品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 12nC @ 4.5V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 20V 3.9A SOT23-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 3.9A(Ta) 750mW(Ta) SOT-23-3(TO-236)
型号:
SI2312BDS-T1-GE3
仓库库存编号:
SI2312BDS-T1-GE3CT-ND
别名:SI2312BDS-T1-GE3CT
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 12nC @ 4.5V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 20V 3.9A SOT23-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 3.9A(Ta) 750mW(Ta) SOT-23-3(TO-236)
型号:
SI2312BDS-T1-E3
仓库库存编号:
SI2312BDS-T1-E3CT-ND
别名:SI2312BDS-T1-E3CT
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 12nC @ 4.5V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 7A 6-TSOP
详细描述:表面贴装 N 沟道 7A(Tc) 5W(Tc) 6-TSOP
型号:
SQ3426EV-T1_GE3
仓库库存编号:
SQ3426EV-T1_GE3CT-ND
别名:SQ3426EV-T1_GE3CT
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 12nC @ 4.5V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 40A 1212-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 40A(Tc) 20.8W(Tc) PowerPAK? 1212-8
型号:
SISA34DN-T1-GE3
仓库库存编号:
SISA34DN-T1-GE3CT-ND
别名:SISA34DN-T1-GE3CT
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 12nC @ 4.5V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 40V 30A SC70-6
详细描述:表面贴装 N 沟道 30A(Tc) 19.2W(Tc) PowerPAK? SC-70-6 单
型号:
SIAA40DJ-T1-GE3
仓库库存编号:
SIAA40DJ-T1-GE3CT-ND
别名:SIAA40DJ-T1-GE3CT
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 12nC @ 4.5V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 4.6A 6-TSOP
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 4.6A(Ta) 1.14W(Ta) 6-TSOP
型号:
SI3434DV-T1-E3
仓库库存编号:
SI3434DV-T1-E3CT-ND
别名:SI3434DV-T1-E3CT
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 12nC @ 4.5V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 40V 3.9A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 3.9A(Ta) 1.1W(Ta) 8-SO
型号:
SI4446DY-T1-E3
仓库库存编号:
SI4446DY-T1-E3CT-ND
别名:SI4446DY-T1-E3CT
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 12nC @ 4.5V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 40V 3.9A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 3.9A(Ta) 1.1W(Ta) 8-SO
型号:
SI4446DY-T1-GE3
仓库库存编号:
SI4446DY-T1-GE3CT-ND
别名:SI4446DY-T1-GE3CT
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 12nC @ 4.5V,
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 8V 3A SOT23
详细描述:表面贴装 P 沟道 8V 3A(Ta) 710mW(Ta) SOT-23-3
型号:
SI2311DS-T1-E3
仓库库存编号:
SI2311DS-T1-E3-ND
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 12nC @ 4.5V,
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 8V 3A SOT23
详细描述:表面贴装 P 沟道 8V 3A(Ta) 710mW(Ta) SOT-23-3
型号:
SI2311DS-T1-GE3
仓库库存编号:
SI2311DS-T1-GE3-ND
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 12nC @ 4.5V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 4.6A 6-TSOP
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 4.6A(Ta) 1.14W(Ta) 6-TSOP
型号:
SI3434DV-T1-GE3
仓库库存编号:
SI3434DV-T1-GE3-ND
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 12nC @ 4.5V,
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Vishay Siliconix
MOSFET 2P-CH 12V 4.8A 1212-8
详细描述:Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 12V 4.8A 1.3W Surface Mount PowerPAK? 1212-8 Dual
型号:
SI7925DN-T1-E3
仓库库存编号:
SI7925DN-T1-E3-ND
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 12nC @ 4.5V,
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MOSFET 2P-CH 12V 4.8A 1212-8
详细描述:Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 12V 4.8A 1.3W Surface Mount PowerPAK? 1212-8 Dual
型号:
SI7925DN-T1-GE3
仓库库存编号:
SI7925DN-T1-GE3-ND
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 12nC @ 4.5V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 20V 40A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 40A(Tc) 3.75W(Ta),83W(Tc) TO-263(D2Pak)
型号:
SUM40N02-12P-E3
仓库库存编号:
SUM40N02-12P-E3-ND
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 12nC @ 4.5V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 7A 6TSOP
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 7A(Tc) 5W(Tc) 6-TSOP
型号:
SQ3426EEV-T1-GE3
仓库库存编号:
SQ3426EEV-T1-GE3CT-ND
别名:SQ3426EEV-T1-GE3CT
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 12nC @ 4.5V,
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