SI7212DN-T1-GE3CT-ND
别名:SI7212DN-T1-GE3CT
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 11nC @ 4.5V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET ARRAY 2N-CH 60V 8A SO8
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 8A (Tc) 22W Surface Mount PowerPAK? SO-8 Dual
型号:
SI7972DP-T1-GE3
仓库库存编号:
SI7972DP-T1-GE3CT-ND
别名:SI7972DP-T1-GE3CT
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 11nC @ 4.5V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 20V 5.4A 1206-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 5.4A(Ta) 1.3W(Ta) 1206-8 ChipFET?
型号:
SI5404BDC-T1-GE3
仓库库存编号:
SI5404BDC-T1-GE3-ND
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 11nC @ 4.5V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET 2N-CH 30V 6.4A PPAK SO-8
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 30V 6.4A 1.4W Surface Mount PowerPAK? SO-8 Dual
型号:
SI7872DP-T1-E3
仓库库存编号:
SI7872DP-T1-E3TR-ND
别名:SI7872DP-T1-E3TR
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 11nC @ 4.5V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET 2N-CH 30V 6.4A PPAK SO-8
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 30V 6.4A 1.4W Surface Mount PowerPAK? SO-8 Dual
型号:
SI7872DP-T1-GE3
仓库库存编号:
SI7872DP-T1-GE3CT-ND
别名:SI7872DP-T1-GE3CT
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 11nC @ 4.5V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET 2N-CH 30V 4.9A 1212-8
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 4.9A 1.3W Surface Mount PowerPAK? 1212-8 Dual
型号:
SI7212DN-T1-E3
仓库库存编号:
SI7212DN-T1-E3TR-ND
别名:SI7212DN-T1-E3TR
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 11nC @ 4.5V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 20V 3.9A 6-TSOP
详细描述:表面贴装 P 沟道 20V 3.9A(Ta) 1.1W(Ta) 6-TSOP
型号:
SI3867DV-T1-E3
仓库库存编号:
SI3867DV-T1-E3CT-ND
别名:SI3867DV-T1-E3CT
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 11nC @ 4.5V,
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Vishay Siliconix
MOSFET 2N-CH 30V 5.7A 8-SOIC
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 5.7A 1.1W Surface Mount 8-SO
型号:
SI4804BDY-T1-E3
仓库库存编号:
SI4804BDY-T1-E3CT-ND
别名:SI4804BDY-T1-E3CT
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 11nC @ 4.5V,
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Vishay Siliconix
MOSFET 2N-CH 30V 5.7A 8-SOIC
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 30V 5.7A 1.1W Surface Mount 8-SO
型号:
SI4830ADY-T1-E3
仓库库存编号:
SI4830ADY-T1-E3CT-ND
别名:SI4830ADY-T1-E3CT
SI4830ADYT1E3
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 11nC @ 4.5V,
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Vishay Siliconix
MOSFET 2N-CH 30V 5.7A 8-SOIC
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 5.7A 1.1W Surface Mount 8-SO
型号:
SI4834BDY-T1-E3
仓库库存编号:
SI4834BDY-T1-E3CT-ND
别名:SI4834BDY-T1-E3CT
SI4834BDYT1E3
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 11nC @ 4.5V,
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Vishay Siliconix
MOSFET 2N-CH 30V 6A 8-SOIC
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 6A, 4.4A 1.1W Surface Mount 8-SO
型号:
SI4974DY-T1-E3
仓库库存编号:
SI4974DY-T1-E3CT-ND
别名:SI4974DY-T1-E3CT
SI4974DYT1E3
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 11nC @ 4.5V,
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Vishay Siliconix
MOSFET 2P-CH 20V 3.4A 8TSSOP
详细描述:Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 3.4A 830mW Surface Mount 8-TSSOP
型号:
SI6963BDQ-T1-E3
仓库库存编号:
SI6963BDQ-T1-E3CT-ND
别名:SI6963BDQ-T1-E3CT
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 11nC @ 4.5V,
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Vishay Siliconix
MOSFET 2P-CH 20V 3.4A 8-TSSOP
详细描述:Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 3.4A 830mW Surface Mount 8-TSSOP
型号:
SI6963BDQ-T1-GE3
仓库库存编号:
SI6963BDQ-T1-GE3CT-ND
别名:SI6963BDQ-T1-GE3CT
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 11nC @ 4.5V,
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 20V 3.9A 6-TSOP
详细描述:表面贴装 P 沟道 20V 3.9A(Ta) 1.1W(Ta) 6-TSOP
型号:
SI3867DV-T1-GE3
仓库库存编号:
SI3867DV-T1-GE3-ND
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 11nC @ 4.5V,
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Vishay Siliconix
MOSFET 2N-CH 30V 5.7A 8SOIC
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 5.7A 1.1W Surface Mount 8-SO
型号:
SI4804BDY-T1-GE3
仓库库存编号:
SI4804BDY-T1-GE3-ND
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 11nC @ 4.5V,
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Vishay Siliconix
MOSFET 2N-CH 30V 5.7A 8-SOIC
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 30V 5.7A 1.1W Surface Mount 8-SO
型号:
SI4830ADY-T1-GE3
仓库库存编号:
SI4830ADY-T1-GE3-ND
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 11nC @ 4.5V,
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Vishay Siliconix
MOSFET 2N-CH 30V 5.7A 8-SOIC
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 5.7A 1.1W Surface Mount 8-SO
型号:
SI4834BDY-T1-GE3
仓库库存编号:
SI4834BDY-T1-GE3-ND
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 11nC @ 4.5V,
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 30V 3.1A 1206-8
详细描述:表面贴装 P 沟道 30V 3.1A(Ta) 1.3W(Ta) 1206-8 ChipFET?
型号:
SI5449DC-T1-E3
仓库库存编号:
SI5449DC-T1-E3-ND
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 11nC @ 4.5V,
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MOSFET P-CH 30V 3.1A 1206-8
详细描述:表面贴装 P 沟道 30V 3.1A(Ta) 1.3W(Ta) 1206-8 ChipFET?
型号:
SI5449DC-T1-GE3
仓库库存编号:
SI5449DC-T1-GE3-ND
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 11nC @ 4.5V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 40V 8A 6TSOP
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 8A(Tc) 5W(Tc) 6-TSOP
型号:
SQ3418EEV-T1-GE3
仓库库存编号:
SQ3418EEV-T1-GE3CT-ND
别名:SQ3418EEV-T1-GE3CT
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 11nC @ 4.5V,
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