规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 2.8nC @ 4.5V,
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 1.7A SOT23
详细描述:表面贴装 N 沟道 1.7A(Ta) 900mW(Ta) SOT-23-3(TO-236)
型号:
NTR5198NLT1G
仓库库存编号:
NTR5198NLT1GOSCT-ND
别名:NTR5198NLT1GOSCT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 2.8nC @ 4.5V,
无铅
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Texas Instruments
MOSFET N-CH 25V 6-SON
详细描述:表面贴装 N 沟道 5A(Tc) 2.3W(Ta) 6-SON
型号:
CSD16301Q2
仓库库存编号:
296-25260-1-ND
别名:296-25260-1
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 2.8nC @ 4.5V,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 20V 3.4A SOT23-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 3.4A(Ta) 950mW(Ta) SOT-23-3
型号:
ZXMN2F34FHTA
仓库库存编号:
ZXMN2F34FHCT-ND
别名:ZXMN2F34FHCT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 2.8nC @ 4.5V,
无铅
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Rohm Semiconductor
NCH 60V 12A MIDDLE POWER MOSFET
详细描述:表面贴装 N 沟道 12A(Tc) 14.8W(Tc) 8-HSMT(3.2x3)
型号:
RQ3L050GNTB
仓库库存编号:
RQ3L050GNTBCT-ND
别名:RQ3L050GNTBCT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 2.8nC @ 4.5V,
无铅
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Panasonic Electronic Components
MOSFET 2N-CH 33V 5A WMINI8-F1
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 33V 5A 1W Surface Mount WMini8-F1
型号:
FC8J33040L
仓库库存编号:
FC8J33040LCT-ND
别名:FC8J33040LCT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 2.8nC @ 4.5V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N/P-CH 20V 8TDSON
详细描述:Mosfet Array N and P-Channel Complementary 20V 5.1A, 3.2A 2.5W Surface Mount PG-TSDSON-8-FL
型号:
BSZ15DC02KDHXTMA1
仓库库存编号:
BSZ15DC02KDHXTMA1CT-ND
别名:BSZ15DC02KDHXTMA1CT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 2.8nC @ 4.5V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 20V 3.5A CPH3
详细描述:表面贴装 N 沟道 3.5A(Ta) 1W(Ta) 3-CPH
型号:
CPH3456-TL-W
仓库库存编号:
CPH3456-TL-W-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 2.8nC @ 4.5V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 20V 3.5A MCPH3
详细描述:表面贴装 N 沟道 3.5A(Ta) 900mW(Ta) SC-70FL/MCPH3
型号:
MCH3479-TL-W
仓库库存编号:
MCH3479-TL-W-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 2.8nC @ 4.5V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 20V 3.5A MCPH3
详细描述:表面贴装 N 沟道 3.5A(Ta) 900mW(Ta) SC-70FL/MCPH3
型号:
MCH3479-TL-H
仓库库存编号:
MCH3479-TL-H-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 2.8nC @ 4.5V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 20V 3.5A SOT563
详细描述:表面贴装 N 沟道 3.5A(Ta) 800mW(Ta) SOT-563/SCH6
型号:
SCH1433-TL-W
仓库库存编号:
SCH1433-TL-WOSCT-ND
别名:SCH1433-TL-WOSCT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 2.8nC @ 4.5V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 20V 3.5A SCH6
详细描述:表面贴装 N 沟道 3.5A(Ta) 800mW(Ta) 6-SCH
型号:
SCH1433-TL-H
仓库库存编号:
SCH1433-TL-H-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 2.8nC @ 4.5V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 8.2A SO8FL
详细描述:表面贴装 N 沟道 8.2A(Ta),46A(Tc) 750mW(Ta) 5-DFN(5x6)(8-SOFL)
型号:
NTMFS4C290NT1G
仓库库存编号:
NTMFS4C290NT1G-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 2.8nC @ 4.5V,
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Infineon Technologies
MOSFET N/P-CH 20V 8TDSON
详细描述:Mosfet Array N and P-Channel Complementary 20V 5.1A, 3.2A 2.5W Surface Mount PG-TSDSON-8-FL
型号:
BSZ215CHXTMA1
仓库库存编号:
BSZ215CHXTMA1-ND
别名:SP001277210
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 2.8nC @ 4.5V,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 20V 4A DFN-2X2
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 4A(Ta) 1.35W(Ta) 3-DFN(2x2)
型号:
ZXMN2F34MATA
仓库库存编号:
ZXMN2F34MACT-ND
别名:ZXMN2F34MACT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 2.8nC @ 4.5V,
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 20V 3.5A CPH3
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 3.5A(Ta) 1W(Ta) 3-CPH
型号:
CPH3456-TL-H
仓库库存编号:
CPH3456-TL-HOSCT-ND
别名:CPH3456-TL-HOSCT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 2.8nC @ 4.5V,
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Infineon Technologies
MOSFET 2N-CH 30V 3.6A PQFN
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 3.6A 1.5W Surface Mount 6-PQFN (2x2)
型号:
IRLHS6376TR2PBF
仓库库存编号:
IRLHS6376TR2PBFCT-ND
别名:IRLHS6376TR2PBFCT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 2.8nC @ 4.5V,
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