规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 11nC @ 4.5V,
专业代理销售st(意法)全系列产品
关于我们
|
联系我们
库存查询
ST产品选型
产品
制造商
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索:
热门搜索词:
电容器
Vicor
MXP7205VW
STM32F103C8T6
1379658-1
UVX
美国1号仓库
产品分类
(103)
分立半导体产品
(103)
筛选品牌
Alpha & Omega Semiconductor Inc. (8)
Diodes Incorporated (1)
Infineon Technologies (42)
Nexperia USA Inc. (3)
NXP USA Inc. (4)
Fairchild/ON Semiconductor (5)
ON Semiconductor (10)
Renesas Electronics America (1)
Rohm Semiconductor (2)
STMicroelectronics (1)
Taiwan Semiconductor Corporation (3)
Texas Instruments (1)
Vishay Siliconix (22)
重新选择
规格选型正在加载中...
在结果中搜索词:
以下搜索结果
参考图片
制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
PDF
操作
ON Semiconductor
T8 60V MOSFET
详细描述:表面贴装 N 沟道 35A(Ta), 250A(Tc) 3.3W(Ta), 160W(Tc) 5-DFN(5x6)(8-SOFL)
型号:
NTMFS5H600NLT1G
仓库库存编号:
NTMFS5H600NLT1GOSCT-ND
别名:NTMFS5H600NLT1GOSCT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 11nC @ 4.5V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET 2N-CH 30V 7.6A/11A 8-SOIC
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 7.6A, 11A 1.4W, 2W Surface Mount 8-SO
型号:
IRF7904TRPBF
仓库库存编号:
IRF7904TRPBFCT-ND
别名:IRF7904TRPBFCT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 11nC @ 4.5V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET 2N-CH 20V 10A/12A 8-SOIC
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 10A, 12A 2W Surface Mount 8-SO
型号:
IRF9910TRPBF
仓库库存编号:
IRF9910PBFCT-ND
别名:*IRF9910TRPBF
IRF9910PBFCT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 11nC @ 4.5V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET 2N-CH 20V 10A 8-SOIC
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 10A 2W Surface Mount 8-SO
型号:
IRF8910TRPBF
仓库库存编号:
IRF8910PBFCT-ND
别名:*IRF8910TRPBF
IRF8910PBFCT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 11nC @ 4.5V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET ARRAY 2N-CH 60V 8A SO8
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 8A (Tc) 22W Surface Mount PowerPAK? SO-8 Dual
型号:
SI7972DP-T1-GE3
仓库库存编号:
SI7972DP-T1-GE3CT-ND
别名:SI7972DP-T1-GE3CT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 11nC @ 4.5V,
无铅
搜索
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET P-CH 20V 1.9A SC70-6
详细描述:表面贴装 P 沟道 1.9A(Ta) 570mW(Ta) SC-70-6
型号:
AO7417
仓库库存编号:
AO7417-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 11nC @ 4.5V,
无铅
搜索
ON Semiconductor
MOSFET P-CH 20V 4.5A SOT563
详细描述:表面贴装 P 沟道 4.5A(Ta) 1W(Ta) SOT-563/SCH6
型号:
SCH1345-TL-H
仓库库存编号:
SCH1345-TL-H-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 11nC @ 4.5V,
无铅
搜索
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET 2P-CH 20V 4.5A 8TSSOP
详细描述:Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 4.5A 1.5W Surface Mount 8-TSSOP
型号:
AO8801A
仓库库存编号:
AO8801A-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 11nC @ 4.5V,
无铅
搜索
ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 54A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 9A(Ta),54A(Tc) 1.4W(Ta),50W(Tc) DPAK
型号:
NVD4810NT4G-VF01
仓库库存编号:
NVD4810NT4G-VF01-ND
别名:NVD4810NT4G
NVD4810NT4G-ND
NVD5862NT4G-VF01
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 11nC @ 4.5V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 20V 5.4A 1206-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 5.4A(Ta) 1.3W(Ta) 1206-8 ChipFET?
