规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 130nC @ 5V,
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 104A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 104A(Tc) 200W(Tc) TO-220AB
型号:
IRL2505PBF
仓库库存编号:
IRL2505PBF-ND
别名:*IRL2505PBF
SP001567114
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 130nC @ 5V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 104A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 104A(Tc) 3.8W(Ta),200W(Tc) D2PAK
型号:
IRL2505STRLPBF
仓库库存编号:
IRL2505STRLPBFCT-ND
别名:IRL2505STRLPBFCT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 130nC @ 5V,
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 120A(Tc) 310W(Tc) D2PAK
型号:
STB190NF04T4
仓库库存编号:
STB190NF04T4-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 130nC @ 5V,
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 80A(Tc) 150W(Tc) D2PAK
型号:
STB80NE03L-06T4
仓库库存编号:
STB80NE03L-06T4-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 130nC @ 5V,
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 30V 80A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 30V 80A(Tc) 150W(Tc) TO-220AB
型号:
STP80NE03L-06
仓库库存编号:
STP80NE03L-06-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 130nC @ 5V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 104A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 104A(Tc) 3.8W(Ta),200W(Tc) D2PAK
型号:
IRL2505S
仓库库存编号:
IRL2505S-ND
别名:*IRL2505S
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 130nC @ 5V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 58A TO220FP
详细描述:通孔 N 沟道 55V 58A(Tc) 63W(Tc) TO-220AB 整包
型号:
IRLI2505
仓库库存编号:
IRLI2505-ND
别名:*IRLI2505
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 130nC @ 5V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 104A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 55V 104A(Tc) 3.8W(Ta),200W(Tc) TO-262
型号:
IRL2505L
仓库库存编号:
IRL2505L-ND
别名:*IRL2505L
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 130nC @ 5V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 104A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 104A(Tc) 3.8W(Ta),200W(Tc) D2PAK
型号:
IRL2505STRL
仓库库存编号:
IRL2505STRL-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 130nC @ 5V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 104A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 104A(Tc) 3.8W(Ta),200W(Tc) D2PAK
型号:
IRL2505STRR
仓库库存编号:
IRL2505STRR-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 130nC @ 5V,
含铅
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