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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Vishay Siliconix
MOSFET N/P-CH 40V 6.6A 8-SOIC
详细描述:Mosfet Array N and P-Channel 40V 6.6A, 5.6A 3.1W Surface Mount 8-SO
型号:
SI4565ADY-T1-E3
仓库库存编号:
SI4565ADY-T1-E3CT-ND
别名:SI4565ADY-T1-E3CT
SI4565ADYT1E3
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 22nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET 2N-CH 40V 6.6A 8-SOIC
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 40V 6.6A 3.1W Surface Mount 8-SO
型号:
SI4906DY-T1-E3
仓库库存编号:
SI4906DY-T1-E3CT-ND
别名:SI4906DY-T1-E3CT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 22nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 60V 2.2A 8-TSSOP
详细描述:表面贴装 P 沟道 60V 2.2A(Ta) 1W(Ta) 8-TSSOP
型号:
SI6459BDQ-T1-E3
仓库库存编号:
SI6459BDQ-T1-E3CT-ND
别名:SI6459BDQ-T1-E3CT
SI6459BDQT1E3
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 22nC @ 10V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 40V 50A TO-252
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 50A(Tc) 2W(Ta),50W(Tc) TO-252,(D-Pak)
型号:
AOD486A
仓库库存编号:
785-1115-1-ND
别名:785-1115-1
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 22nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 5.4A TO220ABFP
详细描述:通孔 N 沟道 600V 5.4A(Tc) TO-220ABFP
型号:
IXKP10N60C5M
仓库库存编号:
IXKP10N60C5M-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 22nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 60V 2.2A 8-TSSOP
详细描述:表面贴装 P 沟道 60V 2.2A(Ta) 1W(Ta) 8-TSSOP
型号:
SI6459BDQ-T1-GE3
仓库库存编号:
SI6459BDQ-T1-GE3CT-ND
别名:SI6459BDQ-T1-GE3CT
SI6459BDQT1GE3
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 22nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 8.4A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 8.4A(Tc) 2.5W(Ta),32W(Tc) TO-252AA
型号:
IRFR120ATM
仓库库存编号:
IRFR120ATM-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 22nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 8.4A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 100V 8.4A(Tc) 2.5W(Ta),32W(Tc) I-Pak
型号:
IRFU120ATU
仓库库存编号:
IRFU120ATU-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 22nC @ 10V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 30V 76A LFPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 76A(Tc) LFPAK56,Power-SO8
型号:
PH7030AL,115
仓库库存编号:
PH7030AL,115-ND
别名:934063091115
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 22nC @ 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 11.1A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 30V 8.9A(Ta),55A(Tc) 1.07W(Ta),35.71W(Tc) I-Pak
型号:
NTD4960N-1G
仓库库存编号:
NTD4960N-1GOS-ND
别名:NTD4960N-1GOS
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 22nC @ 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 11.1A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 30V 8.9A(Ta),55A(Tc) 1.07W(Ta),35.71W(Tc) I-Pak
型号:
NTD4960N-35G
仓库库存编号:
NTD4960N-35GOS-ND
别名:NTD4960N-35GOS
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 22nC @ 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 11.1A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 8.9A(Ta),55A(Tc) 1.07W(Ta),35.71W(Tc) DPAK
型号:
NTD4960NT4G
仓库库存编号:
NTD4960NT4GOSCT-ND
别名:NTD4960NT4GOSCT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 22nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET 2N-CH 40V 6.6A 8-SOIC
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 40V 6.6A 3.1W Surface Mount 8-SO
型号:
SI4906DY-T1-GE3
仓库库存编号:
SI4906DY-T1-GE3CT-ND
别名:SI4906DY-T1-GE3CT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 22nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 400V 5.5A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 400V 5.5A(Tc) 74W(Tc) I2PAK
型号:
IRF730ALPBF
仓库库存编号:
IRF730ALPBF-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 22nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 400V 5.5A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 400V 5.5A(Tc) 74W(Tc) D2PAK
型号:
IRF730ASTRRPBF
仓库库存编号:
IRF730ASTRRPBF-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 22nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N/P-CH 40V 6.6A 8-SOIC
详细描述:Mosfet Array N and P-Channel 40V 6.6A, 5.6A 3.1W Surface Mount 8-SO
型号:
SI4565ADY-T1-GE3
仓库库存编号:
SI4565ADY-T1-GE3-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 22nC @ 10V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 30V 12.4A 8ULTRASO
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 12.4A(Ta),49A(Tc) 2.1W(Ta),93W(Tc) UltraSO-8?
型号:
AOL1428A
仓库库存编号:
AOL1428A-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 22nC @ 10V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET 2N-CH 30V 22A/30A 8DFN
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 30V 22A, 30A 3.6W, 4.3W Surface Mount 8-DFN (5x6)
型号:
AON6973A
仓库库存编号:
785-1603-1-ND
别名:785-1603-1
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 22nC @ 10V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET 2N-CH 30V 22A/30A 8DFN
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 30V 22A, 30A 3.6W, 4.3W Surface Mount 8-DFN (5x6)
型号:
AON6974A
仓库库存编号:
AON6974A-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 22nC @ 10V,
无铅
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Global Power Technologies Group
MOSFET N-CH 650V 6.5A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 650V 6.5A(Tc) 120W(Tc) TO-220
型号:
GP2M007A065HG
仓库库存编号:
GP2M007A065HG-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 22nC @ 10V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 150V 19A TO252
详细描述:表面贴装 N 沟道 150V 3A(Ta),19A(Tc) 2.5W(Ta),83W(Tc) TO-252,(D-Pak)
型号:
AOD256_001
仓库库存编号:
AOD256_001-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 22nC @ 10V,
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH DFN 3X3
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 24A(Tc) 3.1W(Ta),23W(Tc) 8-DFN(3x3)
型号:
AON7518
仓库库存编号:
AON7518-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 22nC @ 10V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH DFN 3X3
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 24A(Tc) 3.1W(Ta),23W(Tc) 8-DFN(3x3)
型号:
AON7548
仓库库存编号:
AON7548-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 22nC @ 10V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH DFN
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 14A(Ta),24A(Tc) 3.1W(Ta),23W(Tc) 8-DFN-EP(3x3)
型号:
AON7548_101
仓库库存编号:
AON7548_101-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 22nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 560V 4.5A TO220FP
详细描述:通孔 N 沟道 560V 4.5A(Tc) 31W(Tc) PG-TO220-FP
型号:
SPA04N50C3XKSA1
仓库库存编号:
SPA04N50C3XKSA1-ND
别名:SP000216298
SPA04N50C3
SPA04N50C3IN
SPA04N50C3IN-ND
SPA04N50C3X
SPA04N50C3XK
SPA04N50C3XTIN
SPA04N50C3XTIN-ND
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