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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 4A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 N 沟道 4A（Ta） 1.6W（Ta） 8-SO
型号：
FDFS6N754
仓库库存编号：
FDFS6N754CT-ND
别名：FDFS6N754CT
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 6nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 150V 2.3A 6SSOT
详细描述：表面贴装 N 沟道 2.3A（Ta） 1.6W（Ta） SuperSOT?-6
型号：
FDC86244
仓库库存编号：
FDC86244CT-ND
别名：FDC86244CT
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 6nC @ 10V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 20V TO-236AB
详细描述：表面贴装 N 沟道 2.7A（Ta） 490mW（Ta）, 6.25W（Tc） TO-236AB（SOT23）
型号：
PMV65ENEAR
仓库库存编号：
1727-2535-1-ND
别名：1727-2535-1
568-12974-1
568-12974-1-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 6nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 450V 1.8A IPAK
详细描述：通孔 N 沟道 1.8A（Tc） 27W（Tc） I-Pak
型号：
STU3N45K3
仓库库存编号：
497-12362-ND
别名：497-12362
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 6nC @ 10V,
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 3.5A TSMT
详细描述：表面贴装 N 沟道 3.5A（Ta） 1W（Ta） TSMT3
型号：
RQ5E035BNTCL
仓库库存编号：
RQ5E035BNTCLCT-ND
别名：RQ5E035BNTCLCT
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 6nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 450V 600MA TO-92
详细描述：通孔 N 沟道 600mA（Tc） 3W（Tc） TO-92-3
型号：
STQ3N45K3-AP
仓库库存编号：
497-10969-1-ND
别名：497-10969-1
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 6nC @ 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET P-CH 60V 1.8A CPH3
详细描述：表面贴装 P 沟道 1.8A（Ta） 1W（Ta） 3-CPH
型号：
CPH3351-TL-W
仓库库存编号：
CPH3351-TL-WOSCT-ND
别名：CPH3351-TL-WOSCT
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 6nC @ 10V,
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, P-CHANNEL, -60V,
详细描述：表面贴装 P 沟道 3.5A（Ta） 3W（Ta） 8-SOP
型号：
TSM9409CS RLG
仓库库存编号：
TSM9409CS RLGTR-ND
别名：TSM9409CS RLGTR
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 6nC @ 10V,
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, P-CHANNEL, -60V,
详细描述：表面贴装 P 沟道 3.5A（Ta） 3W（Ta） 8-SOP
型号：
TSM9409CS RLG
仓库库存编号：
TSM9409CS RLGCT-ND
别名：TSM9409CS RLGCT
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 6nC @ 10V,
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, P-CHANNEL, -60V,
详细描述：表面贴装 P 沟道 3.5A（Ta） 3W（Ta） 8-SOP
型号：
TSM9409CS RLG
仓库库存编号：
TSM9409CS RLGDKR-ND
别名：TSM9409CS RLGDKR
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 6nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 650V 3.5A IPAK
详细描述：通孔 N 沟道 3.5A（Tc） 45W（Tc） I-Pak
型号：
STU3N65M6
仓库库存编号：
STU3N65M6-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 6nC @ 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET P-CH 1.8A 60V CPH3
详细描述：表面贴装 P 沟道 1.8A（Ta） 1.2W（Ta） 3-CPH
型号：
NVC3S5A51PLZT1G
仓库库存编号：
NVC3S5A51PLZT1G-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 6nC @ 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET P-CH 60V 8A U8FL
详细描述：表面贴装 P 沟道 2.4A（Ta） 3W（Ta），18W（Tc） 8-WDFN（3.3x3.3）
型号：
NVTFS5124PLTWG
仓库库存编号：
NVTFS5124PLTWG-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 6nC @ 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET P-CH 60V 8A U8FL
详细描述：表面贴装 P 沟道 2.4A（Ta） 3W（Ta），18W（Tc） 8-WDFN（3.3x3.3）
型号：
NVTFS5124PLWFTWG
仓库库存编号：
NVTFS5124PLWFTWG-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 6nC @ 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET P-CH 60V 8A U8FL
详细描述：表面贴装 P 沟道 2.4A（Ta） 3W（Ta），18W（Tc） 8-WDFN（3.3x3.3）
型号：
NVTFS5124PLWFTAG
仓库库存编号：
NVTFS5124PLWFTAG-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 6nC @ 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V U8FL
详细描述：表面贴装 N 沟道 7.82A（Ta），20A（Tc） 3W（Ta），20W（Tc） 8-WDFN（3.3x3.3）
型号：
NVTFS5C680NLTAG
仓库库存编号：
NVTFS5C680NLTAG-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 6nC @ 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V U8FL
详细描述：表面贴装 N 沟道 7.82A（Ta），20A（Tc） 3W（Ta），20W（Tc） 8-WDFN（3.3x3.3）
型号：
NVTFS5C680NLWFTAG
仓库库存编号：
NVTFS5C680NLWFTAG-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 6nC @ 10V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 600V 4A TO251A
详细描述：通孔 N 沟道 4A（Tc） 56.8W（Tc） TO-251A
型号：
AOI4S60
仓库库存编号：
AOI4S60-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 6nC @ 10V,
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 400V 3A MP3A
详细描述：表面贴装 N 沟道 3A（Ta） 30W（Tc） MP-3A
型号：
RJK4002DPD-00#J2
仓库库存编号：
RJK4002DPD-00#J2-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 6nC @ 10V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 600V 4A TO220
详细描述：通孔 N 沟道 4A（Tc） 83W（Tc） TO-220
型号：
AOT4S60L
仓库库存编号：
785-1268-5-ND
别名：785-1268-5
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 6nC @ 10V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 600V 4A TO220F
详细描述：通孔 N 沟道 4A（Tc） 31W（Tc） TO-220-3F
型号：
AOTF4S60
仓库库存编号：
AOTF4S60-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 6nC @ 10V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 600V 4A TO262
详细描述：通孔 N 沟道 4A（Tc） 83W（Tc） TO-262
型号：
AOW4S60
仓库库存编号：
AOW4S60-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 6nC @ 10V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 600V 4A TO251
详细描述：通孔 N 沟道 4A（Tc） 56.8W（Tc） TO-251-3
型号：
AOU4S60
仓库库存编号：
AOU4S60-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 6nC @ 10V,
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 600V 4A TO262F
详细描述：通孔 N 沟道 4A（Tc） 25W（Tc）
型号：
AOWF4S60
仓库库存编号：
AOWF4S60-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 6nC @ 10V,
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 600V 4A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 4A（Tc） 83W（Tc） TO-263（D2Pak）
型号：
AOB4S60L
仓库库存编号：
785-1262-2-ND
别名：785-1262-2
AOB4S60
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 6nC @ 10V,
无铅
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