型号:
SI5404BDC-T1-GE3
仓库库存编号:
SI5404BDC-T1-GE3-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 11nC @ 4.5V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET 2N-CH 30V 6.4A PPAK SO-8
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 30V 6.4A 1.4W Surface Mount PowerPAK? SO-8 Dual
型号:
SI7872DP-T1-E3
仓库库存编号:
SI7872DP-T1-E3TR-ND
别名:SI7872DP-T1-E3TR
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 11nC @ 4.5V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET 2N-CH 30V 6.4A PPAK SO-8
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 30V 6.4A 1.4W Surface Mount PowerPAK? SO-8 Dual
型号:
SI7872DP-T1-GE3
仓库库存编号:
SI7872DP-T1-GE3CT-ND
别名:SI7872DP-T1-GE3CT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 11nC @ 4.5V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET 2N-CH 30V 4.9A 1212-8
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 4.9A 1.3W Surface Mount PowerPAK? 1212-8 Dual
型号:
SI7212DN-T1-E3
仓库库存编号:
SI7212DN-T1-E3TR-ND
别名:SI7212DN-T1-E3TR
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 11nC @ 4.5V,
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 24V 40A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 24V 40A(Tc) 60W(Tc) D-Pak
型号:
STD55NH2LLT4
仓库库存编号:
497-4104-1-ND
别名:497-4104-1
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 11nC @ 4.5V,
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET 2N-CH 20V 7.3A 6SSOT
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 7.3A 1.2W Surface Mount SuperSOT?-6 FLMP
型号:
FDC6000NZ
仓库库存编号:
FDC6000NZCT-ND
别名:FDC6000NZ_NLCT
FDC6000NZ_NLCT-ND
FDC6000NZCT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 11nC @ 4.5V,
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 20V 4.6A BGA
详细描述:表面贴装 P 沟道 20V 4.6A(Ta) 1.7W(Ta) 9-BGA(1.5x1.6)
型号:
FDZ293P
仓库库存编号:
FDZ293P-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 11nC @ 4.5V,
无铅
搜索
ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 8.6A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 30V 9A(Ta),54A(Tc) 1.4W(Ta),50W(Tc) I-Pak
型号:
NTD4810N-1G
仓库库存编号:
NTD4810N-1G-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 11nC @ 4.5V,
无铅
搜索
ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 8.6A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 30V 9A(Ta),54A(Tc) 1.4W(Ta),50W(Tc) I-Pak
型号:
NTD4810N-35G
仓库库存编号:
NTD4810N-35G-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 11nC @ 4.5V,
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 20V 4.6A 9-BGA
详细描述:表面贴装 P 沟道 20V 4.6A(Ta) 1.7W(Ta) 9-BGA(1.5x1.5)
型号:
FDZ493P
仓库库存编号:
FDZ493PCT-ND
别名:FDZ493PCT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 11nC @ 4.5V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 20V 3.9A 6-TSOP
详细描述:表面贴装 P 沟道 20V 3.9A(Ta) 1.1W(Ta) 6-TSOP
型号:
SI3867DV-T1-E3
仓库库存编号:
SI3867DV-T1-E3CT-ND
别名:SI3867DV-T1-E3CT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 11nC @ 4.5V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET 2N-CH 30V 5.7A 8-SOIC
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 5.7A 1.1W Surface Mount 8-SO
型号:
SI4804BDY-T1-E3
仓库库存编号:
SI4804BDY-T1-E3CT-ND
别名:SI4804BDY-T1-E3CT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 11nC @ 4.5V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET 2N-CH 30V 5.7A 8-SOIC
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 30V 5.7A 1.1W Surface Mount 8-SO
型号:
SI4830ADY-T1-E3
仓库库存编号:
SI4830ADY-T1-E3CT-ND
别名:SI4830ADY-T1-E3CT
SI4830ADYT1E3
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 11nC @ 4.5V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET 2N-CH 30V 5.7A 8-SOIC
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 5.7A 1.1W Surface Mount 8-SO
型号:
SI4834BDY-T1-E3
仓库库存编号:
SI4834BDY-T1-E3CT-ND
别名:SI4834BDY-T1-E3CT
SI4834BDYT1E3
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 11nC @ 4.5V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET 2N-CH 30V 6A 8-SOIC
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 6A, 4.4A 1.1W Surface Mount 8-SO
型号:
SI4974DY-T1-E3
仓库库存编号:
SI4974DY-T1-E3CT-ND
别名:SI4974DY-T1-E3CT
SI4974DYT1E3
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 11nC @ 4.5V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET 2P-CH 20V 3.4A 8TSSOP
详细描述:Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 3.4A 830mW Surface Mount 8-TSSOP
型号:
SI6963BDQ-T1-E3
仓库库存编号:
SI6963BDQ-T1-E3CT-ND
别名:SI6963BDQ-T1-E3CT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 11nC @ 4.5V,
无铅
搜索
1
2
3
4
5
邮箱:
sales@szcwdz.com
Q Q:
800152669
手机网站:
m.szcwdz.com
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
st(意法)简介
|
st产品
|
st动态
|
产品应用
|
st选型手册
Copyright © 2017
www.st-ic.com
All Rights Reserved. 技术支持:
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号