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IXYS
MOSFET N-CH 550V 22A TO-247AD
详细描述:通孔 N 沟道 550V 22A(Tc) 300W(Tc) TO-247AD(IXFH)
型号:
IXFH22N55
仓库库存编号:
IXFH22N55-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 170nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 15A TO-247AD
详细描述:通孔 N 沟道 600V 15A(Tc) 300W(Tc) TO-247AD(IXFH)
型号:
IXFH15N60
仓库库存编号:
IXFH15N60-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 170nC @ 10V,
含铅
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 20A TO-247AD
详细描述:通孔 N 沟道 600V 20A(Tc) 300W(Tc) TO-247AD(IXFH)
型号:
IXFH20N60
仓库库存编号:
IXFH20N60-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 170nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 55V 100A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 55V 100A(Tc) 175W(Tc) TO-220AB
型号:
HRF3205
仓库库存编号:
HRF3205-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 170nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 500V 20A TO-3P
详细描述:通孔 N 沟道 500V 20A(Tc) 235W(Tc) TO-3PN
型号:
IRFP460C
仓库库存编号:
IRFP460C-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 170nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 85V 180A TO-263
详细描述:表面贴装 N 沟道 85V 180A(Tc) 430W(Tc) TO-263(IXTA)
型号:
IXTA180N085T
仓库库存编号:
IXTA180N085T-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 170nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 85V 180A TO-263-7
详细描述:表面贴装 N 沟道 85V 180A(Tc) 430W(Tc) TO-263-7(IXTA..7)
型号:
IXTA180N085T7
仓库库存编号:
IXTA180N085T7-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 170nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 55V 240A TO-263
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 240A(Tc) 480W(Tc) TO-263(IXTA)
型号:
IXTA240N055T
仓库库存编号:
IXTA240N055T-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 170nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 55V 240A TO-263-7
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 240A(Tc) 480W(Tc) TO-263-7(IXTA..7)
型号:
IXTA240N055T7
仓库库存编号:
IXTA240N055T7-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 170nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 85V 110A ISOPLUS220
详细描述:通孔 N 沟道 85V 110A(Tc) 150W(Tc) ISOPLUS220?
型号:
IXTC180N085T
仓库库存编号:
IXTC180N085T-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 170nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 55V 132A ISOPLUS220
详细描述:通孔 N 沟道 55V 132A(Tc) 150W(Tc) ISOPLUS220?
型号:
IXTC240N055T
仓库库存编号:
IXTC240N055T-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 170nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 85V 180A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 85V 180A(Tc) 430W(Tc) TO-247(IXTH)
型号:
IXTH180N085T
仓库库存编号:
IXTH180N085T-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 170nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 55V 240A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 55V 240A(Tc) 480W(Tc) TO-247(IXTH)
型号:
IXTH240N055T
仓库库存编号:
IXTH240N055T-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 170nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 150V 88A TO-247AD
详细描述:通孔 N 沟道 150V 88A(Tc) 400W(Tc) TO-247(IXTH)
型号:
IXTH88N15
仓库库存编号:
IXTH88N15-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 170nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET 2N-CH 55V 140A ISOPLUS I5
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 55V 140A 150W Through Hole ISOPLUSi5-Pak?
型号:
IXTL2X240N055T
仓库库存编号:
IXTL2X240N055T-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 170nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 85V 180A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 85V 180A(Tc) 430W(Tc) TO-220AB
型号:
IXTP180N085T
仓库库存编号:
IXTP180N085T-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 170nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 55V 240A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 55V 240A(Tc) 480W(Tc) TO-220AB
型号:
IXTP240N055T
仓库库存编号:
IXTP240N055T-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 170nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 85V 180A TO-3P
详细描述:通孔 N 沟道 85V 180A(Tc) 430W(Tc) TO-3P
型号:
IXTQ180N085T
仓库库存编号:
IXTQ180N085T-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 170nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 55V 240A TO-3P
详细描述:通孔 N 沟道 55V 240A(Tc) 480W(Tc) TO-3P
型号:
IXTQ240N055T
仓库库存编号:
IXTQ240N055T-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 170nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 30V 13A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 P 沟道 30V 13A(Ta) 1.9W(Ta) PowerPAK? SO-8
型号:
SI7459DP-T1-E3
仓库库存编号:
SI7459DP-T1-E3CT-ND
别名:SI7459DP-T1-E3CT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 170nC @ 10V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET 2N-CH 500V 25A SP1
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 500V 25A 208W Chassis Mount SP1
型号:
APTM50A15FT1G
仓库库存编号:
APTM50A15FT1G-ND
别名:APTM50A15UT1G
APTM50A15UT1G-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 170nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 30V 13A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 P 沟道 30V 13A(Ta) 1.9W(Ta) PowerPAK? SO-8
型号:
SI7459DP-T1-GE3
仓库库存编号:
SI7459DP-T1-GE3CT-ND
别名:SI7459DP-T1-GE3CT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 170nC @ 10V,
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 120A(Tc) 215W(Tc) D2PAK
型号:
NTB5426NT4G
仓库库存编号:
NTB5426NT4G-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 170nC @ 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 120A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 60V 120A(Tc) 215W(Tc) TO-220AB
型号:
NTP5426NG
仓库库存编号:
NTP5426NG-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 170nC @ 10V,
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 30V 85A 8DFN
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 31A(Ta),85A(Tc) 2.3W(Ta),83W(Tc) 8-DFN(5x6)
型号:
AON6400
仓库库存编号:
785-1225-1-ND
别名:785-1225-1
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 170nC @ 10V,
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