以下搜索结果

• 参考图片
• 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
• PDF
• 操作

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 60V 30A TO220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 30A（Tc） 48W（Tc） TO-220-3
  
  型号：IRLIZ44GPBF
  仓库库存编号：IRLIZ44GPBF-ND
  别名：*IRLIZ44GPBF
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 66nC @ 5V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 20V 15A 8SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 15A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
  
  型号：FDS6570A
  仓库库存编号：FDS6570ACT-ND
  别名：FDS6570ACT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 66nC @ 5V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 60V 50A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 50A（Tc） 3.7W（Ta），150W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRLZ44SPBF
  仓库库存编号：IRLZ44SPBF-ND
  别名：*IRLZ44SPBF
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 66nC @ 5V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 60V 50A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 50A（Tc） 150W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRLZ44PBF
  仓库库存编号：IRLZ44PBF-ND
  别名：*IRLZ44PBF
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 66nC @ 5V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 200V 17A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 17A（Tc） 125W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRL640PBF
  仓库库存编号：IRL640PBF-ND
  别名：*IRL640PBF
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 66nC @ 5V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 200V 17A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 17A（Tc） 3.1W（Ta），125W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRL640SPBF
  仓库库存编号：IRL640SPBF-ND
  别名：*IRL640SPBF
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 66nC @ 5V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 200V 17A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 17A（Tc） 3.1W（Ta），125W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRL640STRLPBF
  仓库库存编号：IRL640STRLPBFCT-ND
  别名：IRL640STRLPBFCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 66nC @ 5V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 42A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 42A（Tc） 130W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRLR3705ZTRPBF
  仓库库存编号：IRLR3705ZTRPBFCT-ND
  别名：IRLR3705ZTRPBFCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 66nC @ 5V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 42A I-PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 42A（Tc） 130W（Tc） IPAK（TO-251）
  
  型号：IRLU3705ZPBF
  仓库库存编号：IRLU3705ZPBF-ND
  别名：*IRLU3705ZPBF
  SP001568710
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 66nC @ 5V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 200V 17A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 17A（Tc） 3.1W（Ta），125W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRL640STRRPBF
  仓库库存编号：IRL640STRRPBF-ND
  别名：Q4322190B
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 66nC @ 5V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 60V 30A TO220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 30A（Tc） 48W（Tc） TO-220-3
  
  型号：IRLIZ44G
  仓库库存编号：IRLIZ44G-ND
  别名：*IRLIZ44G
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 66nC @ 5V,
• 含铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 60V 50A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 50A（Tc） 3.7W（Ta），150W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRLZ44STRRPBF
  仓库库存编号：IRLZ44STRRPBF-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 66nC @ 5V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 200V 17A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 200V 17A（Tc） 125W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRL640
  仓库库存编号：IRL640-ND
  别名：*IRL640
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 66nC @ 5V,
• 
  
  含铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 200V 17A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 200V 17A（Tc） 3.1W（Ta），125W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRL640S
  仓库库存编号：IRL640S-ND
  别名：*IRL640S
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 66nC @ 5V,
• 含铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 60V 50A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 60V 50A（Tc） 150W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRLZ44
  仓库库存编号：IRLZ44-ND
  别名：*IRLZ44
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 66nC @ 5V,
• 
  
  含铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 60V 50A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 50A（Tc） 3.7W（Ta），150W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRLZ44S
  仓库库存编号：IRLZ44S-ND
  别名：*IRLZ44S
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 66nC @ 5V,
• 含铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 60V 50A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 50A（Tc） 3.7W（Ta），150W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRLZ44STRR
  仓库库存编号：IRLZ44STRR-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 66nC @ 5V,
• 含铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 200V 17A TO-262
  详细描述：通孔 N 沟道 200V 17A（Tc） TO-262-3
  
  型号：IRL640L
  仓库库存编号：IRL640L-ND
  别名：*IRL640L
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 66nC @ 5V,
• 含铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 200V 17A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 200V 17A（Tc） 3.1W（Ta），125W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRL640STRL
  仓库库存编号：IRL640STRL-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 66nC @ 5V,
• 含铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 200V 17A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 200V 17A（Tc） 3.1W（Ta），125W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRL640STRR
  仓库库存编号：IRL640STRR-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 66nC @ 5V,
• 含铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 60V 50A TO-262
  详细描述：通孔 N 沟道 60V 50A（Tc） TO-262-3
  
  型号：IRLZ44L
  仓库库存编号：IRLZ44L-ND
  别名：*IRLZ44L
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 66nC @ 5V,
• 含铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 60V 50A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 50A（Tc） 3.7W（Ta），150W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRLZ44STRL
  仓库库存编号：IRLZ44STRL-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 66nC @ 5V,
• 含铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 42A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 42A（Tc） 130W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRLR3705Z
  仓库库存编号：IRLR3705Z-ND
  别名：*IRLR3705Z
  SP001568520
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 66nC @ 5V,
• 含铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 42A I-PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 55V 42A（Tc） 130W（Tc） I-Pak
  
  型号：IRLU3705Z
  仓库库存编号：IRLU3705Z-ND
  别名：*IRLU3705Z
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 66nC @ 5V,
• 含铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 25V 100A TDSON-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 25V 30A（Ta），100A（Tc） 2.8W（Ta），104W（Tc） PG-TDSON-8
  
  型号：BSC020N025S G
  仓库库存编号：BSC020N025SGINCT-ND
  别名：BSC020N025SG
  BSC020N025SGINCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 66nC @ 5V,
• 无铅
• 搜索