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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 80V 120A TO220AB
详细描述：通孔 N 沟道 120A（Tc） 338W（Tc） TO-220AB
型号：
PSMN3R5-80PS,127
仓库库存编号：
1727-5282-ND
别名：1727-5282
568-6710
568-6710-5
568-6710-5-ND
568-6710-ND
934065169127
PSMN3R580PS127
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 139nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 37A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 37A（Tc） 357W（Tc） TO-247
型号：
FCH104N60F
仓库库存编号：
FCH104N60F-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 139nC @ 10V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 80V 120A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 120A（Tc） 306W（Tc） D2PAK
型号：
PSMN2R8-80BS,118
仓库库存编号：
1727-7107-1-ND
别名：1727-7107-1
568-9477-1
568-9477-1-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 139nC @ 10V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 80V 120A TO220AB
详细描述：通孔 N 沟道 120A（Tc） 338W（Tc） TO-220AB
型号：
PSMN3R3-80PS,127
仓库库存编号：
1727-6501-ND
别名：1727-6501
568-8597-5
568-8597-5-ND
934066132127
PSMN3R380PS127
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 139nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH TO-3PF/ISOWATT 218
详细描述：通孔 N 沟道 46A（Tc） 79W（Tc） TO-3PF
型号：
STFW60N65M5
仓库库存编号：
497-11325-5-ND
别名：497-11325-5
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 139nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 650V 46A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 46A（Tc） 255W（Tc） TO-247
型号：
STW60N65M5
仓库库存编号：
497-11368-5-ND
别名：497-11368-5
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 139nC @ 10V,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET P-CH 30V 45A POWERDI
详细描述：表面贴装 P 沟道 13.2A（Ta） 1.29W（Ta） PowerDI5060-8
型号：
DMP3012LPS-13
仓库库存编号：
DMP3012LPS-13DICT-ND
别名：DMP3012LPS-13DICT
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 139nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH TO220-3
详细描述：通孔 N 沟道 120A（Tc） 250W（Tc） PG-TO-220-3
型号：
IPP030N10N5AKSA1
仓库库存编号：
IPP030N10N5AKSA1-ND
别名：SP001227032
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 139nC @ 10V,
无铅
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IXYS
2000V TO 3000V POLAR3 POWER MOSF
详细描述：通孔 N 沟道 4A（Tc） 960W（Tc） TO-247HV
型号：
IXTX4N300P3HV
仓库库存编号：
IXTX4N300P3HV-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 139nC @ 10V,
不受无铅要求限制
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 120A（Tc） 250W（Tc） PG-TO263-3
型号：
IPB027N10N5ATMA1
仓库库存编号：
IPB027N10N5ATMA1CT-ND
别名：IPB027N10N5ATMA1CT
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 139nC @ 10V,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET BVDSS: 25V 30V TO252
详细描述：表面贴装 P 沟道 50A（Tc） 3.9W（Ta） TO-252，（D-Pak）
型号：
DMPH3010LK3-13
仓库库存编号：
DMPH3010LK3-13-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 139nC @ 10V,
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Diodes Incorporated
MOSFET BVDSS: 25V 30V POWERDI506
详细描述：表面贴装 P 沟道 60A（Tc） 2.6W（Ta） PowerDI5060-8
型号：
DMPH3010LPS-13
仓库库存编号：
DMPH3010LPS-13-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 139nC @ 10V,
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Diodes Incorporated
MOSFET BVDSS: 25V 30V TO252
详细描述：表面贴装 P 沟道 50A（Tc） 3.9W（Ta） TO-252，（D-Pak）
型号：
DMPH3010LK3Q-13
仓库库存编号：
DMPH3010LK3Q-13-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 139nC @ 10V,
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Diodes Incorporated
MOSFET BVDSS: 25V 30V POWERDI506
详细描述：表面贴装 P 沟道 60A（Tc） 2.6W（Ta） PowerDI5060-8
型号：
DMPH3010LPSQ-13
仓库库存编号：
DMPH3010LPSQ-13-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 139nC @ 10V,
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 49A SO8FL
详细描述：表面贴装 N 沟道 49A（Ta），319A（Tc） 3.84W（Ta）, 161W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
型号：
NVMFS4C01NT3G
仓库库存编号：
NVMFS4C01NT3G-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 139nC @ 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 49A SO8FL
详细描述：表面贴装 N 沟道 49A（Ta），319A（Tc） 3.84W（Ta）, 161W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
型号：
NVMFS4C01NWFT3G
仓库库存编号：
NVMFS4C01NWFT3G-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 139nC @ 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 49A SO8FL
详细描述：表面贴装 N 沟道 49A（Ta），319A（Tc） 3.84W（Ta）, 161W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
型号：
NVMFS4C01NT1G
仓库库存编号：
NVMFS4C01NT1G-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 139nC @ 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 49A SO8FL
详细描述：表面贴装 N 沟道 49A（Ta），319A（Tc） 3.84W（Ta）, 161W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
型号：
NVMFS4C01NWFT1G
仓库库存编号：
NVMFS4C01NWFT1G-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 139nC @ 10V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 80V 120A I2PAK
详细描述：通孔 N 沟道 120A（Tc） 338W（Tc） I2PAK
型号：
PSMN3R5-80ES,127
仓库库存编号：
1727-5283-ND
别名：1727-5283
568-6711
568-6711-5
568-6711-5-ND
568-6711-ND
934065163127
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 139nC @ 10V,
无铅
搜索
Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 80V 120A I2PAK
详细描述：通孔 N 沟道 120A（Tc） 338W（Tc） I2PAK
型号：
PSMN3R3-80ES,127
仓库库存编号：
1727-6502-ND
别名：1727-6502
568-8598-5
568-8598-5-ND
934066133127
PSMN3R380ES127
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 139nC @ 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V SO8FL
详细描述：表面贴装 N 沟道 47A（Ta），303A（Tc） 3.2W（Ta）, 134W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
型号：
NTMFS4C020NT3G
仓库库存编号：
NTMFS4C020NT3G-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 139nC @ 10V,
无铅
搜索
ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 47A SO8FL
详细描述：表面贴装 N 沟道 47A（Ta），303A（Tc） 3.2W（Ta）, 134W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
型号：
NTMFS4C01NT3G
仓库库存编号：
NTMFS4C01NT3G-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 139nC @ 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V SO8FL
详细描述：表面贴装 N 沟道 47A（Ta），303A（Tc） 3.2W（Ta）, 134W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
型号：
NTMFS4C020NT1G
仓库库存编号：
NTMFS4C020NT1G-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 139nC @ 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 47A SO8FL
详细描述：表面贴装 N 沟道 47A（Ta），303A（Tc） 3.2W（Ta）, 134W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
型号：
NTMFS4C01NT1G
仓库库存编号：
NTMFS4C01NT1G-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 139nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 37A TO247
详细描述：通孔 N 沟道 37A（Tc） 357W（Tc） TO-247
型号：
FCH104N60F_F085
仓库库存编号：
FCH104N60F_F085-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 139nC @ 10V,
无铅
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