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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 20V 6.5A SOT23
  详细描述：表面贴装 N 沟道 6.5A（Ta） 1.4W（Ta） SOT-23-3L
  
  型号：AO3416
  仓库库存编号：785-1011-1-ND
  别名：785-1011-1
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 16nC @ 4.5V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 20V 4A SSOT-6
  详细描述：表面贴装 P 沟道 4A（Ta） 1.6W（Ta） SuperSOT?-6
  
  型号：FDC642P
  仓库库存编号：FDC642PCT-ND
  别名：FDC642PCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 16nC @ 4.5V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 8V 1.6A SC70-6
  详细描述：表面贴装 P 沟道 1.6A（Tc） 2.5W（Ta），2.78W（Tc） SC-70-6（SOT-363）
  
  型号：SI1499DH-T1-E3
  仓库库存编号：SI1499DH-T1-E3CT-ND
  别名：SI1499DH-T1-E3CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 16nC @ 4.5V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 63A TO252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 63A（Tc） 7.5W（Ta），65.2W（Tc） TO-252，（D-Pak）
  
  型号：SUD50N03-09P-E3
  仓库库存编号：SUD50N03-09P-E3CT-ND
  别名：SUD50N03-09P-E3CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 16nC @ 4.5V,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET 2N-CH 20V 9A 6-UDFN
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 9A 800mW Surface Mount U-DFN2030-6 (Type B)
  
  型号：DMN2014LHAB-7
  仓库库存编号：DMN2014LHAB-7DICT-ND
  别名：DMN2014LHAB-7DICT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 16nC @ 4.5V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 58A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 58A（Tc） 55W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRLR8729TRPBF
  仓库库存编号：IRLR8729TRPBFCT-ND
  别名：IRLR8729TRPBFCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 16nC @ 4.5V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 8V 1.6A SC-70-6
  详细描述：表面贴装 P 沟道 1.6A（Tc） 2.5W（Ta），2.78W（Tc） SC-70-6（SOT-363）
  
  型号：SI1499DH-T1-GE3
  仓库库存编号：SI1499DH-T1-GE3CT-ND
  别名：SI1499DH-T1-GE3CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 16nC @ 4.5V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 8.8A SO-8FL
  详细描述：表面贴装 N 沟道 8.8A（Ta），58.5A（Tc） 870mW（Ta），38.5W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
  
  型号：NTMFS4821NT1G
  仓库库存编号：NTMFS4821NT1GOSCT-ND
  别名：NTMFS4821NT1GOSCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 16nC @ 4.5V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET 2N-CH 20V 6A 1212-8
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Common Drain 20V 6A 1.5W Surface Mount PowerPAK? 1212-8 Dual
  
  型号：SI7900AEDN-T1-E3
  仓库库存编号：SI7900AEDN-T1-E3CT-ND
  别名：SI7900AEDN-T1-E3CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 16nC @ 4.5V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 8V 2A SOT-363
  详细描述：表面贴装 P 沟道 2A（Tc） 1.56W（Ta），2.8W（Tc） SOT-363
  
  型号：SI1489EDH-T1-GE3
  仓库库存编号：SI1489EDH-T1-GE3TR-ND
  别名：SI1489EDH-T1-GE3-ND
  SI1489EDH-T1-GE3TR
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 16nC @ 4.5V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 8V 2A SOT-363
  详细描述：表面贴装 P 沟道 2A（Tc） 2.8W（Tc） SOT-363
  
  型号：SI1489EDH-T1-GE3
  仓库库存编号：SI1489EDH-T1-GE3CT-ND
  别名：SI1489EDH-T1-GE3CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 16nC @ 4.5V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 8V 2A SOT-363
  详细描述：表面贴装 P 沟道 2A（Tc） 2.8W（Tc） SOT-363
  
  型号：SI1489EDH-T1-GE3
  仓库库存编号：SI1489EDH-T1-GE3DKR-ND
  别名：SI1489EDH-T1-GE3DKR
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 16nC @ 4.5V,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET 2N-CH 20V 5.2A 8UDFN
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Common Drain 20V 5.2A 770mW Surface Mount U-DFN3030-8
  
