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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 20V 5.9A TO-236
  详细描述：表面贴装 P 沟道 5.9A（Tc） 1W（Ta），1.7W（Tc） TO-236
  
  型号：SI2365EDS-T1-GE3
  仓库库存编号：SI2365EDS-T1-GE3CT-ND
  别名：SI2365EDS-T1-GE3CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 36nC @ 8V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 12V 4A SC-70-6
  详细描述：表面贴装 P 沟道 4A（Tc） 1.6W（Ta），2.8W（Tc） SC-70-6（SOT-363）
  
  型号：SI1401EDH-T1-GE3
  仓库库存编号：SI1401EDH-T1-GE3CT-ND
  别名：SI1401EDH-T1-GE3CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 36nC @ 8V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 20V 5.3A SOT-23
  详细描述：表面贴装 P 沟道 5.3A（Tc） 960mW（Ta），1.7W（Tc） SOT-23
  
  型号：SI2323DDS-T1-GE3
  仓库库存编号：SI2323DDS-T1-GE3CT-ND
  别名：SI2323DDS-T1-GE3CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 36nC @ 8V,
• 无铅
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