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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 30V TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 100A(Tc) 270W(Tc) TO-220AB
型号:
PSMN1R8-30PL,127
仓库库存编号:
1727-4388-ND
别名:1727-4388
568-5234
568-5234-5
568-5234-5-ND
568-5234-ND
934064002127
PSMN1R830PL127
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 170nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 110A TO-247AC
详细描述:通孔 N 沟道 110A(Tc) 200W(Tc) TO-247AC
型号:
IRFP064NPBF
仓库库存编号:
IRFP064NPBF-ND
别名:*IRFP064NPBF
SP001554926
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 170nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 120A TO-247AC
详细描述:通孔 N 沟道 120A(Tc) 280W(Tc) TO-247AC
型号:
IRFP3206PBF
仓库库存编号:
IRFP3206PBF-ND
别名:SP001578056
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 170nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 120A TO-247AC
详细描述:通孔 N 沟道 120A(Tc) 280W(Tc) TO-247AC
型号:
IRFP4310ZPBF
仓库库存编号:
IRFP4310ZPBF-ND
别名:SP001572864
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 170nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 20A TO-247AC
详细描述:通孔 N 沟道 20A(Tc) 278W(Tc) TO-247AC
型号:
IRFP460BPBF
仓库库存编号:
IRFP460BPBF-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 170nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 700V 43.3A TO247
详细描述:通孔 N 沟道 43.3A(Tc) 391W(Tc) PG-TO247-3
型号:
IPW65R080CFD
仓库库存编号:
IPW65R080CFD-ND
别名:IPW65R080CFDFKSA1
SP000745036
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 170nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 64A TO220FP
详细描述:通孔 N 沟道 64A(Tc) 63W(Tc) TO-220AB 整包
型号:
IRFI3205PBF
仓库库存编号:
IRFI3205PBF-ND
别名:*IRFI3205PBF
64-7007PBF
64-7007PBF-ND
SP001570864
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 170nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 72A TO-247AC
详细描述:通孔 N 沟道 72A(Tc) 190W(Tc) TO-247AC
型号:
IRFP4710PBF
仓库库存编号:
IRFP4710PBF-ND
别名:*IRFP4710PBF
SP001575990
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 170nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 120A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 120A(Tc) 300W(Tc) TO-220AB
型号:
IRFB3206PBF
仓库库存编号:
IRFB3206PBF-ND
别名:64-0088PBF
64-0088PBF-ND
SP001566480
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 170nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 53A TO247
详细描述:通孔 N 沟道 53A(Tc) 391W(Tc) PG-TO247-3
型号:
IPW60R070C6
仓库库存编号:
IPW60R070C6-ND
别名:IPW60R070C6FKSA1
SP000645060
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 170nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 77.5A TO247-3
详细描述:通孔 N 沟道 77.5A(Tc) 481W(Tc) PG-TO247-3
型号:
IPW60R041P6FKSA1
仓库库存编号:
IPW60R041P6FKSA1-5-ND
别名:IPW60R041P6FKSA1-5
SP001091630
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 170nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 120A(Tc) 300W(Tc) D2PAK
型号:
IRFS3206TRRPBF
仓库库存编号:
IRFS3206TRRPBFCT-ND
别名:IRFS3206TRRPBFCT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 170nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 53.5A TO247
详细描述:通孔 N 沟道 53.5A(Tc) 391W(Tc) PG-TO247-3
型号:
IPW65R070C6
仓库库存编号:
IPW65R070C6-ND
别名:IPW65R070C6FKSA1
SP000745034
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 170nC @ 10V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 100V 120A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 120A(Tc) 338W(Tc) TO-220AB
型号:
PSMN4R3-100PS,127
仓库库存编号:
1727-6499-ND
别名:1727-6499
568-8595-5
568-8595-5-ND
934066115127
PSMN4R3100PS127
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 170nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 75V 120A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 120A(Tc) 300W(Tc) TO-262
型号:
IRFSL3207ZPBF
仓库库存编号:
IRFSL3207ZPBF-ND
别名:SP001552364
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 170nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 120A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 120A(Tc) 250W(Tc) TO-262
型号:
IRFSL4310ZPBF
仓库库存编号:
IRFSL4310ZPBF-ND
别名:SP001557618
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 170nC @ 10V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 100V 120A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 120A(Tc) 338W(Tc) TO-220AB
型号:
PSMN5R0-100PS,127
仓库库存编号:
1727-5290-ND
别名:1727-5290
568-6718
568-6718-5
568-6718-5-ND
568-6718-ND
934065172127
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 170nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 120A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 120A(Tc) 300W(Tc) TO-220AB
型号:
IRFB3206GPBF
仓库库存编号:
IRFB3206GPBF-ND
别名:SP001565784
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 170nC @ 10V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 100V 120A I2PAK
详细描述:通孔 N 沟道 120A(Tc) 338W(Tc) I2PAK
型号:
PSMN5R0-100ES,127
仓库库存编号:
1727-5286-ND
别名:1727-5286
568-6714
568-6714-5
568-6714-5-ND
568-6714-ND
934065165127
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 170nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 75V 120A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 120A(Tc) 300W(Tc) D2PAK(TO-263)
型号:
IRFS3207ZTRRPBF
仓库库存编号:
IRFS3207ZTRRPBFCT-ND
别名:IRFS3207ZTRRPBFCT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 170nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 40V 36A 8-PQFN
详细描述:表面贴装 N 沟道 36A(Ta),100A(Tc) 2.5W(Ta),104W(Tc) 8-PQFN(5x6),Power56
型号:
FDMS8320L
仓库库存编号:
FDMS8320LCT-ND
别名:FDMS8320LCT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 170nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 40V 80A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 80A(Tc) 300W(Tc) D2PAK
型号:
STB170NF04
仓库库存编号:
497-12535-1-ND
别名:497-12535-1
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 170nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 98A TO-247AC
详细描述:通孔 N 沟道 110A(Tc) 200W(Tc) TO-247AC
型号:
AUIRFP064N
仓库库存编号:
AUIRFP064N-ND
别名:SP001520104
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 170nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 100A TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 100A(Tc) 300W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
IPB100N06S205ATMA4
仓库库存编号:
IPB100N06S205ATMA4CT-ND
别名:IPB100N06S205ATMA4CT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 170nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 160A TO263-7
详细描述:表面贴装 N 沟道 160A(Tc) 300W(Tc) PG-TO263-7-3
型号:
IPB160N04S203ATMA4
仓库库存编号:
IPB160N04S203ATMA4CT-ND
别名:IPB160N04S203ATMA4CT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 170nC @ 10V,
无铅
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