以下搜索结果

• 参考图片
• 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
• PDF
• 操作

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 800V 17A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 17A（Tc） 208W（Tc） PG-TO220-3-1
  
  型号：SPP17N80C3
  仓库库存编号：SPP17N80C3IN-ND
  别名：SP000013354
  SP000683164
  SPP17N80C3IN
  SPP17N80C3X
  SPP17N80C3XK
  SPP17N80C3XKSA1
  SPP17N80C3XTIN
  SPP17N80C3XTIN-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 177nC @ 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 800V 17A TO220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 17A（Tc） 42W（Tc） PG-TO220-3
  
  型号：SPA17N80C3
  仓库库存编号：SPA17N80C3IN-ND
  别名：SP000216353
  SPA17N80C3IN
  SPA17N80C3X
  SPA17N80C3XK
  SPA17N80C3XKSA1
  SPA17N80C3XTIN
  SPA17N80C3XTIN-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 177nC @ 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 800V 17A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 17A（Tc） 227W（Tc） PG-TO247-3
  
  型号：SPW17N80C3
  仓库库存编号：SPW17N80C3IN-ND
  别名：SP000013369
  SPW17N80C3FKSA1
  SPW17N80C3IN
  SPW17N80C3X
  SPW17N80C3XK
  SPW17N80C3XTIN
  SPW17N80C3XTIN-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 177nC @ 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 20V 35A 1212-8 PPAK
  详细描述：表面贴装 P 沟道 35A（Tc） 3.7W（Ta），52W（Tc） PowerPAK? 1212-8
  
  型号：SI7629DN-T1-GE3
  仓库库存编号：SI7629DN-T1-GE3CT-ND
  别名：SI7629DN-T1-GE3CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 177nC @ 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 800V 17A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 17A（Tc） 227W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：SPB17N80C3
  仓库库存编号：SPB17N80C3INCT-ND
  别名：SPB17N80C3INCT
  SPB17N80C3XTINCT
  SPB17N80C3XTINCT-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 177nC @ 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 75V 120A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 120A（Tc） 263W（Tc） D2PAK
  
  型号：BUK664R8-75C,118
  仓库库存编号：1727-5527-1-ND
  别名：1727-5527-1
  568-7006-1
  568-7006-1-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 177nC @ 10V,
• 含铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  MOSFET N-CH 200V 150A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 200V 150A（Tc） 890W（Tc） TO-247AD（IXFH）
  
  型号：IXFH150N20T
  仓库库存编号：IXFH150N20T-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 177nC @ 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  MOSFET N-CH 200V 150A TO-268
  详细描述：表面贴装 N 沟道 200V 150A（Tc） 890W（Tc） TO-268
  
  型号：IXFT150N20T
  仓库库存编号：IXFT150N20T-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 177nC @ 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 40V 15A PPAK SO-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 15A（Ta） 1.9W（Ta） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SI7476DP-T1-E3
  仓库库存编号：SI7476DP-T1-E3CT-ND
  别名：SI7476DP-T1-E3CT
  SI7476DPT1E3
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 177nC @ 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 40V 15A PPAK SO-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 15A（Ta） 1.9W（Ta） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SI7476DP-T1-GE3
  仓库库存编号：SI7476DP-T1-GE3-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 177nC @ 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 800V 17A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 800V 17A（Tc） 227W（Tc） PG-TO247-3
  
  型号：SPW17N80C3A
  仓库库存编号：SPW17N80C3A-ND
  别名：SP000101842
  SPW17N80C3AX
  SPW17N80C3AXK
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 177nC @ 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH 75V 120A TO220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 75V 120A（Tc） 263W（Tc） TO-220AB
  
  型号：BUK655R0-75C,127
  仓库库存编号：568-7502-5-ND
  别名：568-7502-5
  934064245127
  BUK655R0-75C,127-ND
  BUK655R075C127
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 177nC @ 10V,
• 含铅
• 搜索