  型号：DMN2016LFG-7
  仓库库存编号：DMN2016LFG-7DICT-ND
  别名：DMN2016LFG-7DICT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 16nC @ 4.5V,
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET P-CH 12V 3A TSMT3
  详细描述：表面贴装 P 沟道 3A（Ta） 1W（Ta） TSMT3
  
  型号：RQ5A030APTL
  仓库库存编号：RQ5A030APTLCT-ND
  别名：RQ5A030APTLCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 16nC @ 4.5V,
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET 2P-CH 12V 2.5A TSST8
  详细描述：Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 12V 2.5A 1W Surface Mount 8-TSST
  
  型号：TT8J13TCR
  仓库库存编号：TT8J13TCRCT-ND
  别名：TT8J13TCRCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 16nC @ 4.5V,
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET P-CH 12V 2.5A WEMT6
  详细描述：表面贴装 P 沟道 2.5A（Ta） 400mW（Ta） 6-WEMT
  
  型号：RW1A025APT2CR
  仓库库存编号：RW1A025APT2CRCT-ND
  别名：RW1A025APT2CRCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 16nC @ 4.5V,
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET P-CH 12V 2.5A TUMT6
  详细描述：表面贴装 P 沟道 2.5A（Ta） 320mW（Ta） TUMT6
  
  型号：RAL025P01TCR
  仓库库存编号：RAL025P01TCRCT-ND
  别名：RAL025P01TCRCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 16nC @ 4.5V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 20V 4A 6SSOT
  详细描述：表面贴装 P 沟道 4A（Ta） 1.2W（Ta） SuperSOT?-6
  
  型号：FDC642P_F085
  仓库库存编号：FDC642P_F085CT-ND
  别名：FDC642P_F085CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 16nC @ 4.5V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 20V 6.2A SSOT-6
  详细描述：表面贴装 N 沟道 6.2A（Ta） 1.6W（Ta） SuperSOT?-6
  
  型号：FDC637AN
  仓库库存编号：FDC637ANCT-ND
  别名：FDC637ANCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 16nC @ 4.5V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 37.8A SC70-6
  详细描述：表面贴装 N 沟道 37.8A（Tc） 19W（Tc） PowerPAK? SC-70-6 单
  
  型号：SIA468DJ-T1-GE3
  仓库库存编号：SIA468DJ-T1-GE3CT-ND
  别名：SIA468DJ-T1-GE3CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 16nC @ 4.5V,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH 20V 5.4A 8-MSOP
  详细描述：表面贴装 N 沟道 5.4A（Ta） 1.1W（Ta） 8-MSOP
  
  型号：ZXM64N02XTA
  仓库库存编号：ZXM64N02XCT-ND
  别名：ZXM64N02X
  ZXM64N02XCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 16nC @ 4.5V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET 2N-CH 12V 11A EMH8
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Common Drain 12V 11A 1.3W Surface Mount SOT-383FL, EMH8
  
  型号：EMH2417R-TL-H
  仓库库存编号：EMH2417R-TL-H-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 16nC @ 4.5V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 8V 9A SC-75-6
  详细描述：表面贴装 P 沟道 9A（Tc） 2.4W（Ta），13W（Tc） PowerPAK? TSC75-6
  
  型号：SIB437EDKT-T1-GE3
  仓库库存编号：SIB437EDKT-T1-GE3-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 16nC @ 4.5V,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET 2N-CH 20V 7.5A 6UDFN
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Common Drain 20V 7.5A 1.2W Surface Mount U-DFN2030-6
  
  型号：DMN2016LHAB-7
  仓库库存编号：DMN2016LHAB-7DICT-ND
  别名：DMN2016LHAB-7DICT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 16nC @ 4.5V,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET BVDSS: 31V 40V SO-8 T&R 2
  详细描述：Mosfet Array N and P-Channel Complementary 40V 7.5A (Ta) 17.2W Surface Mount 8-SO
  
  型号：DMC4040SSDQ-13
  仓库库存编号：DMC4040SSDQ-13-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 16nC @ 4.5V,
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