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STMicroelectronics
MOSFET N CH 500V 22A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 22A(Tc) 190W(Tc) TO-220
型号:
STP32NM50N
仓库库存编号:
497-13274-5-ND
别名:497-13274-5
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 62.5nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N CH 500V 22A TO-220FP
详细描述:通孔 N 沟道 22A(Tc) 35W(Tc) TO-220FP
型号:
STF32NM50N
仓库库存编号:
497-13266-5-ND
别名:497-13266-5
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 62.5nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 650V 28A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 28A(Tc) 190W(Tc) TO-247
型号:
STW34N65M5
仓库库存编号:
497-13123-5-ND
别名:497-13123-5
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 62.5nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N CH 500V 22A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 22A(Tc) 190W(Tc) TO-263(D2Pak)
型号:
STB32NM50N
仓库库存编号:
497-13264-1-ND
别名:497-13264-1
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 62.5nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N CH 650V 28A I2PAKFP
详细描述:通孔 N 沟道 28A(Tc) 35W(Tc) I2PAKFP(TO-281)
型号:
STFI34N65M5
仓库库存编号:
497-13163-ND
别名:497-13163
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 62.5nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 650V 28A I2PAK
详细描述:通孔 N 沟道 28A(Tc) 190W(Tc) I2PAKFP(TO-281)
型号:
STI34N65M5
仓库库存编号:
497-13439-ND
别名:497-13439
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 62.5nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 23A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 23A(Tc) 190W(Tc) TO-247
型号:
STW28NM60ND
仓库库存编号:
497-14202-5-ND
别名:497-14202-5
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 62.5nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 23A TO220FP
详细描述:通孔 N 沟道 23A(Tc) 35W(Tc) TO-220FP
型号:
STF28NM60ND
仓库库存编号:
497-14192-5-ND
别名:497-14192-5
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 62.5nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 650V 28A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 28A(Tc) 190W(Tc) TO-220
型号:
STP34N65M5
仓库库存编号:
497-13111-5-ND
别名:497-13111-5
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 62.5nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 23A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 23A(Tc) 190W(Tc) D2PAK
型号:
STB28NM60ND
仓库库存编号:
497-14238-1-ND
别名:497-14238-1
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 62.5nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 23A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 23A(Tc) 190W(Tc) TO-220
型号:
STP28NM60ND
仓库库存编号:
497-14196-5-ND
别名:497-14196-5
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 62.5nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N CH 500V 22A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 22A(Tc) 190W(Tc) TO-247
型号:
STW32NM50N
仓库库存编号:
497-13284-5-ND
别名:497-13284-5
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 62.5nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 650V 28A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 28A(Tc) 190W(Tc) D2PAK
型号:
STB34N65M5
仓库库存编号:
497-13085-1-ND
别名:497-13085-1
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 62.5nC @ 10V,
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 650V 3.2A PWRFLAT88
详细描述:表面贴装 N 沟道 22.5A(Tc) 2.8W(Ta),150W(Tc) PowerFlat?(8x8) HV
型号:
STL34N65M5
仓库库存编号:
497-15024-1-ND
别名:497-15024-1
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 62.5nC @ 10V,
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