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• Vishay Siliconix
  MOSFET 2N-CH 20V 6A PPAK 1212-8
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Common Drain 20V 6A 1.5W Surface Mount PowerPAK? 1212-8 Dual
  
  型号：SI7900AEDN-T1-GE3
  仓库库存编号：SI7900AEDN-T1-GE3CT-ND
  别名：SI7900AEDN-T1-GE3CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 16nC @ 4.5V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 22V 49A TO252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 49A（Tc） 6.5W（Ta），39.5W（Tc） TO-252，（D-Pak）
  
  型号：SUD50N024-09P-E3
  仓库库存编号：SUD50N024-09P-E3-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 16nC @ 4.5V,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N CH 8V 8A DFN 2X2B
  详细描述：表面贴装 N 沟道 8V 8A（Ta） 2.8W（Ta） 6-DFN-EP（2x2）
  
  型号：AON2400
  仓库库存编号：785-1422-1-ND
  别名：785-1422-1
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 16nC @ 4.5V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 63A TO252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 63A（Tc） 7.5W（Ta），65.2W（Tc） TO-252，（D-Pak）
  
  型号：SUD50N03-09P-GE3
  仓库库存编号：SUD50N03-09P-GE3-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 16nC @ 4.5V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET 2P-CH 20V 5A 8DSO
  详细描述：Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 5A 1.6W Surface Mount PG-DSO-8
  
  型号：BSO207PHXUMA1
  仓库库存编号：BSO207PHXUMA1CT-ND
  别名：BSO207P HCT
  BSO207P HCT-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 16nC @ 4.5V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 20V 3.3A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 3.3A（Ta） 770mW（Ta） 8-SOIC
  
  型号：NTMS4N01R2G
  仓库库存编号：NTMS4N01R2GOS-ND
  别名：NTMS4N01R2GOS
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 16nC @ 4.5V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 5.2A SSOT-6
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 5.2A（Ta） 1.6W（Ta） SuperSOT?-6
  
  型号：FDC633N
  仓库库存编号：FDC633NCT-ND
  别名：FDC633NCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 16nC @ 4.5V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 20V 3.5A 8-TSSOP
  详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 3.5A（Ta） 1.2W（Ta） 8-TSSOP
  
  型号：FDW6923
  仓库库存编号：FDW6923-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 16nC @ 4.5V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET 2P-CH 20V 3.8A 8-TSSO
  详细描述：Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 3.8A 600mW Surface Mount 8-TSSOP
  
  型号：FDW2504P
  仓库库存编号：FDW2504P-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 16nC @ 4.5V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 7.1A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 7.1A（Ta） 870mW（Ta） 8-SOIC
  
  型号：NTMS4873NFR2G
  仓库库存编号：NTMS4873NFR2G-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 16nC @ 4.5V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 20V DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 6.5W（Ta），39.5W（Tc） TO-252，（D-Pak）
  
  型号：SUD50N02-09P-E3
  仓库库存编号：SUD50N02-09P-E3CT-ND
  别名：SUD50N02-09P-E3CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 16nC @ 4.5V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 58.5A SO-8FL
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 8.8A（Ta），58.5A（Tc） 870mW（Ta），38.5W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
  
  型号：NTMFS4827NET1G
  仓库库存编号：NTMFS4827NET1GOSCT-ND
  别名：NTMFS4827NET1GOSCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 16nC @ 4.5V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 58A IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 30V 58A（Tc） 55W（Tc） I-Pak
  
  型号：IRLU8729-701PBF
  仓库库存编号：IRLU8729-701PBF-ND
  别名：IRLU8729PBF
  IRLU8729PBF-ND
  SP001552984
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 16nC @ 4.5V,
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